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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Mt47h64m16hr-3 it: g tr | - |  | 9031 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | Volante | 1 gbit | 450 ps | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | M29F200FB55M3F2 TR | - | | 6396 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-SOICO (0.496 ", 12.60 mm de ancho) | M29F200 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 44-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | No Volátil | 2 mbit | 55 ns | Destello | 256k x 8, 128k x 16 | Paralelo | 55ns | |||
| MT53B256M64D2PX-062 XT: C TR | - | | 2568 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 256m x 64 | - | - | |||
 | MT44K16M36RB-093E IT: B | 66.1650 | | 5044 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-TBGA | MT44K16M36 | Dracma | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.190 | 1.066 GHz | Volante | 576Mbit | 8 ns | Dracma | 16m x 36 | Paralelo | - | ||
 | MT46H64M32LFBQ-48 WT: C | - | | 4406 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT46H64M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.440 | 208 MHz | Volante | 2 GBIT | 5 ns | Dracma | 64m x 32 | Paralelo | 14.4ns | ||
| MT28FW02GBBA1LPC-0AAT | 33.7050 | | 4991 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | MT28FW02 | Flash - Ni | 1.7V ~ 3.6V | 64 LBGA (11x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 1,104 | No Volátil | 2 GBIT | 105 ns | Destello | 128m x 16 | Paralelo | 60ns | |||
 | MT45W1MW16BDGB-701 WT TR | - | | 2749 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT45W1MW16 | Psram (pseudo sram) | 1.7V ~ 1.95V | 54-vfbga (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 16mbit | 70 ns | Psram | 1m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
| MT62F768M64D4ZU-026 WT: B TR | 27.9300 | | 7367 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | MT62F768 | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F768M64D4ZU-026WT: BTR | 2.500 | 3.2 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 768m x 64 | Paralelo | - | |||||||
 | Rc28f256m29ewha | - | | 1768 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | RC28F256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 1,104 | No Volátil | 256Mbit | 100 ns | Destello | 32m x 8, 16m x 16 | Paralelo | 100ns | |||
| MT47H64M16NF-25E IT: M | - | | 1839 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.368 | 400 MHz | Volante | 1 gbit | 400 ps | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MTFC64GAJAECE-5M AIT | - | | 8015 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 169-LFBGA | MTFC64 | Flash - nand | - | 169-LFBGA (14x18) | - | 1 (ilimitado) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | MMC | - | ||||||
| Mt29vzzzad8hqkpr-053 w es.g8c | - | | 2779 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | Mt29vzzzad8 | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.520 | ||||||||||||||||||
| MT47R64M16HR-25: H | - | | 4904 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47R64M16 | SDRAM - DDR2 | 1.55V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 1 gbit | 400 ps | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| MT48H16M16LFBF-75: H | - | | 1048 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT48H16M16 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 1.7V ~ 1.95V | 54-vfbga (8x9) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Q4707290 | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | 5.4 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | |
| MT52L256M64D2QA-125 XT: B | - | | 5805 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | - | - | - | MT52L256 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.2V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.190 | 800 MHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 256m x 64 | - | - | |||
| PC28F00AM29EWL0 | - | | 8044 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | PC28F00A | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | No Volátil | 1 gbit | 100 ns | Destello | 128m x 8, 64m x 16 | Paralelo | 100ns | |||
| MT62F768M32D2DS-023 AAT: B | 25.6500 | | 4256 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT62F768M32D2DS-023AAT: B | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT29F1G01AAAddH4-ITX: D | - | | 1612 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F1G01 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 1g x 1 | SPI | - | ||||
 | MT53E768M32D4DT-046 AAT: E | 29.2650 | | 4217 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | MT53E768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E768M32D4DT-046AAT: E | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 768m x 32 | - | - | ||
| Mt46h32m32lfjg-6 it: un tr | - | | 1134 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 168-vfbga | MT46H32M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 168-vfbga (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 1 gbit | 5 ns | Dracma | 32m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
| MT49H8M36BM-33: B TR | - | | 9649 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | MT49H8M36 | Dracma | 1.7V ~ 1.9V | 144 µBGA (18.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 300 MHz | Volante | 288Mbit | 20 ns | Dracma | 8m x 36 | Paralelo | - | ||
 | MT46H32M16LFBF-5 IT: C TR | 5.6600 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-vfbga | MT46H32M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-vfbga (8x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 5 ns | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | Js28f512p33efa | - | | 9853 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | JS28F512P33 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | No Volátil | 512Mbit | 105 ns | Destello | 32m x 16 | Paralelo | 105ns | ||
| MT53B512M64D4EZ-062 WT: C | - | | 5519 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.120 | 1.6 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | |||||
 | MT29F1T08CPCBBH8-6C: B | - | | 4914 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152 lbGa | MT29F1T08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 152-lbga (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | N25q064a13esec0e | - | | 7574 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | N25Q064A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO W | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | 108 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 16m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||
 | MT48LC4M32LFB5-8 XT: G | - | | 5305 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Descontinuado en sic | -20 ° C ~ 75 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT48LC4M32 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 3V ~ 3.6V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125 MHz | Volante | 128 Mbbit | 7 ns | Dracma | 4m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
 | N25W128A11EF740F TR | - | | 4635 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | N25W128 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 8-vdfpn (6x5) (MLP8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 108 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 32m x 4 | SPI | - | ||||
| MT62F1536M64D8EK-023 FAAT: B | 94.8300 | | 3945 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023FAAT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5GX 64 | Paralelo | - | ||||||||
| MT29E2T08CUHBBM4-3es: B TR | - | | 7552 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29E2T08 | Flash - nand | 2.5V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | No Volátil | 2Tbit | Destello | 256g x 8 | Paralelo | - |
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