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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT48LC4M32B2P-6A AIT: L TR | - |  | 8443 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC4M32B2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 167 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 4m x 32 | Paralelo | 12ns | ||
 | MT29F3T08EUHBBM4-3R: B TR | - | | 7022 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F3T08 | Flash - nand | 2.5V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | No Volátil | 3Tbit | Destello | 384g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT29F64G08AECDBJ4-6: D | - | | 2346 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 166 MHz | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | |||
| MT29F128G08CEEDBJ4-12: D TR | - | | 7810 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | PC28F640P33TF60A | - | | 8358 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 64-TBGA | PC28F640 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 64-Easybga (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | 52 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 60 ns | Destello | 4m x 16 | Paralelo | 60ns | ||
 | M29W160EB90N1 | - | | 8583 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W160 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 16mbit | 90 ns | Destello | 2m x 8, 1m x 16 | Paralelo | 90ns | |||
 | PC28F512G18AE | - | | 4165 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tubo | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 64-TBGA | PC28F512 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 64-Easybga (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | 96 ns | Destello | 32m x 16 | Paralelo | 96ns | |||
| MT29F128G08EBCDBB05A3WC1ES | - | | 5345 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | Morir | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | ||||||
 | Mtfc4gmwdm-3m ait a | - | | 6684 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | Mtfc4 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Mtfc4gmwdm-3maita | Obsoleto | 8542.32.0071 | 1.520 | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | MMC | - | ||||
 | JS28F00AP30EF0 | - | | 2809 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | JS28F00AP30 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 96 | 40 MHz | No Volátil | 1 gbit | 110 ns | Destello | 64m x 16 | Paralelo | 110ns | ||
 | MT46V32M16P-75 L: C | - | | 7115 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP | - | ROHS3 Cumplante | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 512Mbit | 750 ps | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| Mt29f1g08abadawp-itx: D | - | | 4355 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F1G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT29F512G08CMCABK7-6: A TR | - | | 3632 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F512G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT53D1G64D8NW-062 WT: D TR | - | | 6665 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D1G64 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 1.6 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | - | - | ||||||||
 | N25Q016A11EF640F TR | - | | 9842 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | N25Q016A11 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 8-vdfpn (6x5) (MLP8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 4.000 | 108 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI | 8ms, 1 m | ||||
 | Mtfc64gjddn-3m wt | - | | 8924 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 169-LFBGA | MTFC64 | Flash - nand | 1.65V ~ 3.6V | 169-LFBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 980 | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | MMC | - | ||||
| MT25TL01GHBBBB8ESF-0AAT | - | | 2032 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tubo | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | MT25TL01 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.440 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | |||
| MT51J256M32HF-70: B TR | - | | 3063 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 170-TFBGA | MT51J256 | SGRAM - GDDR5 | 1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V | 170-FBGA (12x14) | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.75 GHz | Volante | 8 gbit | RAM | 256m x 32 | Paralelo | - | ||||
 | MT48LC8M32LFF5-10 TR | - | | 9058 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT48LC8M32 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 3V ~ 3.6V | 90-vfbga (8x13) | - | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 100 MHz | Volante | 256Mbit | 7 ns | Dracma | 8m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
| MT48LC8M32B2P-7 TR | - | | 2532 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC8M32B2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 143 MHz | Volante | 256Mbit | 6 ns | Dracma | 8m x 32 | Paralelo | 14ns | ||
 | MT48LC16M16A2TG-7E: D TR | - | | 6430 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | 5.4 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 14ns | ||
| MT41K2G4RKB-107: N | - | | 6870 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41K2G4 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.440 | 933 MHz | Volante | 8 gbit | 20 ns | Dracma | 2G x 4 | Paralelo | - | ||||
 | MT53B512M32D2NP-062 WT: D TR | - | | 2388 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53B512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | |||
 | M29DW640F70ZE6E | - | | 1002 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | M29DW640 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | No Volátil | 64 Mbbit | 70 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
| MT46V256M4P-75: A | - | | 4101 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | Mt46v256m4 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 1 gbit | 750 ps | Dracma | 256m x 4 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT47H64M8CB-37E: B | - | | 9275 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 60-FBGA | MT47H64M8 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA | descascar | ROHS3 Cumplante | 5 (48 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 2,000 | 267 MHz | Volante | 512Mbit | 500 ps | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| MT48LC4M16A2B4-6A IT: J | - | | 3057 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT48LC4M16A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-vfbga (8x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.560 | 167 MHz | Volante | 64 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 4m x 16 | Paralelo | 12ns | ||
| MT46V32M16TG-75: C TR | - | | 2930 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP | - | Rohs no conforme | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 512Mbit | 750 ps | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | Mt29c1g12maajyamd-5 it | - | | 1401 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 130-vfbga | MT29C1G12 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 130-vfbga (8x9) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) | Flash, ram | 128m x 8 (nand), 16m x 32 (LPDRAM) | Paralelo | - | |||
| MT53D512M64D4NY-046 XT ES: E | - | | 3004 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.190 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - |
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