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Memoria (1)
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS25WE512M-RMLE-TY | 8.5448 |  | 9100 | 0.00000000 | Nearson Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Ni | 1.7V ~ 1.95V | 16-soico | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25WE512M-RMLE-TY | 176 | 112 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 50 µs, 1 ms |
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