SIC
close

Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Otros nombres Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT53E1G16D1FW-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E1G16D1FW-046 AAT: A 15.9600
RFQ
 ECAD 6318 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) descascar 557-MT53E1G16D1FW-046AAT: A 1 2.133 GHz Volante 16 gbit 3.5 ns Dracma 1g x 16 Paralelo 18ns
MT62F1G32D2DS-023 IT:C TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 IT: C TR 25.1400
RFQ
 ECAD 2118 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT62F1G32D2DS-023IT: CTR 2,000
MT29F4T08EULCEM4-QJ:C TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EULCEM4-QJ: C TR 121.0800
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT29F4T08EULCEM4-QJ: CTR 2,000
MTFC256GAZAOTD-AIT Micron Technology Inc. Mtfc256gazaotd-it 90.5250
RFQ
 ECAD 6889 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-mtfc256gazaotd-it 1
MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 Micron Technology Inc. MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 20.2200
RFQ
 ECAD 7587 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 149-vfbga Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 149-vfbga (8x9.5) - 557-MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 1 No Volátil, Volátil 8 gbit 25 ns Flash, ram 1g x 8 Onde 30ns
MT29F2T08GELCEJ4-QJ:C Micron Technology Inc. MT29F2T08GELCEJ4-QJ: C 39.0600
RFQ
 ECAD 5527 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F2T08GELCEJ4-QJ: C 1
MT29F8T08EULCHD5-QA:C TR Micron Technology Inc. MT29F8T08EULCHD5-QA: C TR 167.8050
RFQ
 ECAD 5398 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT29F8T08EULCHD5-QA: CTR 2,000
MT29F1T08EELKEJ4-ITF:K Micron Technology Inc. MT29F1T08EELKEJ4-ITF: K 36.9000
RFQ
 ECAD 1779 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F1T08EELKEJ4-ITF: K 1
MT29F512G08EBLGEJ4-ITF:G TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLGEJ4-ITF: G TR 17.6850
RFQ
 ECAD 9523 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT29F512G08EBLGEJ4-ITF: GTR 2,000
MT53E2G64D8TN-046 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E2G64D8TN-046 AAT: A TR 122.8500
RFQ
 ECAD 1909 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 556-LFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 556-LFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E2G64D8TN-046AAT: ATR 2,000 2.133 GHz Volante 128 GBIT 3.5 ns Dracma 2G x 64 Paralelo 18ns
MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 Micron Technology Inc. Mt29gz6a6bpiet-53ait.112 18.3750
RFQ
 ECAD 8592 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 149-vfbga Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 149-vfbga (8x9.5) - 557-MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 1 No Volátil, Volátil 8 gbit 25 ns Flash, ram 1g x 8 Onde 30ns
MT53E1536M64D8HJ-046 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1536M64D8HJ-046 WT: C TR 67.8450
RFQ
 ECAD 5913 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 556-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 - 556-WFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E1536M64D8HJ-046WT: CTR 2,000 2.133 GHz Volante 96 GBIT Dracma 1.5mx 64 - -
MT53E256M32D2FW-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D2FW-046 WT: B TR 11.6400
RFQ
 ECAD 9792 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) descascar 557-MT53E256M32D2FW-046WT: BTR 2,000 2.133 GHz Volante 8 gbit 3.5 ns Dracma 256m x 32 Paralelo 18ns
MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112 Micron Technology Inc. MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112 18.3750
RFQ
 ECAD 9376 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 149-vfbga Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 149-vfbga (8x9.5) - 557-MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112 1 2.133 GHz No Volátil, Volátil 8Gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR4) 25 ns Flash, ram 1G x 8 (NAND), 512M X 16 (LPDDR4) Onde 20ns, 30ns
MT29F1T08EBLCHD4-QA:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EBLCHD4-QA: C TR 20.9850
RFQ
