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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Otros nombres | ECCN | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F4T08EMLCHD4-QC: C TR | 83.9100 |  | 3296 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F4T08EMLCHD4-QC: CTR | 2,000 | |||||||||||||||||
| MT29F4T08EULEEM4-R: E | 85.8150 | | 9302 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 132-BGA | Flash - Nand (TLC) | 2.6V ~ 3.6V | 132-lbga (12x18) | - | 557-MT29F4T08EULEEM4-R: E | 1 | No Volátil | 4tbit | Destello | 512g x 8 | Paralelo | - | |||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 AUT: C TR | 103.8600 | | 6961 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046AUT: CTR | 2,000 | |||||||||||||||||
| MT29F8G08ABBCAM71M3WC1L | 7.3700 | | 1032 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | - | - | 557-MT29F8G08ABBCAM71M3WC1L | 1 | No Volátil | 8 gbit | 25 ns | Destello | 1g x 8 | Onde | 25ns | ||||
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| MT62F2G64D8EK-023 AAT: C TR | 126.4350 | | 4477 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-023AAT: CTR | 2,000 | 4.266 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 2G x 64 | Paralelo | - | ||||
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