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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT48H16M32L2F5-8 IT TR Micron Technology Inc. MT48H16M32L2F5-8 IT TR -
RFQ
 ECAD 3635 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT48H16M32 SDRAM - LPSDR MÓVIL 1.7V ~ 1.9V 90-vfbga (8x13) descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 125 MHz Volante 512Mbit 7.5 ns Dracma 16m x 32 Paralelo -
M25PE40-VMC6G Micron Technology Inc. M25PE40-VMC6G -
RFQ
 ECAD 6462 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn M25PE40 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-MLP (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2,940 75 MHz No Volátil 4mbit Destello 512k x 8 SPI 15 ms, 3 ms
EDW4032CABG-50-N-F-D Micron Technology Inc. EDW4032CABG-50-NFD -
RFQ
 ECAD 1804 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) - - Edw4032 SGRAM - GDDR5 1.31V ~ 1.39V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 1.440 1.25 GHz Volante 4 gbit RAM 128m x 32 Paralelo -
N25Q256A13ESFH0F TR Micron Technology Inc. N25Q256A13ESFH0F TR -
RFQ
 ECAD 6594 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) N25Q256A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz No Volátil 256Mbit Destello 64m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87J TR Micron Technology Inc. MT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87J TR 12.4500
RFQ
 ECAD 9943 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 149-WFBGA Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 149-WFBGA (8x9.5) - 557-MT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87JTR 2,000 No Volátil, Volátil 4 gbit 25 ns Flash, ram 512m x 8 Onde 30ns
MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AECDBJ4-6IT: D TR -
RFQ
 ECAD 9363 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
MT29F256G08CMCBBH2-10:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCBBH2-10: B TR -
RFQ
 ECAD 8500 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 TBGA MT29F256G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100 TBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
JR28F064M29EWHB TR Micron Technology Inc. JR28F064M29EWHB TR -
RFQ
 ECAD 4216 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) JR28F064M29 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 No Volátil 64 Mbbit 70 ns Destello 8m x 8, 4m x 16 Paralelo 70ns
M29W320DT90N6 Micron Technology Inc. M29W320DT90N6 -
RFQ
 ECAD 2151 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W320 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 96 No Volátil 32Mbit 90 ns Destello 4m x 8, 2m x 16 Paralelo 90ns
MT29F1G01AAADDH4-IT:D Micron Technology Inc. Mt29f1g01aaaddh4-it: D -
RFQ
 ECAD 7575 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F1G01 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.260 No Volátil 1 gbit Destello 1g x 1 SPI -
MT29F4G08ABCWC-ET:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABCWC-ET: C TR -
RFQ
 ECAD 9872 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F4G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
MTFC32GAMALAM-WT ES TR Micron Technology Inc. Mtfc32gamalam-wt es tr -
RFQ
 ECAD 6852 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) - - Mtfc32g Flash - nand - - - 1 (ilimitado) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 MMC -
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NP-062 AIT: B TR -
RFQ
 ECAD 8690 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53B384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz Volante 12 gbit Dracma 384m x 32 - -
MT53E2G32D4DE-046 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 AIT: C TR 51.3600
RFQ
 ECAD 2435 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E2G32D4DE-046AIT: CTR 2,000 2.133 GHz Volante 64 GBIT 3.5 ns Dracma 2G x 32 Paralelo 18ns
MT29F16T08GSLCEM9-QB:C Micron Technology Inc. MT29F16T08GSLCEM9-QB: C 312.5850
RFQ
 ECAD 3231 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F16T08GSLCEM9-QB: C 1
MT29F256G08CMCABK3-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCABK3-10Z: A TR -
RFQ
 ECAD 8289 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie - MT29F256G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
MT25QL128ABB8ESF-0AUT Micron Technology Inc. Mt25ql128abb8esf-0aut 5.8900
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Descontinuado en sic -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) MT25QL128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -Mt25ql128abb8esf-0aut 3A991B1A 8542.32.0071 1.440 133 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT47H128M4CF-25E:G TR Micron Technology Inc. MT47H128M4CF-25E: G TR -
RFQ
 ECAD 9573 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 60-TFBGA MT47H128M4 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 400 MHz Volante 512Mbit 400 ps Dracma 128m x 4 Paralelo 15ns
MT47H256M4SH-25E:M TR Micron Technology Inc. MT47H256M4SH-25E: M TR -
RFQ
 ECAD 1160 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 60-TFBGA MT47H256M4 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) MT47H256M4SH-25E: MTR EAR99 8542.32.0032 2,000 400 MHz Volante 1 gbit 400 ps Dracma 256m x 4 Paralelo 15ns
MT29TZZZ5D7DKFRL-107 W.9A7 Micron Technology Inc. MT29TZZZ5D7DKFRL-107 W.9A7 -
RFQ
 ECAD 9737 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto Mt29tzzz5 - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.520
MT29C4G48MAZAPAKD-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAZAPAKD-5 IT TR -
RFQ
 ECAD 5806 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 137-TFBGA MT29C4G48 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 137-TFBGA (10.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz No Volátil, Volátil 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) Flash, ram 256M x 16 (NAND), 64M x 32 (LPDRAM) Paralelo -
MT62F4G32D8DV-023 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 AIT: B TR 114.9600
RFQ
 ECAD 1081 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 95 ° C - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-023AIT: BTR 2,000 4.266 GHz Volante 128 GBIT Dracma 4g x 32 Paralelo -
MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R Micron Technology Inc. MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R -
RFQ
 ECAD 5433 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie Morir MT29F256G08 Flash - Nand (MLC) 2.5V ~ 3.6V Morir - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1 No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
MT62F1G32D2DS-023 WT:C TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 WT: C TR 22.8450
RFQ
 ECAD 4763 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 200 WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-023WT: CTR 2,000 3.2 GHz Volante 32 GBIT Dracma 1g x 32 Paralelo -
MT28EW128ABA1HPC-1SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW128ABA1HPC-1SIT TR -
RFQ
 ECAD 8266 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64 lbGa Mt28ew128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64 LBGA (11x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 No Volátil 128 Mbbit 95 ns Destello 16m x 8, 8m x 16 Paralelo 60ns
EDB4432BBBJ-1D-F-R Micron Technology Inc. Edb4432bbbj-1d-frr -
RFQ
 ECAD 1543 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 134-WFBGA Edb4432 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-FBGA (10x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 533 MHz Volante 4 gbit Dracma 128m x 32 Paralelo -
MT40A1G16KH-062E AIT:E Micron Technology Inc. MT40A1G16KH-062E AIT: E 15.6150
RFQ
 ECAD 8976 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (9x13) descascar 557-MT40A1G16KH-062EAIT: E 1 1.6 GHz Volante 16 gbit 19 ns Dracma 1g x 16 Vana 15ns
MT29F256G08CEEABH6-12:A TR Micron Technology Inc. Mt29f256g08ceeabh6-12: A TR -
RFQ
 ECAD 1613 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 152-VBGA MT29F256G08 Flash - Nand (MLC) 2.5V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 83 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
M29W640GT70NB6E Micron Technology Inc. M29W640GT70NB6E -
RFQ
 ECAD 5324 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W640 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 576 No Volátil 64 Mbbit 70 ns Destello 8m x 8, 4m x 16 Paralelo 70ns
MT53E256M32D2DS-053 AUT:B Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-053 AUT: B 22.0700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53E256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT53E256M32D2DS-053AUT: B EAR99 8542.32.0036 1.360 1.866 GHz Volante 8 gbit Dracma 256m x 32 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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