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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT29F8G08ADBDAH4-IT:D TR Micron Technology Inc. Mt29f8g08adbdah4-it: d tr -
RFQ
 ECAD 3575 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F8G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 8 gbit Destello 1g x 8 Paralelo -
MT48H32M16LFCJ-75:A TR Micron Technology Inc. MT48H32M16LFCJ-75: A TR -
RFQ
 ECAD 2499 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48H32M16 SDRAM - LPSDR MÓVIL 1.7V ~ 1.95V 54-vfbga (10x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 133 MHz Volante 512Mbit 6 ns Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
N25Q008A11ESC40F TR Micron Technology Inc. N25Q008A11esc40f TRA -
RFQ
 ECAD 2539 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) N25Q008A11 Flash - Ni 1.7v ~ 2v - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2.500 108 MHz No Volátil 8mbit Destello 1m x 8 SPI 8 ms, 5 ms
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR Micron Technology Inc. MT29RZ4B2DZZHTB-18I.80F TR -
RFQ
 ECAD 5978 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 162-vfbga MT29RZ4B2 Flash - Nand, DRAM - LPDDR2 1.8V 162-vfbga (10.5x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 533 MHz No Volátil, Volátil 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDDR2) Flash, ram 128m x 32 (NAND), 64m x 32 (LPDDR2) Paralelo -
MT25QL128ABA8E14-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABA8E14-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 7383 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa MT25QL128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 133 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MTFC4GMVEA-IT TR Micron Technology Inc. Mtfc4gmvea-it tr -
RFQ
 ECAD 1784 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 153-WFBGA Mtfc4 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 32 GBIT Destello 4g x 8 MMC -
MTFC128GAOANAM-WT TR Micron Technology Inc. MTFC128GAOANAM-WT TR -
RFQ
 ECAD 6076 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic MTFC128 - Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1,000
N25Q032A13ESEH0F TR Micron Technology Inc. N25q032a13eseh0f tr -
RFQ
 ECAD 6232 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) N25Q032A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SO - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.500 108 MHz No Volátil 32Mbit Destello 8m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
M29W400DB45N6E Micron Technology Inc. M29W400DB45N6E -
RFQ
 ECAD 6284 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W400 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0071 96 No Volátil 4mbit 45 ns Destello 512k x 8, 256k x 16 Paralelo 45ns
MT62F2G32D4DS-023 AUT:C Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 AUT: C 73.4400
RFQ
 ECAD 5114 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT62F2G32D4DS-023AUT: C 1
MT48LC8M16A2P-7E:L TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-7E: L TR -
RFQ
 ECAD 2427 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC8M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 133 MHz Volante 128 Mbbit 5.4 ns Dracma 8m x 16 Paralelo 14ns
MT47H256M8EB-25E:C TR Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-25E: C TR 11.4150
RFQ
 ECAD 6589 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 60-TFBGA MT47H256M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (9x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 400 MHz Volante 2 GBIT 400 ps Dracma 256m x 8 Paralelo 15ns
MT48H4M32LFB5-6 IT:K Micron Technology Inc. MT48H4M32LFB5-6 IT: K -
RFQ
 ECAD 6829 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT48H4M32 SDRAM - LPSDR MÓVIL 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (8x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 166 MHz Volante 128 Mbbit 5 ns Dracma 4m x 32 Paralelo 15ns
MT29F8G08ABABAWP-ITX:B TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ABABAWP-ITX: B TR -
RFQ
 ECAD 2016 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F8G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 8 gbit Destello 1g x 8 Paralelo -
EDBM432B3PF-1D-F-D Micron Technology Inc. EDBM432B3PF-1D-FD -
RFQ
 ECAD 3615 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 168-vfbga Edbm432 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 168-FBGA (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.680 533 MHz Volante 12 gbit Dracma 384m x 32 Paralelo -
MT29F4G08ABAFAWP-ITES:F TR Micron Technology Inc. Mt29f4g08abafawp-its: f tr -
RFQ
 ECAD 2271 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F4G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
M25PX16SOVZM6TP TR Micron Technology Inc. M25PX16SOVZM6TP TR -
RFQ
 ECAD 9258 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa M25PX16 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2.500 75 MHz No Volátil 16mbit Destello 2m x 8 SPI 15 ms, 5 ms
MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-125 M AIT: E TR -
RFQ
 ECAD 7432 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 2,000 800 MHz Volante 4 gbit 13.75 ns Dracma 512m x 8 Paralelo -
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53B1024M64D8PM-062 WT: D TR -
RFQ
 ECAD 3404 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B1024 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz Volante 64 GBIT Dracma 1g x 64 - -
MT62F1536M32D4DS-026 AIT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-026 AIT: B 43.5300
RFQ
 ECAD 6163 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo - Montaje en superficie 200 WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 - 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1536M32D4DS-026AIT: B 1 3.2 GHz Volante 48 GBIT Dracma 1.5GX 32 Paralelo -
M25PE80-VMW6TG TR Micron Technology Inc. M25PE80-VMW6TG TR -
RFQ
 ECAD 1118 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) M25PE80 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SO W descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 1.500 75 MHz No Volátil 8mbit Destello 1m x 8 SPI 15 ms, 3 ms
MT62F1536M64D8CH-031 WT:A Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8CH-031 WT: A -
RFQ
 ECAD 9047 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - 557-MT62F1536M64D8CH-031WT: A Obsoleto 1 3.2 GHz Volante 96 GBIT Dracma 1.5GX 64 Paralelo -
MT29F1G16ABBDAH4-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBDAH4-IT: D TR -
RFQ
 ECAD 1273 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F1G16 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 1 gbit Destello 64m x 16 Paralelo -
MTFC8GLWDQ-3L AIT A TR Micron Technology Inc. Mtfc8glwdq-3l ait a tr -
RFQ
 ECAD 9286 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 100 lbGa MTFC8 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 100 lbGa (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 557-MTFC8GLWDQ-3LAITATR Obsoleto 1,000 52 MHz No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 EMMC -
M29W800FT70N3F TR Micron Technology Inc. M29W800FT70N3F TR -
RFQ
 ECAD 2543 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W800 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 1.500 No Volátil 8mbit 70 ns Destello 1m x 8, 512k x 16 Paralelo 70ns
MT41J256M8DA-107:K TR Micron Technology Inc. MT41J256M8DA-107: K TR -
RFQ
 ECAD 7895 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41J256M8 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 933 MHz Volante 2 GBIT 20 ns Dracma 256m x 8 Paralelo -
MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT Micron Technology Inc. Mt29c4g48mazbaakq-5 wt -
RFQ
 ECAD 2658 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 168-WFBGA MT29C4G48 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz No Volátil, Volátil 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) Flash, ram 256m x 16 (nand), 128m x 16 (LPDRAM) Paralelo -
MT40A1G8WE-075E:D Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-075E: D -
RFQ
 ECAD 1954 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (8x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.140 1.33 GHz Volante 8 gbit Dracma 1g x 8 Paralelo -
MT53E768M32D2FW-046 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D2FW-046 WT ES: C TR 24.0600
RFQ
 ECAD 6456 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT53E768M32D2FW-046WTES: CTR 2,000
MTFC4GACAAAM-1M WT Micron Technology Inc. MTFC4GACAAAM-1M WT -
RFQ
 ECAD 2517 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto Mtfc4 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8523.51.0000 1.520
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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