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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F512G08EBLEEJ4-T: E | 10.7250 |  | 4522 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 132-VBGA | Flash - Nand (TLC) | 2.6V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-MT29F512G08EBLEEJ4-T: E | 1 | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | Paralelo | - | ||||||||||
| MT53D512M64D4NW-046 WT: F TR | - | | 4102 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | 557-MT53D512M64D4NW-046WT: FTR | Obsoleto | 1,000 | |||||||||||||||||||||
| Mt46h64m32l2cg-6 it: un tr | - | | 6490 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-vfbga | MT46H64M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 152-vfbga (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 2 GBIT | 5 ns | Dracma | 64m x 32 | Paralelo | 15ns | |||
 | MT58L512L18PT-7.5 | 6.0500 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Sram - Estándar | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 5 | 133 MHz | Volante | 8mbit | 4 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | ||||
 | MT46H32M32LFB5-5 AAT: B TR | - | | 2000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT46H32M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 1 gbit | 5 ns | Dracma | 32m x 32 | Paralelo | 15ns | |||
| Mt25tl256baa1esf-0aat | - | | 7409 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | MT25TL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | |||||
| Mt29vzzzac8fqksl-053 w es.g8f tr | - | | 3414 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Mt29vzzzac8 | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||||
| MT40A2G8AG-062E AIT: F TR | 18.0450 | | 8981 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | - | - | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | - | - | 557-MT40A2G8AG-062EAIT: FTR | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 2G x 8 | Paralelo | 15ns | ||||||||
 | PC28F512M29AWHB TR | - | | 2994 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | PC28F512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | No Volátil | 512Mbit | 100 ns | Destello | 32m x 16 | Paralelo | 100ns | |||||
 | PZ28F032M29EWHA | - | | 6381 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | PZ28F032M29 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-BGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | No Volátil | 32Mbit | 60 ns | Destello | 4m x 8, 2m x 16 | Paralelo | 60ns | |||||
| Mt46h32m32lfcg-6 it: un tr | - | | 5051 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-vfbga | MT46H32M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 152-vfbga (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 1 gbit | 5 ns | Dracma | 32m x 32 | Paralelo | 15ns | |||
| ECY4008AACS-Y3 | - | | 1436 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Sin verificado | ||||||||||||||||||
 | MT29F16G08ABCBBH1-12IT: B | - | | 2017 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100-VBGA | MT29F16G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 100-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 16 gbit | Destello | 2G x 8 | Paralelo | - | |||||
| MT49H64M9FM-25: B TR | - | | 5429 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | MT49H64M9 | Dracma | 1.7V ~ 1.9V | 144 µBGA (18.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 576Mbit | 20 ns | Dracma | 64m x 9 | Paralelo | - | |||
| MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P TR | - | | 6503 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | ||||||
 | MT29F1G16ABBEAH4: E TR | - | | 9086 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F1G16 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 64m x 16 | Paralelo | - | |||||
 | MT40A4G4SA-062E: F | 22.8900 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT40A4G4SA-062E: F | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.260 | 1.5 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 4g x 4 | Paralelo | 15ns | ||
| MT40A2G8AG-062E AIT: F | 18.0450 | | 5819 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | - | - | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | - | - | 557-mt40a2g8ag-062eait: F | 1 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 2G x 8 | Paralelo | 15ns | ||||||||
 | M25PE80-VMN6TP TR | - | | 3000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | M25PE80 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 75 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI | 15 ms, 3 ms | ||||
| MT62F768M64D4EK-023 WT: B | 34.2750 | | 2824 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | Montaje en superficie | 441-TFBGA | MT62F768 | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F768M64D4EK-023WT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 768m x 64 | Paralelo | - | ||||||||
| MT53D4DFSB-DC TR | - | | 5283 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | - | - | MT53D4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 2,000 | Volante | Dracma | ||||||||||||
| MT29F64G8CBCBBH1-1: B | - | | 1065 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | Montaje en superficie | 100-VBGA | MT29F64G8 | 100-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1.120 | |||||||||||||||
| MTFC16GLXDV-WT TR | - | | 1666 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | Mtfc16g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | MMC | - | ||||||
| MT62F1G32D4DS-031 AUT: B | 37.4700 | | 4200 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D4DS-031AUT: B | 1 | 3.2 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | - | |||||||||
| MT29F8T08EWLEEM5-T: E | 171.6300 | | 3020 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | - | - | Flash - Nand (TLC) | - | - | - | 557-mt29f8t08ewleem5-t: e | 1 | No Volátil | 8tbit | Destello | 1t x 8 | Paralelo | - | ||||||||||
| Mt29f8g16adbdah4-it: D | - | | 2131 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F8G16 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | No Volátil | 8 gbit | Destello | 512m x 16 | Paralelo | - | |||||
| MT53D512M32D2DS-046 WT: F | 30.7500 | | 4687 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53D512M32D2DS-046WT: F | 136 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | |||||||
| MT46H16M32LFBQ-5 AAT: C TR | 7.3000 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT46H16M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 5 ns | Dracma | 16m x 32 | Paralelo | 15ns | |||
| MT52L4DAPQ-DC | - | | 6647 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | MT52L4 | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.134 | |||||||||||||||||||
| MT4A1G16KNR-75: E | - | | 8411 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | MT4A1 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1.020 |
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