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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT47H64M16U88BWC1 | - |  | 3667 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | - | MT47H64M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 | Volante | 1 gbit | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | ||||||||||
| MT53B128M32D1Z00NEC2 | - | | 4384 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | - | - | ||||||
| MT53B192M32D1Z0AMWC1 | - | | 2800 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B192 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | Volante | 6 gbit | Dracma | 192m x 32 | - | - | ||||||
| MT53B512M16D1Z11MWC2 MS | - | | 1385 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Descontinuado en sic | MT53B512 | - | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MT29F256G08CECEBJ4-37ITRES: E TR | - | | 1306 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 2,000 | 267 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||||
| MT53B768M64D8WF-062 WT ES: D TR | - | | 1004 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 768m x 64 | - | - | |||||
| MT53D4DBSB-DC TR | - | | 9447 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | MT53D4 | - | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 2,000 | |||||||||||||||||||
| Mtfc16gapalna-aat es tr | - | | 4044 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | MTFC16 | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
| MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.8D TR | - | | 4499 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | MT29RZ4 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||
| MT4A1G16KNR-75: E TR | - | | 1640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | MT4A1 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 2,000 | |||||||||||||||||
| MT29F256G08CMCGBJ4-37R: G TR | - | | 4916 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT29F256G08CMCGBJ4-37R: GTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 267 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||
| MT29F256G08CECEBJ4-37ITRES: E | - | | 1286 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1.120 | 267 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||||
| MT29VZZZ7C8DQFSL-046 W.9J8 | - | | 6656 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | Mt29vzzz7 | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.520 | ||||||||||||||||||
| MT52L256M32D1PU-107 WT: B | - | | 2397 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT52L256 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.2V | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.008 | 933 MHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | - | - | |||||||
| MT29F4G08ABAEAM70M3WC1 | - | | 2488 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | MT29F4G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | Morir | - | Obsoleto | 1 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 512m x 8 | Paralelo | - | ||||||||
 | MT29F2G08ABAFAH4-IT: F | - | | 9052 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F2G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.260 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Paralelo | - | |||||
| MT29TZZZ8D6DKEZB-107 W.9H6 | - | | 9639 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 221-WFBGA | Mt29tzzz8 | Flash - Nand, DRAM - LPDDR3 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 221-WFBGA (13x11.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT29TZZZ8D6DKEZB-107W.9H6 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.520 | 933 MHz | No Volátil, Volátil | 128Gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR3) | Flash, ram | 16g x 8 (nand), 256m x 32 (LPDDR3) | MMC, LPDRAM | - | |||
 | MT41K256M16TW-107: P TR | 5.2703 | | 3454 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT41K256M16TW-107: PTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | - | |
 | MT53D1024M32D4DT-046 WT: D TR | - | | 6930 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53D1024M32D4DT-046WT: DTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | - | - | ||
 | MT53D512M16D1DS-046 WT: D TR | 7.7400 | | 8057 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53D512M16D1DS-046WT: DTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 512m x 16 | - | - | ||
| MT53D512M32D2DS-046 WT: D TR | - | | 9879 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53D512M32D2DS-046WT: DTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | |||
| MT53D512M32D2DS-053 AUT: D TR | 21.9750 | | 3913 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53D512M32D2DS-053AUT: DTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | ||
| MT53D512M64D4HR-053 WT: D TR | - | | 5859 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 366-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA (12x12.7) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53D512M64D4HR-053WT: DTR | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | ||
| MT53D512M64D8HR-053 WT: B TR | - | | 3728 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 366-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA (12x12.7) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53D512M64D8HR-053WT: BTR | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | |||
| MT53E128M16D1DS-046 AIT: A TR | - | | 6212 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53E128M16D1DS-046AIT: ATR | Obsoleto | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 2 GBIT | Dracma | 128m x 16 | - | - | |||||||
| MT53E128M16D1DS-046 WT: A TR | - | | 7573 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53E128M16D1DS-046WT: ATR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 2 GBIT | Dracma | 128m x 16 | - | - | ||||||
| MT53E128M16D1DS-053 AAT: A TR | - | | 8911 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53E128M16D1DS-053AAT: ATR | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 2 GBIT | Dracma | 128m x 16 | - | - | ||||||
| MT53E128M16D1DS-053 WT: A TR | - | | 4200 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53E128M16D1DS-053WT: ATR | Obsoleto | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 2 GBIT | Dracma | 128m x 16 | - | - | |||||||
| MT53E128M32D2DS-046 AUT: A TR | 8.7450 | | 3688 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E128M32D2DS-046AUT: ATR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | - | - | ||
| MT53E128M32D2DS-053 AIT: A TR | 7.9500 | | 1146 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E128M32D2DS-053AIT: ATR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | - | - |
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