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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CY7C1250V18-333BZXC | 95.3400 |  | 121 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1250 | Sram - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (15x17) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 333 MHz | Volante | 36 mbit | Sram | 1m x 36 | Paralelo | - | Sin verificado | |||||
 | W25N512GWBIT | - | | 7410 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | W25N512 | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25N512GWBIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | No Volátil | 512Mbit | 7 ns | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O | 700 µs | ||
 | M3016316045NX0PTBY | 53.6280 | | 1308 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | Mram (Ram Magnetoresistivo) | 2.7V ~ 3.6V | 54-TSOP | - | ROHS3 Cumplante | 800-M3016316045NX0PTBY | 96 | No Volátil | 16mbit | 45 ns | RAM | 1m x 16 | Paralelo | 45ns | ||||||||
 | AT24C04C-MAHM-T | 0.3200 | | 6911 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-Ufdfn Padera Expunesta | AT24C04 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-udfn (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | No Volátil | 4 kbits | 550 ns | Eeprom | 512 x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | W632GU8MB15I TR | - | | 9175 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-vfbga | W632GU8 | SDRAM - DDR3 | 1.283V ~ 1.45V | 78-vfbga (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 667 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | - | |||
| C-2400D4DR4RN/32G | 120.0000 | | 7548 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-C-2400D4DR4RN/32G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| CG8337AA | - | | 6423 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 490 | |||||||||||||||||||
 | CY7C1021B-15ZCT | 1.8900 | | 2 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | CY7C1021 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 44-TSOP II | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 1 mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 15ns | ||||
 | Mx25v1635fm2i | 0.7100 | | 49 | 0.00000000 | Macronix | Mxsmio ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Mx25v1635 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 92 | 80 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | 100 µs, 4ms | ||||
| 7100790-C | 67.5000 | | 1306 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-7100790-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 24FC01-E/ST | 0.3200 | | 14 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | 24FC01 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | No Volátil | 1 kbit | 450 ns | Eeprom | 128 x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | 7078072-C | 268.7500 | | 8797 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-7078072-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| MT62F512M32D2DS-031 AAT: B TR | 17.4150 | | 3865 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F512M32D2DS-031AAT: BTR | 2,000 | 3.2 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | Paralelo | - | |||||||||
 | S25FL256SAGMFAG10 | 5.3100 | | 11 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | FL-S | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | S25FL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | 57 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | Sin verificado | ||||||||
 | CY7C1041BN-15VI | - | | 8532 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | CY7C1041 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 44-SOJ | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 4mbit | 15 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 15ns | ||||
 | 7164L85TDB | - | | 8061 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 28-CDIP (0.300 ", 7.62 mm) | 7164L | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 28 CDIP | descascar | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 64 kbits | 85 ns | Sram | 8k x 8 | Paralelo | 85ns | |||||||
 | W25M02GVTCIG | - | | 3107 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | W25M02 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25M02GVTCIG | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | No Volátil | 2 GBIT | 7 ns | Destello | 256m x 8 | SPI - Quad I/O | 700 µs | ||
| S26361-F3843-E617-C | 110.0000 | | 1466 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-S26361-F3843-E617-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| C-1333D3DRLPR/8G | 62.5000 | | 2891 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-C-133333D3DRLPR/8G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| IS46LQ16256Al-062TBLA1 | 14.3129 | | 1946 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ16256AL-062TBLA1 | 136 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | 3.5 ns | Dracma | 256m x 16 | Lvstl | 18ns | ||||||
 | S34ML04G104BHI010 | - | | 1907 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Ml-1 | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | S34ml04 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-BGA (11x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 256m x 16 | Paralelo | 25ns | |||||
| S98FL512SDSMFBG00 | 7.5145 | | 7829 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 240 | |||||||||||||||||||||
 | S29GL064N90TFVR20 | - | | 5433 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-N | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S29GL064 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | No Volátil | 64 Mbbit | 90 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 90ns | ||||
| IS43TR16512BL-107MBL-TR | 18.3008 | | 9409 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-TWBGA (10x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43TR16512BL-107MBL-TR | 2,000 | 933 MHz | Volante | 8 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 15ns | ||||||
 | NDS76PT5-16IT | 2.2048 | | 2923 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDS76P | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 1982-NDS76PT5-16IT | 108 | 166 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5 ns | Dracma | 8m x 16 | Lvttl | 12ns | ||||||
| SM671PBB-AFST | - | | 9308 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-ufs ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 153-TFBGA | SM671 | Flash - Nand (TLC) | - | 153-BGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1984-SM671PBB-AFST | 1 | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||
 | BR93G56FVT-3BGE2 | - | | 8760 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | BR93G56 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-TSOP-B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 3 MHz | No Volátil | 2 kbits | Eeprom | 128 x 16 | Microondas | 5 ms | ||||
 | Cy7C1472BV33-200BZC | 138.6700 | | 42 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Nobl ™ | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1472 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 165-FBGA (15x17) | descascar | Rohs no conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200 MHz | Volante | 72Mbit | 3 ns | Sram | 4m x 18 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||
 | S29VS256RABBHI000 | 52.6400 | | 221 | 0.00000000 | Infineon Technologies | VS-R | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-vfbga | S29VS256 | Flash - Ni | 1.7V ~ 1.95V | 44-FBGA (7.5x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 2832-S29VS256RABBHI000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 377 | 108 MHz | No Volátil | 256Mbit | 80 ns | Destello | 16m x 16 | Paralelo | 60ns | ||
 | S29JL032J70TFI320 | - | | 3686 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Jl-j | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S29JL032 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | descascar | 1 | No Volátil | 32Mbit | 70 ns | Destello | 4m x 8, 2m x 16 | Paralelo | 70ns | Sin verificado |
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