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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT47H16M16BG-3 IT:B TR Micron Technology Inc. MT47H16M16BG-3 IT: B TR -
RFQ
 ECAD 7483 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 84-FBGA MT47H16M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0024 1,000 333 MHz Volante 256Mbit 450 ps Dracma 16m x 16 Paralelo 15ns
MT53D512M32D2DS-046 AIT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-046 AIT: D TR -
RFQ
 ECAD 3752 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 - -
M28W160CB90N6 Micron Technology Inc. M28W160CB90N6 -
RFQ
 ECAD 2333 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M28W160 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 96 No Volátil 16mbit 90 ns Destello 1m x 16 Paralelo 90ns
EDB2432BCPA-8D-F-D Micron Technology Inc. EDB2432BCPA-8D-FD -
RFQ
 ECAD 4547 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 168-WFBGA Edb2432 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1.260 400 MHz Volante 2 GBIT Dracma 64m x 32 Paralelo -
MT28EW01GABA1LPC-0AAT TR Micron Technology Inc. MT28EW01GABA1LPC-0AAT TR -
RFQ
 ECAD 9636 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 64 lbGa MT28EW01 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64 LBGA (11x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 No Volátil 1 gbit 105 ns Destello 128m x 8, 64m x 16 Paralelo 60ns
MT62F1G64D8EK-031 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D8EK-031 AAT: B TR 62.0700
RFQ
 ECAD 4623 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 441-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1G64D8EK-031AAT: BTR 1.500 3.2 GHz Volante 64 GBIT Dracma 1g x 64 Paralelo -
MT53E4G32D8CY-046 WT:C Micron Technology Inc. MT53E4G32D8CY-046 WT: C 90.4650
RFQ
 ECAD 9649 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo -25 ° C ~ 85 ° C - - SDRAM - Mobile LPDDR4 - - - 557-MT53E4G32D8CY-046WT: C 1 2.133 GHz Volante 128 GBIT Dracma 4g x 32 Paralelo -
MT53E128M32D2FW-046 AUT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2FW-046 AUT: A TR 8.7450
RFQ
 ECAD 8649 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montaje en superficie 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E128M32D2FW-046AUT: ATR 2,000 2.133 GHz Volante 4 gbit 3.5 ns Dracma 128m x 32 Paralelo 18ns
MT35XU02GCBA1G12-0AUT TR Micron Technology Inc. MT35XU02GCBA1G12-0AUT TR -
RFQ
 ECAD 1661 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ - MT35X Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 24-tbGa MT35XU02 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 24-T-PBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 200 MHz No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 Autobús xcela -
MT41K512M8DA-125:P Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-125: P -
RFQ
 ECAD 6238 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.440 800 MHz Volante 4 gbit 13.5 ns Dracma 512m x 8 Paralelo -
JS28F512M29AWHB TR Micron Technology Inc. JS28F512M29AWHB TR -
RFQ
 ECAD 6045 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) JS28F512M29 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 56-TSOP - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1.600 No Volátil 512Mbit 100 ns Destello 32m x 16 Paralelo 100ns
MT51K128M32HF-60 N:B TR Micron Technology Inc. MT51K128M32HF-60 N: B TR -
RFQ
 ECAD 9032 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 170-TFBGA MT51K128 SGRAM - GDDR5 - 170-FBGA (12x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 8542.32.0071 2,000 1.5 GHz Volante 4 gbit RAM 128m x 32 Paralelo -
MTFC8GLDDQ-4M IT Micron Technology Inc. Mtfc8glddq-4m it -
RFQ
 ECAD 1441 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 100 lbGa MTFC8 Flash - nand 1.65V ~ 3.6V 100 lbGa (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 980 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 MMC -
MT46V128M4TG-5B:D TR Micron Technology Inc. MT46V128M4TG-5B: D TR 15.5000
RFQ
 ECAD 879 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) MT46V128M4 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-TSOP descascar Rohs no conforme 4 (72 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 200 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 128m x 4 Paralelo 15ns
MT46V64M8TG-5B IT:J Micron Technology Inc. MT46V64M8TG-5B IT: J -
RFQ
