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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MTFC256GARATEK-WT Micron Technology Inc. MTFC256GARATEK-WT 48.0450
RFQ
 ECAD 4890 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 153-vfbga Flash - Nand (SLC) - 153-vfbga (11.5x13) - 557-MTFC256GARATEK-WT 1 No Volátil 2Tbit Destello 256g x 8 UFS 3.1 -
MT46V32M16BN-75 L:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-75 L: C TR -
RFQ
 ECAD 9813 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - ROHS3 Cumplante 5 (48 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 133 MHz Volante 512Mbit 750 ps Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT42L128M64D4LD-25 IT:A Micron Technology Inc. Mt42l128m64d4ld-25 it: a -
RFQ
 ECAD 1766 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Descontinuado en sic -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 220-vfbga MT42L128M64 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.3V 220-FBGA (14x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 400 MHz Volante 8 gbit Dracma 128m x 64 Paralelo -
MT29F4G08ABBDAHC-IT:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAHC-IT: D 5.9300
RFQ
 ECAD 769 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F4G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (10.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.140 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
MT28FW512ABA1HPC-0AAT Micron Technology Inc. MT28FW512ABA1HPC-0AAT -
RFQ
 ECAD 2632 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 64 lbGa MT28FW512 Flash - Ni 1.7V ~ 3.6V 64 LBGA (11x13) - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 No Volátil 512Mbit 105 ns Destello 32m x 16 Paralelo 60ns
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP-AITX: D TR 5.1251
RFQ
 ECAD 4720 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F4G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
M29W640GT7AN6F TR Micron Technology Inc. M29w640gt7an6f tr -
RFQ
 ECAD 8009 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W640 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1.500 No Volátil 64 Mbbit 70 ns Destello 8m x 8, 4m x 16 Paralelo 70ns
M29W640FT70ZA6E Micron Technology Inc. M29W640FT70ZA6E -
RFQ
 ECAD 8641 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFBGA M29W640 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 816 No Volátil 64 Mbbit 70 ns Destello 8m x 8, 4m x 16 Paralelo 70ns
MT46V16M8TG-6T L:D TR Micron Technology Inc. MT46V16M8TG-6T L: D TR 8.8200
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) Mt46v16m8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 167 MHz Volante 128 Mbbit 700 PS Dracma 16m x 8 Paralelo 15ns
MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGDSF-AAT: G -
RFQ
 ECAD 7870 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) MT29F2G01 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 16-SO - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.440 No Volátil 2 GBIT Destello 2G x 1 SPI -
MT47H128M8CF-25:H TR Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-25: H TR -
RFQ
 ECAD 8454 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 2,000 400 MHz Volante 1 gbit 400 ps Dracma 128m x 8 Paralelo 15ns
M29W400BT55ZA1 Micron Technology Inc. M29W400BT55ZA1 -
RFQ
 ECAD 6422 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFBGA M29W400 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x9) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 180 No Volátil 4mbit 55 ns Destello 512k x 8, 256k x 16 Paralelo 55ns
M25P10-V6D11 Micron Technology Inc. M25P10-V6D11 -
RFQ
 ECAD 5924 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - M25P10 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1 50 MHz No Volátil 1 mbit Destello 128k x 8 SPI -
N25Q128A11ESE40G Micron Technology Inc. N25Q128A11SE40G -
RFQ
 ECAD 2431 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) N25Q128A11 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 8-SO W descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-1572-5 3A991B1A 8542.32.0071 1.800 108 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 32m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT48LC8M16LFF4-10:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFF4-10: G -
RFQ
 ECAD 4593 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Descontinuado en sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48LC8M16 SDRAM - LPSDR MÓVIL 3V ~ 3.6V 54-vfbga (8x8) descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 100 MHz Volante 128 Mbbit 7 ns Dracma 8m x 16 Paralelo 15ns
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAWP-IT: E 2.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F1G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 960 No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 Paralelo -
M29F400FB55N3F2 TR Micron Technology Inc. M29F400FB55N3F2 TR -
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29F400 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 1.500 No Volátil 4mbit 55 ns Destello 512k x 8, 256k x 16 Paralelo 55ns
MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53B768M64D8NK-053 WT ES: D -
RFQ
 ECAD 1613 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 366-WFBGA MT53B768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 366-WFBGA (15x15) - 1 (ilimitado) EAR99 8542.32.0036 1.190 1.866 GHz Volante 48 GBIT Dracma 768m x 64 - -
MT30AZZZDDB0TPWL-031 WL.19R TR Micron Technology Inc. MT30AZZZDDB0TPWL-031 WL.19R TR 108.7200
RFQ
 ECAD 1712 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT30AZZZDDB0TPWL-031WL.19RTR 2,000
MTFC16GAPALNA-AIT Micron Technology Inc. Mtfc16gapalna-it -
RFQ
 ECAD 1753 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Descontinuado en sic MTFC16 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 980
N25Q512A13GSFH0E Micron Technology Inc. N25Q512A13GSFH0E -
RFQ
 ECAD 1024 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) N25Q512A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SO - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.440 108 MHz No Volátil 512Mbit Destello 128m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT29F512G08CKCABH7-6:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCABH7-6: A TR -
RFQ
 ECAD 2111 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 152-TBGA MT29F512G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
MTFC8GLWDQ-3L AIT Z TR Micron Technology Inc. MTFC8GLWDQ-3L AIT Z TR -
RFQ
 ECAD 2145 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 100 lbGa MTFC8 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 100 lbGa (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 MMC -
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4SB-046 XT ES: E -
RFQ
 ECAD 8108 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.190 2.133 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
MT53E2D1BFW-DC TR Micron Technology Inc. MT53E2D1BFW-DC TR 22.5000
RFQ
 ECAD 3801 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo MT53E2 - Alcanzar sin afectado 557-MT53E2D1BFW-DCTR 2,000
M29W128GL70N3F TR Micron Technology Inc. M29W128GL70N3F TR -
RFQ
 ECAD 5829 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.200 No Volátil 128 Mbbit 70 ns Destello 16m x 8, 8m x 16 Paralelo 70ns
MT41K128M8DA-107:J Micron Technology Inc. MT41K128M8DA-107: J 5.0100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41K128M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1 933 MHz Volante 1 gbit 20 ns Dracma 128m x 8 Paralelo -
MT48V8M16LFF4-10:G Micron Technology Inc. MT48V8M16LFF4-10: G -
RFQ
 ECAD 3846 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Descontinuado en sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48V8M16 SDRAM - LPSDR MÓVIL 2.3V ~ 2.7V 54-vfbga (8x8) descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 100 MHz Volante 128 Mbbit 7 ns Dracma 8m x 16 Paralelo 15ns
MT45W4MW16BFB-708 WT TR Micron Technology Inc. MT45W4MW16BFB-708 WT TR -
RFQ
 ECAD 3024 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 54-vfbga MT45W4MW16 Psram (pseudo sram) 1.7V ~ 1.95V 54-vfbga (6x9) descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 Volante 64 Mbbit 70 ns Psram 4m x 16 Paralelo 70ns
MT51K256M32HF-70:B TR Micron Technology Inc. MT51K256M32HF-70: B TR 10.8900
RFQ
 ECAD 6593 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) MT51K256 SGRAM - GDDR5 1.3V ~ 1.545V - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2,000 1.75 GHz Volante 8 gbit RAM 256m x 32 Paralelo -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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