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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F4T08EULGEM4-ITF: G TR | 130.1100 |  | 8374 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F4T08EULGEM4-ITF: GTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT62F768M64D4EK-023 WT ES: B | 61.3800 | | 9141 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | MT62F768 | - | 557-MT62F768M64D4EK-023WTES: B | 1 | ||||||||||||||||||||
| MT53E2G64D8TN-046 AIT: A TR | 111.7050 | | 7612 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-LFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 556-LFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E2G64D8TN-046AIT: ATR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 128 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 2G x 64 | Paralelo | 18ns | |||||||
| MT53E1536M32D4DE-046 AAT: B TR | 47.8950 | | 1221 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1536M32D4DE-046AAT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 48 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 1.5GX 32 | Paralelo | 18ns | |||||||
 | MT53E256M32D2FW-046 AUT: B | 17.8200 | | 5280 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | 557-MT53E256M32D2FW-046AUT: B | 1 | 2.133 GHz | Volante | 8 gbit | 3.5 ns | Dracma | 256m x 32 | Paralelo | 18ns | |||||||
| MT62F1G32D2DS-023 WT: C | 22.8450 | | 8143 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023WT: C | 1 | 3.2 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | - | ||||||||
| MT53E768M32D2FW-046 AUT: C TR | 43.6350 | | 1299 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AUT: CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT62F1G64D4EK-023 WT: C TR | 68.0400 | | 2148 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D4EK-023WT: CTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | Paralelo | - | ||||||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 WT ES: C TR | 67.8450 | | 8751 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 556-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046WTES: CTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5mx 64 | - | - | ||||||||
| MTFC128GAXATEA-WT TR | 20.4900 | | 6379 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 153-vfbga | Flash - Nand (SLC) | - | 153-vfbga (11.5x13) | - | 557-MTFC128GAXATEA-WTTR | 2,000 | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | UFS 3.1 | - | |||||||||
| MT62F1536M64D8EK-023 FAAT: B TR | 94.8300 | | 8140 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023FAAT: BTR | 1.500 | 4.266 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5GX 64 | Paralelo | - | ||||||||
| MT62F4G32D8DV-026 AAT: B TR | 126.4350 | | 7742 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-026AAT: BTR | 2,000 | 3.2 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 4g x 32 | Paralelo | - | ||||||||
| MT29F1T08EELEJ4-R: E | 21.4500 | | 1840 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 132-VBGA | Flash - Nand (TLC) | 2.6V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-MT29F1T08EELEJ4-R: E | 1 | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | Paralelo | - | |||||||||
| MT53E1G32D4NQ-046 WT: F | - | | 2861 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 200-vfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 557-MT53E1G32D4NQ-046WT: F | Obsoleto | 1 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | - | |||||||
| MT53E768M64D4HJ-046 AIT: A | - | | 3796 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | ROHS3 Cumplante | 557-MT53E768M64D4HJ-046AIT: A | Obsoleto | 1 | 2.133 GHz | Volante | 48 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 768m x 64 | Paralelo | 18ns | |||||
| MT53E1G32D2FW-046 AUT: C | - | | 7681 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1G32D2FW-046AUT: C | 1 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | 18ns | |||||||
 | MT53E512M32D1ZW-046BAIT: B | - | | 5708 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E512M32D1ZW-046BAIT: B | 1 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | 3.5 ns | Dracma | 512m x 32 | Paralelo | 18ns | |||||||
 | PC28F512P33EFA | - | | 4860 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | PC28F512 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 64-Easybga (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | 52 MHz | No Volátil | 512Mbit | 95 ns | Destello | 32m x 16 | Paralelo | 95ns | ||
| RC28F256M29EWLA | - | | 5820 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | RC28F256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 1,104 | No Volátil | 256Mbit | 100 ns | Destello | 32m x 8, 16m x 16 | Paralelo | 100ns | |||
 | M25P32-VMW6TG TR | - | | 4222 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | M25P32 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO W | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | 75 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | ||||
 | M25P40-VMP6TG/TS TR | - | | 7800 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | M25P40 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-vdfpn (6x5) (MLP8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 50 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||
| M25PE20-VMN6P | - | | 9325 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | M25PE20 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 75 MHz | No Volátil | 2 mbit | Destello | 256k x 8 | SPI | 15 ms, 3 ms | |||
| M25PE40-VMN6TP TR | - | | 7737 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | M25PE40 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 75 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI | 15 ms, 3 ms | |||
| M25PE80-VMS6TG TR | - | | 4222 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | M25PE80 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-vdfpn (6x5) (MLP8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 75 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI | 15 ms, 3 ms | |||
 | M25PX32-VMP6E | - | | 9843 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | M25PX32 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-vdfpn (6x5) (MLP8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,940 | 75 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||
 | M29W160FB70N3E | - | | 1208 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W160 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 16mbit | 70 ns | Destello | 2m x 8, 1m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
 | TE28F128P30B85A | - | | 9274 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | 28F128P30 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 56-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 40 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 85 ns | Destello | 8m x 16 | Paralelo | 85ns | ||
| TE48F4400P0TB00A | - | | 9514 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | 48f4400p0 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 40 MHz | No Volátil | 512Mbit | 85 ns | Destello | 32m x 16 | Paralelo | 85ns | ||
 | N25Q128A13B1240F TR | - | | 4379 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | N25Q128A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 108 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||
 | M28W320FCB70N6F TR | - | | 1964 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M28W320 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | No Volátil | 32Mbit | 70 ns | Destello | 2m x 16 | Paralelo | 70ns |
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