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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT28F004B3VG-8 TET | - |  | 4263 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 40-TFSOP (0.724 ", Ancho de 18.40 mm) | MT28F004B3 | Flash - Ni | 3V ~ 3.6V | 40-tsop I | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 4mbit | 80 ns | Destello | 512k x 8 | Paralelo | 80NS | |||
 | MT47H64M16HR-3 AAT: H TR | - | | 8765 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | Volante | 1 gbit | 450 ps | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT46H16M32LFBQ-5 AIT: C TR | - | | 5520 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT46H16M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 5 ns | Dracma | 16m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
| MT62F2G32D4DS-023 FAAT: B | 63.8550 | | 7803 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | - | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023FAAT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | Paralelo | - | ||||||||
 | MT29F64G08CECCBH1-12Itz: C TR | - | | 1782 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100-VBGA | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 100-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | |||
| Mt29tzzz4d4bkerl-125 w.94m TR | - | | 4136 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||
 | MT29F2G08ABAEAWP-AT: E TR | - | | 5203 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F2G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Paralelo | - | ||||
 | M45PE16-VMW6G | - | | 3795 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | M45PE16 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO W | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.800 | 75 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI | 3 ms | |||
 | MT53D384M32D2DS-053 XT: E | - | | 4694 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Volante | 12 gbit | Dracma | 384m x 32 | - | - | |||
 | MT61K256M32JE-12: A | - | | 4229 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 180-TFBGA | MT61K256 | SGRAM - GDDR6 | 1.31V ~ 1.39V | 180-FBGA (12x14) | descascar | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.260 | 1.5 GHz | Volante | 8 gbit | RAM | 256m x 32 | Paralelo | - | ||||||
 | Mt28f640j3fs-115 xmet | - | | 9707 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-FBGA | MT28F640J3 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (10x13) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 64 Mbbit | 115 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | - | |||
| MT49H32M18FM-25E: B | - | | 7465 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | MT49H32M18 | Dracma | 1.7V ~ 1.9V | 144 µBGA (18.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 576Mbit | 15 ns | Dracma | 32m x 18 | Paralelo | - | ||
 | N25Q256A13E1241F TR | - | | 2715 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | N25Q256A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 108 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 64m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||
| MT53D768M64D4NZ-046 WT: A TR | - | | 2524 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1,000 | 2.133 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 768m x 64 | - | - | |||||||||
| MT53E4G32D8GS-046 WT: C TR | 127.0200 | | 4837 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - | - | - | 557-MT53E4G32D8GS-046WT: CTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 4g x 32 | Paralelo | - | ||||||||
 | MT41K1G4DA-107: P TR | - | | 6532 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41K1G4 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT41K1G4DA-107: PTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 1g x 4 | Paralelo | - | |
| MT29F4G01ABBFD12-IT: F TR | - | | 9437 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT29F4G01 | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT29F4G01ABBFD12-IT: FTR | Obsoleto | 8542.32.0071 | 2,000 | 83 MHz | No Volátil | 4 gbit | Destello | 4g x 1 | SPI | - | |||
| MT53D512M16D1DS-046 WT: D | 9.8600 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53D512M16D1DS-046WT: D | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 512m x 16 | - | - | ||
| MT29E512G08CKCCBH7-6: C | - | | 2465 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-TBGA | MT29E512G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 152-TBGA (14x18) | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | Paralelo | - | ||||
| N25Q256A11E1240F TR | - | | 1685 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | N25Q256A11 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 24-T-PBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 108 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 64m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||
 | MT40A512M16JY-075E AIT: B | - | | 6640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (8x14) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.368 | 1.33 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | - | |||||
 | MT44K16M36RB-107E: A | - | | 4289 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-TBGA | MT44K16M36 | Dracma | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.190 | 933 MHz | Volante | 576Mbit | 8 ns | Dracma | 16m x 36 | Paralelo | - | ||
| MT29F64G08CBABAWP-IT: B | - | | 2823 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT29F64G08CBHGBJ4-3RES: G TR | - | | 3961 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT55L256L36FT-11 | 14.4200 | | 4432 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | MT55L256L | Sram - Sincónnico, ZBT | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90 MHz | Volante | 8mbit | 8.5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | ||
 | Mtfc32gjved-4m it tr trom | - | | 2313 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 169-vfbga | Mtfc32g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 169-vfbga | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | MMC | - | |||||
 | Mt25qu128aba8e14-1sit | - | | 9033 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT25Qu128 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 24-T-PBGA (6x8) | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | ||||
| MT29C2G24MAABAKAKD-5 IT | - | | 4294 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 137-TFBGA | MT29C2G24 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 137-TFBGA (10.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 2GBIT (NAND), 1GBIT (LPDRAM) | Flash, ram | 128m x 16 (nand), 32m x 32 (LPDRAM) | Paralelo | - | |||
| MT53E768M32D2FW-046 AIT: C TR | 20.7300 | | 3312 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AIT: CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | MT48LC8M16A2P-6A AIT: L | - | | 3640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC8M16A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.080 | 167 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | 12ns |
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