SIC
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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53B1024M64D8WF-062 WT ES: D -
RFQ
 ECAD 4961 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B1024 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.190 1.6 GHz Volante 64 GBIT Dracma 1g x 64 - -
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAH4-AITX: E 3.7059
RFQ
 ECAD 3848 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F2G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.260 No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 Paralelo -
MT47H64M16HR-25E XIT:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E XIT: H TR -
RFQ
 ECAD 2001 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1,000 400 MHz Volante 1 gbit 400 ps Dracma 64m x 16 Paralelo 15ns
MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT -
RFQ
 ECAD 5136 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 137-vfbga MT29C4G48 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 137-vfbga (13x10.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz No Volátil, Volátil 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) Flash, ram 256M x 16 (NAND), 64M x 32 (LPDRAM) Paralelo -
NAND256R3A2BZA6E Micron Technology Inc. Nand256r3a2bza6e -
RFQ
 ECAD 1702 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 55-TFBGA Nand256 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 55-vfbga (8x10) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.518 No Volátil 256Mbit 50 ns Destello 32m x 8 Paralelo 50ns
MT29F256G08CJAAAWP-ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CJAAAWP-ITZ: A -
RFQ
 ECAD 1439 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F256G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 960 No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
MT53E1G64D4HJ-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E1G64D4HJ-046 WT: A 47.4300
RFQ
 ECAD 3713 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT53E1G64D4HJ-046WT: A 1
MT41K128M16V89C3WC1 Micron Technology Inc. MT41K128M16V89C3WC1 5.6000
RFQ
 ECAD 1259 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) MT41K128M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 Volante 2 GBIT Dracma 128m x 16 Paralelo -
EMB4432BBBBJ-DV-F-D Micron Technology Inc. EMB4432BBBBJ-DV-FD -
RFQ
 ECAD 7586 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo EMB4432 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 2,100
MT58L1MY18DT-10 Micron Technology Inc. MT58L1MY18DT-10 18.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP Sram - Estándar 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz Volante 18mbit 5 ns Sram 1m x 18 Paralelo -
M25PX16STVZM6TP TR Micron Technology Inc. M25PX16STVZM6TP TR -
RFQ
 ECAD 8644 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa M25PX16 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 24-TBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0071 2.500 75 MHz No Volátil 16mbit Destello 2m x 8 SPI 15 ms, 5 ms
MT35XL512ABA1G12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT35XL512ABA1G12-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 3780 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ - MT35X Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 24-tbGa MT35XL512 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT35XL512ABA1G12-0SITTR 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 133 MHz No Volátil 512Mbit Destello 64m x 8 Autobús xcela -
MT48H8M32LFB5-10 IT TR Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-10 IT TR -
RFQ
 ECAD 2341 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT48H8M32 SDRAM - LPSDR MÓVIL 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (8x13) descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 100 MHz Volante 256Mbit 7 ns Dracma 8m x 32 Paralelo 15ns
MT25TL01GHBB8E12-0AAT Micron Technology Inc. MT25TL01GHBB8E12-0AAT -
RFQ
 ECAD 6351 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa MT25TL01 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.122 133 MHz No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
M29W640GSL70ZS6F TR Micron Technology Inc. M29W640GSL70ZS6F TR -
RFQ
 ECAD 8643 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64 lbGa M29W640 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1.800 No Volátil 64 Mbbit 70 ns Destello 8m x 8, 4m x 16 Paralelo 70ns
MT29C1G12MAACAFAKD-6 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACAFAKD-6 IT -
RFQ
 ECAD 1733 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 137-TFBGA MT29C1G12 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 137-TFBGA (10.5x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz No Volátil, Volátil 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) Flash, ram 128m x 8 (nand), 16m x 32 (LPDRAM) Paralelo -
MT29F32G08AFACAWP-Z:C TR Micron Technology Inc. MT29F32G08AFACAWP-Z: C TR -
RFQ
 ECAD 2684 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F32G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 32 GBIT Destello 4g x 8 Paralelo -
MT29F128G08AUCBBH3-12:B Micron Technology Inc. MT29F128G08AUCBBH3-12: B -
RFQ
 ECAD 8531 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 lbGa MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 100 lbGa (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NH-062 WT: C TR -
RFQ
 ECAD 4630 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 272-WFBGA MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 272-WFBGA (15x15) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
MT41K512M16TNA-125:E TR Micron Technology Inc. MT41K512M16TNA-125: E TR -
RFQ
 ECAD 3160 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (10x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 800 MHz Volante 8 gbit 13.5 ns Dracma 512m x 16 Paralelo -
MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-M Micron Technology Inc. MT29F64G08CBedBL84C3WC1-M -
RFQ
 ECAD 1075 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie Morir MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V Morir - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
M29W200BB70N6E Micron Technology Inc. M29W200BB70N6E -
RFQ
 ECAD 2516 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W200 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 96 No Volátil 2 mbit 70 ns Destello 256k x 8, 128k x 16 Paralelo 70ns
MT29F8G01ADAFD12-AATES:F Micron Technology Inc. MT29F8G01ADAFD12-AATES: F -
RFQ
 ECAD 9404 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie - MT29F8G01 Flash - Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.122 No Volátil 8 gbit Destello 8g x 1 SPI -
MT47H64M16HR-25 IT:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25 IT: H -
RFQ
 ECAD 6348 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1,000 400 MHz Volante 1 gbit 400 ps Dracma 64m x 16 Paralelo 15ns
MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F32G08ABAAAWP-ITZ: A TR 38.7300
RFQ
 ECAD 9683 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F32G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 32 GBIT Destello 4g x 8 Paralelo -
MT41K128M16JT-107 IT:K Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-107 IT: K 4.5806
RFQ
 ECAD 1667 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.368 933 MHz Volante 2 GBIT 20 ns Dracma 128m x 16 Paralelo -
MT41K256M16TW-107 AT:P Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 EN: P -
RFQ
 ECAD 5245 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) MT41K256M16TW-107AT: P EAR99 8542.32.0036 1 933 MHz Volante 4 gbit 20 ns Dracma 256m x 16 Paralelo -
MT62F1G32D2DS-023 FAAT:C TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 FAAT: C TR 31.9350
RFQ
 ECAD 5872 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 200 WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-023FAAT: CTR 2,000 3.2 GHz Volante 32 GBIT Dracma 1g x 32 Paralelo -
MT29F128G08CECDBJ4-6R:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CECDBJ4-6R: D TR -
RFQ
 ECAD 5317 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
M45PE10S-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M45PE10S-VMN6TP TR -
RFQ
 ECAD 8294 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) M45PE10 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0071 2.500 75 MHz No Volátil 1 mbit Destello 128k x 8 SPI 3 ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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