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Memoria (10402)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Voltaje - Suministro	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	FRECUENCIA DE RELOJ	Tipo de Memoria	Tamaña de Memoria	TIempo de Acceso	Formato de Memoria	Organización de la Memoria	Interfaz de Memoria	Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
M45PE10-VMP6G	-	RFQ	3084	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	Almohadilla exposición de 8-vdfn	M45PE10	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	8-vdfpn (6x5) (MLP8)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0071	490	75 MHz	No Volátil	1 mbit		Destello	128k x 8	SPI	3 ms
MT40A4G4VA-062EPS: B	-	RFQ	1343	Micron Technology Inc.	-	Una granela	Obsoleto	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	78-TFBGA	MT40A4G4	SDRAM - DDR4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (10x11)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)		557-MT40A4G4VA-062EPS: B	Obsoleto		1.520	1.6 GHz	Volante	16 gbit	19 ns	Dracma	4g x 4	Paralelo	15ns
MT41J256M16HA-125: E	-	RFQ	6496	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	96-TFBGA	MT41J256M16	SDRAM - DDR3	1.425V ~ 1.575V	96-FBGA (9x14)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0036	1,000	800 MHz	Volante	4 gbit	13.75 ns	Dracma	256m x 16	Paralelo	-
MT41K1G8SN-107 IT: A	-	RFQ	3430	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	78-TFBGA	MT41K1G8	SDRAM - DDR3L	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (9x13.2)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0036	1.020	933 MHz	Volante	8 gbit	20 ns	Dracma	1g x 8	Paralelo	-
MT25QL02GCBB8E12-0AAT TR	34.4100	RFQ	3006	Micron Technology Inc.	Automotriz, AEC-Q100	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Montaje en superficie	24-tbGa	MT25QL02	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	24-T-PBGA (6x8)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	133 MHz	No Volátil	2 GBIT		Destello	256m x 8	SPI	8 ms, 2.8 ms
MT29F256G08CJABBWP-12: B TR	-	RFQ	5306	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	MT29F256G08	Flash - Nand (MLC)	2.7V ~ 3.6V	48-TSOP I	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	No Volátil	256 GBIT		Destello	32g x 8	Paralelo	-
MT53D768M64D8SQ-046 WT ES: E	-	RFQ	4137	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Montaje en superficie	556-vfbga	MT53D768	SDRAM - Mobile LPDDR4	1.1V	556-vfbga (12.4x12.4)	-		1 (ilimitado)			Obsoleto	0000.00.0000	1.360	2.133 GHz	Volante	48 GBIT		Dracma	768m x 64	-	-
MT45W1MW16BABB-706 WT TR	-	RFQ	3345	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Montaje en superficie	54-vfbga	MT45W1MW16	Psram (pseudo sram)	1.7V ~ 1.95V	54-vfbga (6x9)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		Volante	16mbit	70 ns	Psram	1m x 16	Paralelo	70ns
MTFC4GACAAAM-1M WT TR	-	RFQ	3053	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto				Mtfc4				-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			Obsoleto	0000.00.0000	1,000
M29W640GH70NA6F TR	-	RFQ	4650	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	M29W640	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	48-TSOP I	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1.500		No Volátil	64 Mbbit	70 ns	Destello	8m x 8, 4m x 16	Paralelo	70ns
MT62F1536M64D8CL-023 WT: B TR	55.3050	RFQ	8025	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-	-		SDRAM - Mobile LPDDR5	-	-	-				557-MT62F1536M64D8CL-023WT: BTR			2.500	4.266 GHz	Volante	96 GBIT		Dracma	1.5GX 64	Paralelo	-
MT48LC8M16A2P-7E: G TR	-	RFQ	8593	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho)	MT48LC8M16A2	Sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	Volante	128 Mbbit	5.4 ns	Dracma	8m x 16	Paralelo	14ns
MT28F800B5WG-8 BET	-	RFQ	9896	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	MT28F800B5	Flash - Ni	4.5V ~ 5.5V	48-TSOP I	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0071	1,000		No Volátil	8mbit	80 ns	Destello	1m x 8, 512k x 16	Paralelo	80NS
Mt29f8g01adbfd12-it: f tr	-	RFQ	1466	Micron Technology Inc.	Automotriz, AEC-Q100	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	24-tbGa	MT29F8G01	Flash - Nand (SLC)	1.7V ~ 1.95V	24-T-PBGA (6x8)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)		MT29F8G01ADBFD12-IT: FTR	Obsoleto	8542.32.0071	2,000	83 MHz	No Volátil	8 gbit		Destello	8g x 1	SPI	-
MT46H8M16LFBF-6: K	-	RFQ	9917	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	60-vfbga	MT46H8M16	SDRAM - Mobile LPDDR	1.7V ~ 1.95V	60-vfbga (8x9)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0002	1,000	166 MHz	Volante	128 Mbbit	5 ns	Dracma	8m x 16	Paralelo	15ns
MT53D768M32D2NP-046 WT: A TR	-	RFQ	7868	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto								-				557-MT53D768M32D2NP-046WT: ATR	Obsoleto		2,000
MT46V32M4P-5B: D	-	RFQ	6556	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho)	Mt46v32m4	SDRAM - DDR	2.5V ~ 2.7V	66-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0002	1,000	200 MHz	Volante	128 Mbbit	700 PS	Dracma	32m x 4	Paralelo	15ns
M29F400BT70N1	-	RFQ	1118	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	M29F400	Flash - Ni	4.5V ~ 5.5V	48-TSOP	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0071	96		No Volátil	4mbit	70 ns	Destello	512k x 8, 256k x 16	Paralelo	70ns
MT46V64M8TG-75 IT: D TR	-	RFQ	4811	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho)	Mt46v64m8	SDRAM - DDR	2.3V ~ 2.7V	66-TSOP	-	Rohs no conforme	4 (72 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	Volante	512Mbit	750 ps	Dracma	64m x 8	Paralelo	15ns
EDFA164A2MA-GD-FR TR	-	RFQ	4143	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	Edfa164	SDRAM - Mobile LPDDR3	1.14V ~ 1.95V	-	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			Obsoleto	0000.00.0000	1,000	800 MHz	Volante	16 gbit		Dracma	256m x 64	Paralelo	-
MT48LC16M8A2TG-75 L: G	-	RFQ	5595	Micron Technology Inc.	-	Caja	Descontinuado en sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho)	MT48LC16M8A2	Sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	descascar	Rohs no conforme	2 (1 Año)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	Volante	128 Mbbit	5.4 ns	Dracma	16m x 8	Paralelo	15ns
MT29F2G08AACWP: C TR	-	RFQ	2044	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	MT29F2G08	Flash - nand	2.7V ~ 3.6V	48-TSOP I	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		No Volátil	2 GBIT		Destello	256m x 8	Paralelo	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Memoria (10402)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²