 ECAD 1835 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) Mt46v64m8 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0028 1,000 200 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
M58LR256KT70ZQ5E Micron Technology Inc. M58LR256KT70ZQ5E -
RFQ
 ECAD 1774 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 88-TFBGA M58LR256 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 88-TFBGA (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 253 66 MHz No Volátil 256Mbit 70 ns Destello 16m x 16 Paralelo 70ns
PC28F256P30T2E Micron Technology Inc. PC28F256P30T2E -
RFQ
 ECAD 5109 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA PC28F256 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 64-Easybga (10x13) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 864 No Volátil 256Mbit 100 ns Destello 16m x 16 Paralelo 100ns
MTFC128GAJAEDN-IT TR Micron Technology Inc. Mtfc128gajaedn-it tr 114.0000
RFQ
 ECAD 2608 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 169-LFBGA MTFC128 Flash - nand - 169-LFBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 1Tbit Destello 128g x 8 MMC -
MTFC32GAPALNA-AIT ES Micron Technology Inc. MTFC32GAPALNA-AIT ES -
RFQ
 ECAD 4188 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 100 TBGA Mtfc32g Flash - nand - 100 TBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 980 No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 MMC -
MT53D384M32D2DS-053 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 AAT: C TR -
RFQ
 ECAD 5153 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53D384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 2,000 1.866 GHz Volante 12 gbit Dracma 384m x 32 - -
N25Q128A13B1241F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13B1241F TR -
RFQ
 ECAD 5344 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa N25Q128A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 108 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI 8 ms, 5 ms
MT28FW512ABA1LJS-0AAT Micron Technology Inc. MT28FW512ABA1LJS-0AAT -
RFQ
 ECAD 3621 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT28FW512 Flash - Ni 1.7V ~ 3.6V 56-TSOP - Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 576 No Volátil 512Mbit 105 ns Destello 32m x 16 Paralelo 60ns
MT40A2G8FSE-083E:A Micron Technology Inc. MT40A2G8FSE-083E: A -
RFQ
 ECAD 7644 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9.5x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.020 1.2 GHz Volante 16 gbit Dracma 2G x 8 Paralelo -
MT29F1G08ABCHC:C TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABCHC: C TR -
RFQ
 ECAD 2427 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F1G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (10.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 Paralelo -
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B Micron Technology Inc. MT29E384G08EBHBBJ4-3: B -
RFQ
 ECAD 5304 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29E384G08 Flash - nand 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.120 333 MHz No Volátil 384 GBIT Destello 48g x 8 Paralelo -
MT28HL08GNBB3EBK-0GCT Micron Technology Inc. MT28HL08GNBB3EBK-0GCT 33.0000
RFQ
 ECAD 8772 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo MT28HL08 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 270
MT62F3G32D8DV-023 FAAT:B Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-023 FAAT: B 94.8300
RFQ
 ECAD 6924 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo -40 ° C ~ 105 ° C - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-023FAAT: B 1 4.266 GHz Volante 96 GBIT Dracma 3G x 32 Paralelo -
MT46V32M8P-6T IT:G Micron Technology Inc. Mt46v32m8p-6t it: g -
RFQ
 ECAD 5382 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) Mt46v32m8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 167 MHz Volante 256Mbit 700 PS Dracma 32m x 8 Paralelo 15ns
MT29F512G08CKCABH7-10:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCABH7-10: A -
RFQ
 ECAD 9323 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 557-MT29F512G08CKCABH7-10: A Obsoleto 980
NAND512R3A2CZA6E Micron Technology Inc. Nand512r3a2cza6e -
RFQ
 ECAD 9739 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-TFBGA Nand512 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (9x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -Nand512r3a2cza6e 3A991B1A 8542.32.0071 210 No Volátil 512Mbit 50 ns Destello 64m x 8 Paralelo 50ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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