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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT61K512M32KPA-14C: B | - |  | 8000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 180-TFBGA | MT61K512 | SGRAM - GDDR6 | 1.31V ~ 1.391V | 180-FBGA (12x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 557-MT61K512M32KPA-14C: B | Obsoleto | 1.260 | 7 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | |||||
 | MTFC128Gasaons-It | 78.4500 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | MTFC128 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.520 | 52 MHz | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | UFS2.1 | - | |||
| MTFC32Gasaons-It | 28.0200 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | Mtfc32g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.520 | 52 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | MMC | - | |||
 | MT62F1G64D8CH-031 WT: B | 37.2450 | | 9208 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT62F1G64 | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT62F1G64D8CH-031WT: B | 1.190 | 3.2 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | - | - | ||||
 | MT53E384M32D2FW-046 AAT: E TR | - | | 1506 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | MT53E384 | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E384M32D2FW-046AAT: ETRTB | Obsoleto | 1 | 1.066 GHz | Volante | 12 gbit | 3.5 ns | Dracma | 384m x 32 | Paralelo | 18ns | ||||
 | MTFC64GAZAQHD-AT TR | 38.9100 | | 8270 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | MTFC64 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-vfbga (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MTFC64GAZAQHD-ATTR | 1 | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | EMMC | - | |||||
| MTFC128GAZAQJP-AAT TR | 73.9500 | | 3752 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | MTFC128 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-vfbga (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MTFC128GAZAQJP-AATTR | 1 | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | EMMC | - | |||||
| MTFC64GAZAQHD-AAT | 38.9100 | | 7567 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | MTFC64 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-vfbga (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MTFC64GAZAQHD-AAT | 1 | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | EMMC | - | |||||
 | MT40A4G8NEA-062E: F TR | 52.5000 | | 2805 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A4G8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT40A4G8NEA-062E: FTR | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 32 GBIT | 13.75 ns | Dracma | 4g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT53E512M64D2HJ-046 WT: B | 34.6500 | | 5535 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-TFBGA | MT53E512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E512M64D2HJ-046WT: B | 1 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 512m x 64 | Paralelo | 18ns | ||||
 | MT40A2G8JC-062E IT: E TR | - | | 5736 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (9x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 557-MT40A2G8JC-062EIT: ETR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 2G x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT40A2G8SA-062E IT: F TR | 14.9550 | | 4562 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT40A2G8SA-062EIT: FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 2G x 8 | Paralelo | 15ns | |
 | MT40A1G16TB-062E IT: F | 14.9550 | | 8827 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT40A1G16TB-062EIT: F | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 1g x 16 | Paralelo | 15ns | |
 | MT40A512M16TD-062E AIT: R | - | | 8788 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13) | - | Alcanzar sin afectado | 557-mt40a512m16td-062eait: r | 1 | 1.6 GHz | Volante | 8 gbit | 19 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 15ns | ||||||
| MT40A1G8AG-062E AIT: R TR | - | | 7899 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT40A1G8AG-062EAIT: RTR | 1 | ||||||||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AUT: C | - | | 7681 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1G32D2FW-046AUT: C | 1 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | 18ns | |||||||
| MT53E768M32D2FW-046 WT: C TR | 24.0600 | | 2692 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 557-MT53E768M32D2FW-046WT: CTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||
 | MT53E1536M32D4DE-046 AIT: C | 36.5850 | | 8932 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 557-MT53E1536M32D4DE-046AIT: C | 1 | 2.133 GHz | Volante | 48 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 1.5GX 32 | Paralelo | 18ns | ||||||
| MT53E768M32D2FW-046 WT: C | 24.0600 | | 3702 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 557-MT53E768M32D2FW-046WT: C | 1 | ||||||||||||||||||||
| MT53E1G32D4NQ-046 WT: F | - | | 2861 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 200-vfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 557-MT53E1G32D4NQ-046WT: F | Obsoleto | 1 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | - | |||||||
| MT53E768M64D4HJ-046 AIT: A | - | | 3796 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | ROHS3 Cumplante | 557-MT53E768M64D4HJ-046AIT: A | Obsoleto | 1 | 2.133 GHz | Volante | 48 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 768m x 64 | Paralelo | 18ns | |||||
| MT53E128M32D2FW-046 IT: A | 7.4714 | | 9836 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E128M32D2FW-046IT: A | 1 | 2.133 GHz | Volante | 4 gbit | 3.5 ns | Dracma | 128m x 32 | Paralelo | 18ns | |||||||
| MT62F2G64D8EK-023 AIT: B | 114.9600 | | 8262 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-023AIT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 2G x 64 | Paralelo | - | ||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 WT: A | 47.4300 | | 7967 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E2G32D4DE-046WT: A | 1 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 2G x 32 | Paralelo | 18ns | |||||||
| MT62F1G32D2DS-026 WT: C TR | 22.8450 | | 7250 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-026WT: CTR | 2,000 | 3.2 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | - | ||||||||
| MT62F768M64D4BG-036 WT: A | - | | 7263 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F768M64D4BG-036WT: A | Obsoleto | 1 | 2.75 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 768m x 64 | Paralelo | - | |||||||
| MTFC64GBCAVTC-AAT ES TR | 38.4600 | | 5345 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MTFC64GBCAVTC-AATESTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | MT25Qu256ABA8E12-Maat TR | 5.4450 | | 9830 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 1.7v ~ 2v | 24-T-PBGA (6x8) | - | 557-MT25Qu256ABA8E12-Maattr | 2,000 | 166 MHz | No Volátil | 256Mbit | 5 ns | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | 1.8ms | |||||||
| MT40A256M16LY-062E: F TR | 8.3250 | | 8360 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13.5) | descascar | 557-MT40A256M16LY-062E: FTR | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | 19 ns | Dracma | 256m x 16 | Vana | 15ns | |||||||
| MT29F4T08EMLCHD4-M: C TR | 83.9100 | | 4502 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F4T08EMLCHD4-M: CTR | 2,000 |
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