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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT47H1G4WTR-25E:C Micron Technology Inc. MT47H1G4WTR-25E: C -
RFQ
 ECAD 1912 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 63-FBGA Mt47h1g4 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 63-FBGA (9x11.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.320 400 MHz Volante 4 gbit 400 ps Dracma 1g x 4 Paralelo 15ns
MT29F4T08GMLCEJ4-QA:C TR Micron Technology Inc. MT29F4T08GMLCEJ4-QA: C TR 78.1500
RFQ
 ECAD 7658 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT29F4T08GMLCEJ4-QA: CTR 2,000
MT58L64L18PT-10 Micron Technology Inc. MT58L64L18PT-10 7.1900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP Sram - Estándar 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 3A991B2B 8542.32.0041 1 100 MHz Volante 1 mbit 5 ns Sram 64k x 18 Paralelo -
MT62F2G32D4DS-026 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-026 AIT: B TR 58.0650
RFQ
 ECAD 4615 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 95 ° C Montaje en superficie 200 WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F2G32D4DS-026AIT: BTR 2,000 3.2 GHz Volante 64 GBIT Dracma 2G x 32 Paralelo -
MT29F16T08GWLCEM5:C Micron Technology Inc. MT29F16T08GWLCEM5: C 312.5850
RFQ
 ECAD 3945 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F16T08GWLCEM5: C 1
MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F1HT08ELCBBG1-37ES: B TR -
RFQ
 ECAD 3256 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 272-vfbga MT29F1HT08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 272-VBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz No Volátil 1.5tbit Destello 192G x 8 Paralelo -
PC28F00AG18AE Micron Technology Inc. PC28F00AG18AE -
RFQ
 ECAD 8570 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Tubo Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 64-TBGA PC28F00A Flash - Ni 1.7v ~ 2v 64-Easybga (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1.800 133 MHz No Volátil 1 gbit 96 ns Destello 64m x 16 Paralelo 96ns
MT62F2G64D8EK-023 AUT:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 AUT: C TR 145.4250
RFQ
 ECAD 9919 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT62F2G64D8EK-023AUT: CTR 2,000
M29F200BB70N6 Micron Technology Inc. M29F200BB70N6 -
RFQ
 ECAD 4810 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29F200 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 48-TSOP - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 96 No Volátil 2 mbit 70 ns Destello 256k x 8, 128k x 16 Paralelo 70ns
MT25QL128ABB1EW7-CSIT Micron Technology Inc. MT25QL128ABB1EW7-CSIT -
RFQ
 ECAD 7252 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn MT25QL128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-WPDFN (6x5) (MLP8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -791-MT25QL128ABB1EW7-CSIT 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 133 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-ATX: E TR -
RFQ
 ECAD 6459 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F2G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1,000 No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 Paralelo -
MT29F8G08ADADAH4:D TR Micron Technology Inc. Mt29f8g08adadah4: d tr -
RFQ
 ECAD 5881 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F8G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 8 gbit Destello 1g x 8 Paralelo -
BK58F0094HVX000A Micron Technology Inc. Bk58f0094hvx000a -
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto - - - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 270
MTFC8GLVEA-1F WT Micron Technology Inc. MTFC8GLVEA-1F WT -
RFQ
 ECAD 2362 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Banda Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 153-WFBGA MTFC8 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 MMC -
N25Q512A81GSF40F TR Micron Technology Inc. N25Q512A81GSF40F TR -
RFQ
 ECAD 2196 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) N25Q512A81 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 16-SO - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 108 MHz No Volátil 512Mbit Destello 128m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT29F4G08ABADAH4-ITX:D Micron Technology Inc. Mt29f4g08abadah4-itx: D -
RFQ
 ECAD 9045 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F4G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.260 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
MTFC4GLUDM-AIT Micron Technology Inc. Mtfc4gludm-it -
RFQ
 ECAD 4664 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 169-TFBGA Mtfc4 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 169-TFBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 32 GBIT Destello 4g x 8 MMC -
MT53E384M32D2DS-053 WT:E Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-053 WT: E 12.3100
RFQ
 ECAD 7534 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53E384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT53E384M32D2DS-053WT: E EAR99 8542.32.0036 1.360 1.866 GHz Volante 12 gbit Dracma 384m x 32 - -
M58LT128KST7ZA6E Micron Technology Inc. M58LT128KST7ZA6E -
RFQ
 ECAD 4168 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA M58LT128 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 64-TBGA (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 MHz No Volátil 128 Mbbit 70 ns Destello 8m x 16 Paralelo 70ns
MT29F8G01ADBFD12-AATES:F Micron Technology Inc. MT29F8G01ADBFD12-AATES: F -
RFQ
 ECAD 7195 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie MT29F8G01 Flash - Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-T-PBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.122 No Volátil 8 gbit Destello 8g x 1 SPI -
MT29F1T08EEHBFJ4-T:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EEHBFJ4-T: B TR -
RFQ
 ECAD 3359 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F1T08 Flash - Nand (TLC) 1.7V ~ 1.95V 132-VBGA (12x18) - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MT29F1T08EEHBFJ4-T: BTR Obsoleto 8542.32.0071 1,000 No Volátil 1Tbit Destello 128g x 8 Paralelo -
MT47H32M16HR-25E L:G TR Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-25E L: G TR -
RFQ
 ECAD 9038 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 400 MHz Volante 512Mbit 400 ps Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT48H8M16LFB4-6 IT:K Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-6 IT: K -
RFQ
 ECAD 5446 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48H8M16 SDRAM - LPSDR MÓVIL 1.7V ~ 1.95V 54-vfbga (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 166 MHz Volante 128 Mbbit 5 ns Dracma 8m x 16 Paralelo 15ns
MT29F4G08ABBEAM70M3WC1 Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBEAM70M3WC1 -
RFQ
 ECAD 6814 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie Morir MT29F4G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V Morir - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
MT46V32M4P-5B:D Micron Technology Inc. MT46V32M4P-5B: D -
RFQ
 ECAD 6556 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) Mt46v32m4 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 200 MHz Volante 128 Mbbit 700 PS Dracma 32m x 4 Paralelo 15ns
TE28F256P30T95A Micron Technology Inc. TE28F256P30T95A -
RFQ
 ECAD 6629 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) 28F256P30 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 56-TSOP descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 96 40 MHz No Volátil 256Mbit 95 ns Destello 16m x 16 Paralelo 95ns
MT62F1536M64D8EK-023 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-023 AUT: B TR 109.0500
RFQ
 ECAD 2022 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 441-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1536M64D8EK-023AUT: BTR 1.500 4.266 GHz Volante 96 GBIT Dracma 1.5GX 64 Paralelo -
MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR Micron Technology Inc. MT48H16M32LFCM-6 L IT: B TR -
RFQ
 ECAD 2514 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT48H16M32 SDRAM - LPSDR MÓVIL 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 166 MHz Volante 512Mbit 5 ns Dracma 16m x 32 Paralelo 15ns
MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110 TR Micron Technology Inc. MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110 TR -
RFQ
 ECAD 6545 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo MT29AZ2 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110TR 1,000
MT41K512M16TNA-125:E Micron Technology Inc. MT41K512M16TNA-125: E -
RFQ
 ECAD 7244 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (10x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 800 MHz Volante 8 gbit 13.5 ns Dracma 512m x 16 Paralelo -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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