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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F64G8CBABAL84A3WC1 | - |  | 9423 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | MT29F64G8 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | |||||
| MT42L256M32D2LK-25 WT: A TR | - | | 9619 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 216-WFBGA | MT42L256M32 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.3V | 216-FBGA (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | Paralelo | - | ||||
 | MT58L64L32FT-10IT | 4.4300 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Sram - Estándar | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 66 MHz | Volante | 2 mbit | 10 ns | Sram | 64k x 32 | Paralelo | - | |||
| Edb4432bbbj-1daat-fd | - | | 8621 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-WFBGA | Edb4432 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-FBGA (10x11.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,100 | 533 MHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | Paralelo | - | |||
 | MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT TR | - | | 3471 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | MT25QL512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | |||
 | TE28F128P33T85A | - | | 7973 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | 28F128P33 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 40 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 85 ns | Destello | 8m x 16 | Paralelo | 85ns | ||
 | MT41J256M8HX-15E: D TR | - | | 8321 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41J256M8 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-FBGA (9x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 667 MHz | Volante | 2 GBIT | 13.5 ns | Dracma | 256m x 8 | Paralelo | - | ||
 | MT46V32M8TG-75: G | - | | 9050 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | Mt46v32m8 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | 750 ps | Dracma | 32m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | Mtfc64gajaedq-aat | - | | 6783 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 lbGa | MTFC64 | Flash - nand | - | 100 lbGa (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | MMC | - | ||||
| M29F400FT55M3T2 TR | - | | 8397 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-SOICO (0.496 ", 12.60 mm de ancho) | M29F400 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 44-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 500 | No Volátil | 4mbit | 55 ns | Destello | 512k x 8, 256k x 16 | Paralelo | 55ns | ||||
 | Mt29f4g16abadawp-it: D | - | | 9624 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F4G16 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 256m x 16 | Paralelo | - | ||||||
 | MT45W1MW16BDGB-708 EN TR | - | | 7934 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT45W1MW16 | Psram (pseudo sram) | 1.7V ~ 1.95V | 54-vfbga (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 16mbit | 70 ns | Psram | 1m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
| MT41J128M8DA-093: J | - | | 3076 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | MT41J128M8 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 100 | |||||||||||||||||
 | Nand128w3a0bn6e | - | | 4710 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Nand128 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 128 Mbbit | 50 ns | Destello | 16m x 8 | Paralelo | 50ns | |||
| MT46H32M32LFCG-6 IT: A | - | | 4308 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-vfbga | MT46H32M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 152-vfbga (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 1 gbit | 5 ns | Dracma | 32m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT53D1024M32D4DT-046 AAT ES: D | - | | 2010 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | - | - | ||||
 | MT47H512M4THN-37E: E TR | - | | 5142 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 63-TFBGA | MT47H512M4 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 63-FBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0036 | 1,000 | 267 MHz | Volante | 2 GBIT | 500 ps | Dracma | 512m x 4 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT29F2G16ABBEAHC: E TR | - | | 9183 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F2G16 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (10.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 128m x 16 | Paralelo | - | ||||
| Mt53d4dbka-dc | - | | 4529 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Descontinuado en sic | MT53D4 | - | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1.140 | |||||||||||||||||||
 | RC28F128P33B85A | - | | 5268 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 64-TBGA | RC28F128 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 64-Easybga (8x10) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | 52 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 85 ns | Destello | 8m x 16 | Paralelo | 85ns | ||
 | N25Q512A13G1241F TR | - | | 3240 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | N25Q512A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 108 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 128m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||
| MT53B1024M64D8WF-062 WT ES: D | - | | 4961 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.190 | 1.6 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | - | - | |||||
 | MT29F4G01ABAFDWB-IT: F | - | | 6253 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn | MT29F4G01 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 8 updfn (8x6) (MLP8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -MT29F4G01ABAFDWB-IT: FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.560 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 4g x 1 | SPI | - | |||
| M58WR064KU70ZA6F TR | - | | 7982 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 88-vfbga | M58WR064 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 88-vfbga (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 66 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 70 ns | Destello | 4m x 16 | Paralelo | 70ns | ||
 | MT48LC2M32B2TG-55: G TR | - | | 8213 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC2M32B2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 183 MHz | Volante | 64 Mbbit | 5 ns | Dracma | 2m x 32 | Paralelo | - | ||
| MT53B256M64D2NK-053 WT: C | - | | 3184 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.190 | 1.866 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 256m x 64 | - | - | ||||
 | M25PX32-VZM6FBA TR | - | | 5671 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | M25PX32 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 75 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||
 | MT40A1G4RH-075E: B | - | | 1551 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A1G4 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (9x10.5) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.260 | 1.33 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 1g x 4 | Paralelo | - | |||||
| MT48LC2M32B2P-6A IT: J | - | | 2534 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC2M32B2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.080 | 167 MHz | Volante | 64 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 2m x 32 | Paralelo | 12ns | ||
 | MT46H128M32L2KQ-5 IT: B | - | | 7759 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 168-WFBGA | MT46H128M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 168-WFBGA (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 4 gbit | 5 ns | Dracma | 128m x 32 | Paralelo | 15ns |
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