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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Otros nombres | ECCN | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT62F1536M64D8EK-023 WT: B | 67.8450 |  | 6330 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023WT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5GX 64 | Paralelo | - | |||
| MT61M512M32KPA-14 NIT: C TR | 46.3200 | | 2356 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT61M512M32KPA-14NIT: CTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT62F3G32D8DV-023 WT: B | 67.8450 | | 1304 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-023WT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 3G x 32 | Paralelo | - | |||
| MT53E1536M64D8HJ-046 AAT: B TR | 92.1450 | | 7947 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 556-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046AAT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5mx 64 | - | - | |||
| MT62F1536M32D4DS-023 IT: B | 37.6950 | | 8394 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1536M32D4DS-023IT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 1.5GX 32 | Paralelo | - | |||
| MT62F1G64D4EK-023 WT: C | 68.0400 | | 3224 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D4EK-023WT: C | 1 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | Paralelo | - | |||
| MT29F2T08EMLCEJ4-QJ: C | 60.5400 | | 4072 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F2T08EMLCEJ4-QJ: C | 1 | ||||||||||||||||
| MT62F2G64D8EK-023 FAAT: B TR | 126.4350 | | 3972 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT62F2G64D8EK-023FAAT: BTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT62F1G64D8EK-031 AAT: B | 62.0700 | | 1191 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D8EK-031AAT: B | 1 | 3.2 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | Paralelo | - | |||
| Mtfc16gapalgt-s1 it tr | 17.6400 | | 9118 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | - | - | 557-MTFC16GAPALGT-S1ITTR | 2,000 | 200 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||
| MTFC64Gasaons-AT | 37.6950 | | 7651 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q104 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC64Gasaons-AT | 1 | 52 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | UFS2.1 | - | |||
| Mt40a2g8va-062e it: b tr | - | | 8812 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (10x11) | - | 557-MT40A2G8VA-062EIT: BTR | Obsoleto | 3.000 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 2G x 8 | Vana | 15ns | |
| MT29F512G08EBLEEJ4-QJ: E TR | 13.2450 | | 7551 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F512G08EBLEEJ4-QJ: ETR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AAT: A TR | 63.1350 | | 4881 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | 557-MT53E2G32D4DE-046AAT: ATR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 2G x 32 | Paralelo | 18ns | ||
| MT29F1T08EELGEJ4-ITF: G | 38.2050 | | 2236 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F1T08EELGEJ4-ITF: G | 1 | ||||||||||||||||
| Mt29f8t08eslceg4-r: c | 242.1750 | | 2295 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-mt29f8t08eslceg4-r: c | 1 | ||||||||||||||||
| MT62F2G32D4DS-023 WT: B TR | 45.6900 | | 8317 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023WT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | Paralelo | - | |||
| MT62F1536M64D8EK-026 WT: B | 67.8450 | | 1890 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-026WT: B | 1 | 3.2 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5GX 64 | - | - | |||
| MT29F1T08EELEJ4-T: E TR | 21.4500 | | 3628 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 132-VBGA | Flash - Nand (TLC) | 2.6V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-MT29F1T08EELEJ4-T: ETR | 2,000 | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT61M256M32JE-12 NIT: A | - | | 7034 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 180-TFBGA | SGRAM - GDDR6 | 1.2125V ~ 1.325V | 180-FBGA (12x14) | descascar | 557-MT61M256M32JE-12NIT: A | Obsoleto | 1 | 6 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | Pod125 | - | ||
 | MT53E512M32D1ZW-046 AAT: B TR | 17.7000 | | 1988 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E512M32D1ZW-046AAT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | 3.5 ns | Dracma | 512m x 32 | Paralelo | 18ns | ||
| MT62F1G64D4EK-026 WT: C TR | 68.0400 | | 1407 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT62F1G64D4EK-026WT: CTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J | 9.9000 | | 2715 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 149-WFBGA | Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 149-WFBGA (8x9.5) | - | 557-MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J | 1 | No Volátil, Volátil | 4 gbit | 25 ns | Flash, ram | 512m x 8 | Onde | 30ns | |||
| MTFC256GaxAUEA-WT | 27.5700 | | 9272 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 153-WFBGA | Flash - Nand (SLC) | - | 153-WFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC256GaxAUEA-WT | 1 | No Volátil | 2Tbit | Destello | 256g x 8 | UFS | - | ||||
| MT62F2G32D4DS-023 WT: C | 45.6900 | | 1443 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023WT: C | 1 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | Paralelo | - | |||
| MT29F2T08EMLEEJ4-QD: E | 52.9800 | | 8139 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QD: E | 1 | ||||||||||||||||
| MT62F1536M64D8EK-023 AAT: B TR | 94.8300 | | 1518 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023AAT: BTR | 1.500 | 4.266 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5GX 64 | Paralelo | - | |||
| MT29F16T08GWLCEM5: C TR | 312.5850 | | 9743 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F16T08GWLCEM5: CTR | 1.500 | ||||||||||||||||
| MT60B1G16HC-48B: A | 16.5750 | | 5069 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 102-vfbga | SDRAM - DDR5 | - | 102-vfbga (9x14) | - | 557-MT60B1G16HC-48B: A | 1 | 2.4 GHz | Volante | 16 gbit | 16 ns | Dracma | 1g x 16 | Paralelo | - | ||
| MT62F1536M64D8EK-023 WT ES: B | 122.7600 | | 1987 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023WTES: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5GX 64 | Paralelo | - |
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