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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT41K256M16TW-107 AIT: P TR | 8.1700 |  | 9844 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | - | ||
 | Nand04gw3b2dn6e | - | | 8672 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Nand04g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -Nand04gw3b2dn6e | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | No Volátil | 4 gbit | 25 ns | Destello | 512m x 8 | Paralelo | 25ns | ||
 | MTFC16GAPALBH-AAT | - | | 1589 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | MTFC16 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.9V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.520 | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H TR | - | | 8902 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | 168-vfbga | 168-vfbga (12x12) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | ||||||||||||||
| M28W640HCT70N6F TR | - | | 9482 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M28W640 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | No Volátil | 64 Mbbit | 70 ns | Destello | 4m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
 | Mtfc32gjved-3m wt tr | - | | 8842 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 169-vfbga | Mtfc32g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 169-vfbga | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | MMC | - | |||||
| Nand04gr3b2dn6e | - | | 8043 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Nand04g | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 48-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -Nand04gr3b2dn6e | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | No Volátil | 4 gbit | 25 ns | Destello | 512m x 8 | Paralelo | 25ns | ||
 | MT29F512G08CECBBJ4-5M: B TR | - | | 3302 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F512G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT29TZZZ8D6DKEZB-107 W.9H6 TR | - | | 5411 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 221-WFBGA | Mt29tzzz8 | Flash - Nand, DRAM - LPDDR3 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 221-WFBGA (13x11.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT29TZZZ8D6DKEZB-107W.9H6TR | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 933 MHz | No Volátil, Volátil | 128Gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR3) | Flash, ram | 16g x 8 (nand), 256m x 32 (LPDDR3) | MMC, LPDRAM | - | |||
 | MT48LC8M32B2B5-7 IT TR | - | | 2341 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT48LC8M32B2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 143 MHz | Volante | 256Mbit | 6 ns | Dracma | 8m x 32 | Paralelo | 14ns | ||
| M29W800DB70ZM6F TR | - | | 7920 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | M29W800 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | No Volátil | 8mbit | 70 ns | Destello | 1m x 8, 512k x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
 | MT25QU01GBBB8E12-0AUT TR | 19.8600 | | 3584 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Mt25qu01 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 24-T-PBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | |||
| MT28F800B5WP-8 B TR | - | | 5842 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT28F800B5 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 8mbit | 80 ns | Destello | 1m x 8, 512k x 16 | Paralelo | 80NS | |||
| MT40A16G4WPF-062H: B | 194.0100 | | 3015 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT40A16G4 | SDRAM - DDR4 | - | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT40A16G4WPF-062H: B | 8542.32.0071 | 152 | 1.6 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 16g x 4 | - | - | |||||||
| MT41K128M8JP-125: G | - | | 8314 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41K128M8 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | Volante | 1 gbit | 13.75 ns | Dracma | 128m x 8 | Paralelo | - | |||
| EDFP112A3PF-JD-FD | - | | 3309 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | EDFP112 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.14V ~ 1.95V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.190 | 933 MHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 192m x 128 | Paralelo | - | ||||
| MT29E6T08ETHBBM5-3: B TR | - | | 8855 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29E6T08 | Flash - nand | 2.5V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | No Volátil | 6tbit | Destello | 768g x 8 | Paralelo | - | |||
 | PC28F256P33T85A | - | | 3315 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 64-TBGA | PC28F256 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 64-Easybga (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | 52 MHz | No Volátil | 256Mbit | 85 ns | Destello | 16m x 16 | Paralelo | 85ns | ||
 | MT47H128M16RT-25E: C TR | 15.9000 | | 5 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H128M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (9x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 400 MHz | Volante | 2 GBIT | 400 ps | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT29F256G08CKCBBH2-10: B | - | | 5586 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 TBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100 TBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT29F512G08CUCABH3-10RZ: A | - | | 4274 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 lbGa | MT29F512G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100 lbGa (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 100 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT53D512M64D4BP-046 WT ES: E | - | | 2477 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | ||||||||
| MTC10C1084S1TC48BAZ | 171.6000 | | 3959 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MTC10C1084S1TC48BAZ | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT46V8M16TG-75: D | - | | 4509 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | MT46V8M16 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 128 Mbbit | 750 ps | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| MTFC16GJVEC-2F WT | - | | 7553 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | Mtfc16g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | MMC | - | |||||
 | M45PE10S-VMP6G | - | | 3903 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | M45PE10 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-vfqfpn (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0071 | 490 | 75 MHz | No Volátil | 1 mbit | Destello | 128k x 8 | SPI | 3 ms | ||||
| MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-M | - | | 2222 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | MT29F256G08 | Flash - Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | Morir | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | 333 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||||
| Mt25qu128aba8e12-0sit | 4.7300 | | 6 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT25Qu128 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 24-TBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | |||
 | MT29F2T08CTCCBJ7-6R: C | - | | 7925 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152 lbGa | MT29F2T08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 152-lbga (14x18) | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 980 | 167 MHz | No Volátil | 2Tbit | Destello | 256g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | JS28F640P33TF70A | - | | 8713 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | JS28F640P33 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 70 ns | Destello | 4m x 16 | Paralelo | 70ns |
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