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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT53D384M32D2DS-046 AAT:C Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 AAT: C -
RFQ
 ECAD 8412 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53D384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.360 2.133 GHz Volante 12 gbit Dracma 384m x 32 - -
MT42L256M16D1GU-18 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L256M16D1GU-18 WT: A TR -
RFQ
 ECAD 4402 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 134-WFBGA MT42L256M16 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.3V 134-FBGA (10x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 533 MHz Volante 4 gbit Dracma 256m x 16 Paralelo -
MT53D1G64D8NW-046 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NW-046 WT ES: E TR -
RFQ
 ECAD 7636 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D1G64 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 2.133 GHz Volante 64 GBIT Dracma 1g x 64 - -
M58WR032KL70ZA6U TR Micron Technology Inc. M58WR032KL70ZA6U TR -
RFQ
 ECAD 1711 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 44-vfbga M58WR032 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 44-vfbga (7.5x5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 66 MHz No Volátil 32Mbit 70 ns Destello 2m x 16 Paralelo 70ns
MT41K128M8JP-125:G TR Micron Technology Inc. MT41K128M8JP-125: G TR -
RFQ
 ECAD 7007 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41K128M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 800 MHz Volante 1 gbit 13.75 ns Dracma 128m x 8 Paralelo -
MTFC64GAZAQHD-AIT Micron Technology Inc. MTFC64GAZAQHD-AT 38.9100
RFQ
 ECAD 1220 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 153-vfbga MTFC64 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 153-vfbga (11.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MTFC64GAZAQHD-AT 1 No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 EMMC -
MT48LC2M32B2B5-7 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2B5-7 IT: G TR -
RFQ
 ECAD 1062 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT48LC2M32B2 Sdram 3V ~ 3.6V 90-vfbga (8x13) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 143 MHz Volante 64 Mbbit 5.5 ns Dracma 2m x 32 Paralelo 14ns
MT48LC64M8A2P-75 IT:C TR Micron Technology Inc. MT48LC64M8A2P-75 IT: C TR -
RFQ
 ECAD 8075 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC64M8A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 133 MHz Volante 512Mbit 5.4 ns Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-053 AAT: D 39.1050
RFQ
 ECAD 1143 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 200-vfbga MT53D1024 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.360 1.866 GHz Volante 32 GBIT Dracma 1g x 32 - -
NAND128W3A2BN6F TR Micron Technology Inc. Nand128w3a2bn6f tr -
RFQ
 ECAD 3759 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) Nand128 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.500 No Volátil 128 Mbbit 50 ns Destello 16m x 8 Paralelo 50ns
MT25QL128ABB8ESF-CSIT Micron Technology Inc. MT25QL128ABB8ESF-CSIT 3.5374
RFQ
 ECAD 5502 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -791-mt25ql128abb8esf-csit 1.440 133 MHz No Volátil 128 Mbbit 5 ns Destello 16m x 8 SPI - Quad I/O 1.8ms
N25Q064A13ESF42F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13ESF42F TR -
RFQ
 ECAD 9602 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) N25Q064A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SO - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 16m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT40A512M8RH-062E:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-062E: B TR -
RFQ
 ECAD 4538 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz Volante 4 gbit Dracma 512m x 8 Paralelo -
MT29F16T08GWLCEM5:C Micron Technology Inc. MT29F16T08GWLCEM5: C 312.5850
RFQ
 ECAD 3945 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F16T08GWLCEM5: C 1
MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PD-107 WT ES: B TR -
RFQ
 ECAD 6423 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT52L256 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.2V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 933 MHz Volante 8 gbit Dracma 256m x 32 - -
MT29F4T08GMLCEJ4-QA:C TR Micron Technology Inc. MT29F4T08GMLCEJ4-QA: C TR 78.1500
RFQ
 ECAD 7658 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT29F4T08GMLCEJ4-QA: CTR 2,000
MT58L64L18PT-10 Micron Technology Inc. MT58L64L18PT-10 7.1900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP Sram - Estándar 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 3A991B2B 8542.32.0041 1 100 MHz Volante 1 mbit 5 ns Sram 64k x 18 Paralelo -
MT29F512G08CKECBH7-12:C Micron Technology Inc. MT29F512G08CKECBH7-12: C -
RFQ
 ECAD 8447 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 152-TBGA MT29F512G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 980 83 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
M25P80-VMN3TP/4 TR Micron Technology Inc. M25P80-VMN3TP/4 TR -
RFQ
 ECAD 7289 0.00000000 Micron Technology Inc. - Cinta de Corte (CT) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) M25P80 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2.500 75 MHz No Volátil 8mbit Destello 1m x 8 SPI 15 ms, 5 ms
N25Q064A13E12A0F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13E12A0F TR -
RFQ
 ECAD 4279 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa N25Q064A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 2.500 108 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 16m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MTFC8GLGDM-AIT Z Micron Technology Inc. Mtfc8glgdm-it z -
RFQ
 ECAD 2463 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 153-TFBGA MTFC8 Flash - nand 1.65V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.520 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 MMC -
MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-F Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-F 8.1100
RFQ
 ECAD 5650 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-F 1
MT41J256M16LY-091G:N TR Micron Technology Inc. MT41J256M16LY-091G: N TR -
RFQ
 ECAD 5857 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41J256M16 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (7.5x13.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 2,000 1 GHz Volante 4 gbit Dracma 256m x 16 Paralelo -
MTFC16GAKAEEF-AAT TR Micron Technology Inc. MTFC16GAKAEEF-AAT TR -
RFQ
 ECAD 5901 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 169-TFBGA MTFC16 Flash - nand - 169-TFBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 MMC -
M29W256GL70N6E Micron Technology Inc. M29W256GL70N6E -
RFQ
 ECAD 1131 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W256 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 576 No Volátil 256Mbit 70 ns Destello 32m x 8, 16m x 16 Paralelo 70ns
MT53D512M32D2NP-046 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 WT ES: D TR -
RFQ
 ECAD 6937 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 - -
MT48H32M16LFB4-6 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT48H32M16LFB4-6 AAT: C TR -
RFQ
 ECAD 1234 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48H32M16 SDRAM - LPSDR MÓVIL 1.7V ~ 1.95V 54-vfbga (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0028 1,000 166 MHz Volante 512Mbit 5 ns Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT29RZ4C4DZZHGPL-18 W.80U Micron Technology Inc. MT29RZ4C4DZZHGPL-18 W.80U -
RFQ
 ECAD 8411 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto MT29RZ4 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT29TZZZAD7EKKFB-107 W.97R TR Micron Technology Inc. Mt29tzzzad7ekkfb-107 w.97r tr -
RFQ
 ECAD 3643 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000
N25Q512A11G1240F TR Micron Technology Inc. N25Q512A11G1240F TR -
RFQ
 ECAD 9241 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa N25Q512A11 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 24-T-PBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 2.500 108 MHz No Volátil 512Mbit Destello 128m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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