 ECAD 5429 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT29F1T08EBLCHD4-QA: CTR 2,000
MT62F1536M64D8EK-023 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-023 AIT: B TR 86.2050
RFQ
 ECAD 1195 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 95 ° C Montaje en superficie 441-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1536M64D8EK-023AIT: BTR 1.500 4.266 GHz Volante 96 GBIT Dracma 1.5GX 64 Paralelo -
MT60B2G8HS-48B AAT:A TR Micron Technology Inc. MT60B2G8HS-48B AAT: A TR 31.3050
RFQ
 ECAD 2139 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) - - SDRAM - DDR5 - - - 557-MT60B2G8HS-48BAAT: ATR 3.000 2.4 GHz Volante 16 gbit 16 ns Dracma 2G x 8 Vana -
MT29F4T08EQLCEG8-R:C Micron Technology Inc. MT29F4T08EQLCEG8-R: C 121.0800
RFQ
 ECAD 6867 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F4T08EQLCEG8-R: C 1
MTFC64GAXAQEA-WT TR Micron Technology Inc. Mtfc64gaxaqea-wt tr 7.5600
RFQ
 ECAD 1846 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MTFC64GAXAQEA-WTTR 2,000
MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 TR Micron Technology Inc. MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 TR 20.2200
RFQ
 ECAD 2110 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 149-vfbga Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 149-vfbga (8x9.5) - 557-MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112TR 2,000 No Volátil, Volátil 8 gbit 25 ns Flash, ram 1g x 8 Onde 30ns
MT62F4G32D8DV-026 WT:B Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-026 WT: B 90.4650
RFQ
 ECAD 8776 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo -25 ° C ~ 85 ° C - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-026WT: B 1 3.2 GHz Volante 128 GBIT Dracma 4g x 32 Paralelo -
MT62F1G64D4EK-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 WT: B TR 45.6900
RFQ
 ECAD 5908 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 441-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1G64D4EK-023WT: BTR 2,000 2.133 GHz Volante 64 GBIT Dracma 1g x 64 Paralelo -
MTFC128GAVATTC-AIT Micron Technology Inc. MTFC128GAVATTC-AT 56.1900
RFQ
 ECAD 7693 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MTFC128GAVATTC-AT 1
MT40A512M8SA-062E:F TR Micron Technology Inc. MT40A512M8SA-062E: F TR 8.3250
RFQ
 ECAD 7717 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) descascar 557-MT40A512M8SA-062E: FTR 2,000 1.6 GHz Volante 4 gbit 19 ns Dracma 512m x 8 Vana 15ns
MT62F768M64D4ZU-026 WT:B Micron Technology Inc. MT62F768M64D4ZU-026 WT: B 27.9300
RFQ
 ECAD 6515 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo -25 ° C ~ 85 ° C - - MT62F768 SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - 557-MT62F768M64D4ZU-026WT: B 1 3.2 GHz Volante 48 GBIT Dracma 768m x 64 Paralelo -
MT53E1536M64D8HJ-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1536M64D8HJ-046 WT: B TR 69.2400
RFQ
 ECAD 6178 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 556-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 - 556-WFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E1536M64D8HJ-046WT: BTR 2,000 2.133 GHz Volante 96 GBIT Dracma 1.5mx 64 - -
MT40A512M8SA-075:F Micron Technology Inc. MT40A512M8SA-075: F 8.3250
RFQ
 ECAD 5562 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) descascar 557-MT40A512M8SA-075: F 1 1.333 GHz Volante 4 gbit 19 ns Dracma 512m x 8 Vana 15ns
MTFC32GAZAQHD-WT TR Micron Technology Inc. MTFC32GAZAQHD-WT TR 14.3400
RFQ
 ECAD 1213 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Activo -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 153-vfbga Flash - Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 153-vfbga (11.5x13) - 557-MTFC32GAZAQHD-WTTR 2,000 200 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 EMMC_5.1 -
MT29F8T08ESLEEG4-QB:E Micron Technology Inc. Mt29f8t08esleeg4-qb: e 211.8900
RFQ
 ECAD 5592 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-mt29f8t08esleeg4-qb: e 1
MT62F1G64D4ZV-023 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1G64D4ZV-023 WT: B 37.2450
RFQ
 ECAD 7877 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT62F1G64D4ZV-023WT: B 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar