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Memoria (10402)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Voltaje - Suministro	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	FRECUENCIA DE RELOJ	Tipo de Memoria	Tamaña de Memoria	TIempo de Acceso	Formato de Memoria	Organización de la Memoria	Interfaz de Memoria	Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página	Sic programable
MT62F1G64D4EK-026 WT: C	68.0400	RFQ	1652	Micron Technology Inc.	-	Caja	Activo								-				557-MT62F1G64D4EK-026WT: C			1
Mt53d8danz-dc	-	RFQ	4227	Micron Technology Inc.	-	Caja	Descontinuado en sic				MT53D8				-			Alcanzar sin afectado			0000.00.0000	1.190
MT29F256G08AUCDBJ6-6IT: D	-	RFQ	7154	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	132 lbGa	MT29F256G08	Flash - Nand (SLC)	2.7V ~ 3.6V	132-lbga (12x18)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1.120	167 MHz	No Volátil	256 GBIT		Destello	32g x 8	Paralelo	-
MT29F1G01ABAFDSF-AAT: F TR	4.1500	RFQ	1	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Montaje en superficie	16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho)	MT29F1G01	Flash - nand	2.7V ~ 3.6V	16-SO	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		No Volátil	1 gbit		Destello	1g x 1	SPI	-
MT48LC16M4A2P-7E: G	-	RFQ	4312	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho)	MT48LC16M4A2	Sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	descascar	ROHS3 Cumplante	2 (1 Año)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	Volante	64 Mbbit	5.4 ns	Dracma	16m x 4	Paralelo	14ns
N25Q016A11EV7A0	-	RFQ	3506	Micron Technology Inc.	Automotriz, AEC-Q100	Una granela	Obsoleto	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	-	-	N25Q016A11	Flash - Ni	1.7v ~ 2v	-	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			Obsoleto	0000.00.0000	1	108 MHz	No Volátil	16mbit		Destello	2m x 8	SPI	8ms, 1 m
MT40A2G4SA-075: E	10.1850	RFQ	5764	Micron Technology Inc.	-	Banda	Activo	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	78-TFBGA	MT40A2G4	SDRAM - DDR4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (7.5x11)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0036	1.260	1.33 GHz	Volante	8 gbit		Dracma	2G x 4	Paralelo	-
MT62F1G64D4EK-023 AIT: C	86.2500	RFQ	9865	Micron Technology Inc.	-	Caja	Activo								-				557-MT62F1G64D4EK-023AIT: C			1
MT53D512M64D8HR-053 WT ES: B	-	RFQ	6258	Micron Technology Inc.	-	Banda	Activo	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Montaje en superficie	366-WFBGA	MT53D512	SDRAM - Mobile LPDDR4	1.1V	366-WFBGA (12x12.7)	-		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0036	1.360	1.866 GHz	Volante	32 GBIT		Dracma	512m x 64	-	-
M25P128-VME6TG TR	-	RFQ	1844	Micron Technology Inc.	Forté ™	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	Almohadilla exposición de 8-vdfn	M25P128	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	8-VDFPN (MLP8) (8x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	4.000	50 MHz	No Volátil	128 Mbbit		Destello	16m x 8	SPI	15 ms, 7 ms
N25Q032A11ES40G	-	RFQ	2631	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	N25Q032A11	Flash - Ni	1.7v ~ 2v	8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1.800	108 MHz	No Volátil	32Mbit		Destello	8m x 4	SPI	8 ms, 5 ms
M25PX64-VZM6TP TR	-	RFQ	7101	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	24-tbGa	M25PX64	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	24-T-PBGA (6x8)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	2.500	75 MHz	No Volátil	64 Mbbit		Destello	8m x 8	SPI	15 ms, 5 ms
N25Q128A13BSFH0F	-	RFQ	1124	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho)	N25Q128A13	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	16-SO	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			Obsoleto	0000.00.0000	1,000	108 MHz	No Volátil	128 Mbbit		Destello	32m x 4	SPI	8 ms, 5 ms
MT47H128M8JN-3 IT: H	-	RFQ	8145	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	60-TFBGA	MT47H128M8	SDRAM - DDR2	1.7V ~ 1.9V	60-FBGA (8x10)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0032	1,000	333 MHz	Volante	1 gbit	450 ps	Dracma	128m x 8	Paralelo	15ns
MT47H64M16HR-3 L: H TR	-	RFQ	9120	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Montaje en superficie	84-TFBGA	MT47H64M16	SDRAM - DDR2	1.7V ~ 1.9V	84-FBGA (8x12.5)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			EAR99	8542.32.0032	1,000	333 MHz	Volante	1 gbit	450 ps	Dracma	64m x 16	Paralelo	15ns
MT46V128M4P-5B: J	-	RFQ	1789	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho)	MT46V128M4	SDRAM - DDR	2.5V ~ 2.7V	66-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0028	1,000	200 MHz	Volante	512Mbit	700 PS	Dracma	128m x 4	Paralelo	15ns
EDBA232B2PD-1D-FR TR	-	RFQ	1397	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	Edba232	SDRAM - Mobile LPDDR2	1.14V ~ 1.95V	-	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			Obsoleto	0000.00.0000	1,000	533 MHz	Volante	16 gbit		Dracma	512m x 32	Paralelo	-
MT53E128M32D2DS-053 AUT: A	12.1200	RFQ	1	Micron Technology Inc.	Automotriz, AEC-Q100	Banda	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	Montaje en superficie	200 WFBGA	MT53E128	SDRAM - Mobile LPDDR4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	MT53E128M32D2DS-053AUT: A	EAR99	8542.32.0036	1.360	1.866 GHz	Volante	4 gbit		Dracma	128m x 32	-	-
M29W128GH70N3E	-	RFQ	9953	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Montaje en superficie	56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	M29W128	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	56-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	96		No Volátil	128 Mbbit	70 ns	Destello	16m x 8, 8m x 16	Paralelo	70ns
MT28HL64GRBA6EBL-0GCT	-	RFQ	8251	Micron Technology Inc.	-	Una granela	Obsoleto				MT28HL64				-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			Obsoleto	0000.00.0000	270
MT53E1G32D2FW-046 AUT: B TR	37.9050	RFQ	8089	Micron Technology Inc.	Automotriz, AEC-Q100	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	Montaje en superficie	200-TFBGA		SDRAM - Mobile LPDDR4X	1.06V ~ 1.17V	200-TFBGA (10x14.5)	descascar				557-MT53E1G32D2FW-046AUT: BTR			2,000	2.133 GHz	Volante	32 GBIT	3.5 ns	Dracma	1g x 32	Paralelo	18ns
MT53E512M64D4NW-046 WT: E	-	RFQ	3946	Micron Technology Inc.	-	Caja	Obsoleto	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Montaje en superficie	432-vfbga	MT53E512	SDRAM - Mobile LPDDR4	1.1V	432-vfbga (15x15)	-					Obsoleto	0000.00.0000	1.190	2.133 GHz	Volante	32 GBIT		Dracma	512m x 64	-	-
MT41K512M4DA-107: K	-	RFQ	5167	Micron Technology Inc.	-	Una granela	Obsoleto	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	78-TFBGA	MT41K512M4	SDRAM - DDR3L	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (8x10.5)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			EAR99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	Volante	2 GBIT	20 ns	Dracma	512m x 4	Paralelo	-
MT53D1024M32D4NQ-062 WT: D TR	-	RFQ	2828	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Montaje en superficie	200-vfbga	MT53D1024	SDRAM - Mobile LPDDR4	1.1V	200-VFBGA (10x14.5)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0036	2,000	1.6 GHz	Volante	32 GBIT		Dracma	1g x 32	-	-
Mtfc4glmdq-it z	-	RFQ	6813	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	100 lbGa	Mtfc4	Flash - nand	-	100 lbGa (14x18)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	980		No Volátil	32 GBIT		Destello	4g x 8	MMC	-
M29W320DB70N3F TR	1.8532	RFQ	5523	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	M29W320	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	48-TSOP I	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1.500		No Volátil	32Mbit	70 ns	Destello	4m x 8, 2m x 16	Paralelo	70ns	Sin verificado
MT46V32M16P-5B XIT: J TR	-	RFQ	7391	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho)	MT46V32M16	SDRAM - DDR	2.5V ~ 2.7V	66-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0036	1,000	200 MHz	Volante	512Mbit	700 PS	Dracma	32m x 16	Paralelo	15ns
MT29F2T08ElLCEG7-R: C	60.5400	RFQ	1551	Micron Technology Inc.	-	Caja	Activo								-				557-MT29F2T08ElLCEG7-R: C			1
MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E TR	-	RFQ	1758	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto				MT29RZ4				-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1,000
MT29F2T08EMLEEJ4-M: E TR	42.9300	RFQ	6788	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo								-				557-MT29F2T08EMLEEJ4-M: ETR			2,000

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Memoria (10402)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²