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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53D512M32D2DS-053 AAT ES: D | - |  | 7322 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | ||
 | MT41K512M8DA-93: P TR | - | | 3385 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.066 GHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | - | ||
 | MT46V16M16TG-75 L: F TR | - | | 6116 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | MT46V16M16 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | 750 ps | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | |
 | MT48LC8M8A2P-75 L: G | - | | 7952 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC8M8A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 64 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 8m x 8 | Paralelo | 15ns | |
 | Mt29f4g16abbdah4-it: d tr | - | | 6329 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F4G16 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 256m x 16 | Paralelo | - | |||
 | MT48H16M32LFCM-75: A TR | - | | 8728 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT48H16M32 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 512Mbit | 5.4 ns | Dracma | 16m x 32 | Paralelo | 15ns | |
 | MT47H128M16PK-25E IT: C | - | | 1288 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H128M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (9x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 2 GBIT | 400 ps | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | PC28F160C3BD70A | - | | 2257 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | PC28F160 | Flash - Bloque de Arranque | 2.7V ~ 3.6V | 64-Easybga (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 144 | No Volátil | 16mbit | 70 ns | Destello | 1m x 16 | Paralelo | 70ns | ||
 | Mt29c4g48mazbbaks-48 it it it it | - | | 5160 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 137-vfbga | MT29C4G48 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 137-vfbga (13x10.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.140 | 208 MHz | No Volátil, Volátil | 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) | Flash, ram | 256m x 16 (nand), 128m x 16 (LPDRAM) | Paralelo | - | ||
| MT49H16M18BM-25: B TR | - | | 5101 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | MT49H16M18 | Dracma | 1.7V ~ 1.9V | 144 µBGA (18.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 288Mbit | 20 ns | Dracma | 16m x 18 | Paralelo | - | |
| MT29F16G08CBECBL72A3WC1P TR | - | | 7999 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | MT29F16G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 16 gbit | Destello | 2G x 8 | Paralelo | - | ||||
| M58WR064KT70ZB6F TR | - | | 7922 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-vfbga | M58WR064 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 56-vfbga (7.7x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 66 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 70 ns | Destello | 4m x 16 | Paralelo | 70ns | |
| MT29F64G08ABEBBM84C3WC1 | - | | 4155 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | Morir | - | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | ||||||
 | PC28F00BM29EWHA | - | | 4421 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | PC28F00B | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | No Volátil | 2 GBIT | 100 ns | Destello | 256m x 8, 128m x 16 | Paralelo | 100ns | ||
 | N25q128a13esedff tr | - | | 5010 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | N25Q128A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.500 | 108 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 32m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||
| Mt25qu128aba1ese-0sit | 4.1200 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | MT25Qu128 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | ||
| MT25TU512HBA8ESF-0SIT TR | - | | 1346 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | ||||||||||||||||
 | MT28F400B5SG-8 BET | - | | 3407 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-SOICO (0.496 ", 12.60 mm de ancho) | MT28F400B5 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 44-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | No Volátil | 4mbit | 80 ns | Destello | 512k x 8, 256k x 16 | Paralelo | 80NS | ||
 | Mt29f8g08adadah4-it: D | 12.0400 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F8G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | No Volátil | 8 gbit | Destello | 1g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT29F512G08CMCCBH7-6ITR: C TR | - | | 1295 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-TBGA | MT29F512G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 152-TBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | Paralelo | - | ||
 | MT53D512M64D4NW-046 WT ES: E | - | | 8283 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 432-vfbga | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 432-vfbga (15x15) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.190 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | |||
| MT48H16M16LFBF-6 IT: H | - | | 6087 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT48H16M16 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 1.7V ~ 1.95V | 54-vfbga (8x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 256Mbit | 5 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | |
| MT53D512M64D4NW-062 WT ES: D TR | - | | 2728 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 432-vfbga | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 432-vfbga (15x15) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | |||
 | MT28F400B5WG-8 TET | - | | 4578 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT28F400B5 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 48-TSOP I | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 4mbit | 80 ns | Destello | 512k x 8, 256k x 16 | Paralelo | 80NS | ||
| MT53B384M32D2NK-062 WT ES: B | - | | 6937 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.190 | 1.6 GHz | Volante | 12 gbit | Dracma | 384m x 32 | - | - | ||||
 | MT40A4G4NRE-075E: B TR | - | | 3992 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (8x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.33 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 4g x 4 | Paralelo | - | ||
 | MT46V64M8CY-5B: J TR | 5.6400 | | 3051 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | Mt46v64m8 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | |
 | MT46H32M32LFB5-6 IT: B | - | | 9803 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT46H32M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 1 gbit | 5 ns | Dracma | 32m x 32 | Paralelo | 15ns | |
 | Mtfc8gakajcn-4m | - | | 9194 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | MTFC8 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-vfbga (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.520 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | MMC | - | |||
 | MT47H32M8BP-3: B TR | - | | 3751 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 60-FBGA | MT47H32M8B | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (8x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 333 MHz | Volante | 256Mbit | 450 ps | Dracma | 32m x 8 | Paralelo | 15ns |
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