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Gestión de Energía (PMIC) (1138)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Cuidadas | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Voltaje - Entrada | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Ratio - Entrada: Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | Corriente - Salida / Canal | Voltaje - Suministro (VCC/VDD) | Interfaz | Número de Salidas | Real - Obliescent (IQ) | Real - Suministro (Max) | Interruptor interno (s) | Topología | Protección Contra Fallas | Caracteríssticas de control | Voltaje - Suministro (Max) | Configuración de salida | Método de Detección | Exacto | Corriente - Salida | RDS ON (typ) | Voltaje - Carga | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | Atenuación | Voltaje - Suministro (min) | Voltaje - Salida | TUPO DE INTERRUPTOR | Corriente - Salida (Max) | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Voltaje - Salida (Max) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TCR2LF27, LM (CT | 0.0721 |  | 4075 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2LF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR2LF27 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.7V | - | 1 | 0.38V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR5AM105, LF | 0.1344 | | 1346 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR5AM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR5AM105 | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 55 µA | 68 µA | Permiso | Positivo | 500mA | 1.05V | - | 1 | 0.25V @ 500 mA | 70dB ~ 40dB (1kHz ~ 10Hz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EF20, LM (CT | 0.3300 | | 8680 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR2EF20 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2V | - | 1 | 0.31V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2DG15, LF | 0.1394 | | 8750 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2DG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | TCR2DG15 | 5.5V | Fijado | 4-WCSP (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | - | Positivo | 200 MMA | 1.5V | - | 1 | 0.5V @ 100 Ma | - | Incrustar Corriente, Sobre Corriente, Apagado Térmico | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tc78h620fng | - | | 5180 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 16-LSSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | TC78H620 | DMOS | 2.7V ~ 5.5V | 16-ssop | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 1A | 2.5V ~ 15V | Unipolar | DC Cepillado | 1, 1/2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62783AFG | - | | 4149 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 18-SOICO (0.276 ", 7.00 mm de ancho) | - | TBD62783 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 18-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 8 | - | Lado Alto | - | 50V (Máximo) | Propósito general | 500mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb62747afnag, el | - | | 7768 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | Montaje en superficie | 24-ssop (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Lineal | TB62747 | - | 24-ssop | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 45mA | 16 | Si | Registro de Turno | 5.5V | - | 3V | 26 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb6603ftg, 8, el | - | | 9832 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | - | Montaje en superficie | 36 WFQFN almohadilla exposición | TB6603 | - | - | 36-Qfn (6x6) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador: Conmutacia, Gestión de Dirección | - | Pre -conductor - Medio Puente (3) | - | 30V | - | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb663333afng, el | - | | 8641 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 24-LSSOP (0.220 ", 5.60 mm de Ancho) | TB6633 | Potencia Mosfet | 5.5V ~ 22V | 24-ssop | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Cosa Análoga | Medio Puente (3) | 1A | 5.5V ~ 22V | - | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC62D748CFG, C, EL, B | - | | 5590 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | Montaje en superficie | 24-SOP (0.236 ", 6.00 mm de Ancho) | Lineal | TC62D748 | - | 24-ssop | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 90 Ma | 16 | Si | Registro de Turno | 5.5V | - | 3V | 17 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62213AHQ | - | | 3279 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Banda | Obsoleto | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | A Través del Aguetero | Cables Formados de 25 SIP | TB62213 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 25 Hzip | descascar | 1 (ilimitado) | TB62213AHQ (O) | EAR99 | 8542.39.0001 | 504 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 2.4a | 10V ~ 38V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB62215AHQ | - | | 6418 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Banda | Obsoleto | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | A Través del Aguetero | Cables Formados de 25 SIP | TB62215 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 25 Hzip | descascar | 1 (ilimitado) | TB62215AHQ (O) | EAR99 | 8542.39.0001 | 504 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 3A | 10V ~ 38V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62213Aftg, C8, EL | 1.7398 | | 3295 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-vfqfn almohadilla exposición | TB62213 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 48-Qfn (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 2.4a | 10V ~ 38V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB62210fng, C8, EL | 1.7261 | | 7838 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 24-TSOP (0.173 ", 4.40 mm) | TB62210 | DMOS | 2V ~ 5.5V | 24-HTSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | TB62210FNGC8EL | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Conductor | PWM | Medio Puente (2) | 1A | 10V ~ 38V | Bipolar | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB62215AFG, C8, EL | 1.9973 | | 5550 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 28-BSOP (0.346 ", 8.80 mm de ancho) + 2 pestañas de calor | TB62215 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 28-HSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | TB62215AFGC8EL | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 3A | 10V ~ 38V | Bipolar | DC Cepillado | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb9081fg | 8.4934 | | 7253 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Automotor | Montaje en superficie | 64-LQFP | TB9081 | Bi-CMOS | 3V ~ 5.5V | 64-LQFP (10x10) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2 (1 Año) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1.600 | Conductor | PWM, SPI | Preconductor | 4.5V ~ 28V | - | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCKE800NA, RF | 1.5200 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 10-WFDFN Pad, | Tcke800 | 4.4V ~ 18V | 10-WsonB (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Electrónico fusible | - | - | 5A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCKE812NA, RF | 1.5200 | | 17 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 10-WFDFN Pad, | TCKE812 | 4.4V ~ 18V | 10-WsonB (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Electrónico fusible | - | - | 5A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LN105, LF | - | | 9926 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2LN105 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.05V | - | 1 | 1.38v @ 150 mA | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN27, LF | - | | 4626 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2LN27 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.7V | - | 1 | 0.36V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN285, LF | - | | 5637 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2LN285 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.85V | - | 1 | 0.36V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN31, LF | - | | 4678 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2LN31 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.1V | - | 1 | 0.28V @ 150MA | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DF105, LM (CT | 0.4900 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF105 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Permiso | Positivo | 300mA | 1.05V | - | 1 | 0.77V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DF125, LM (CT | 0.0906 | | 8844 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF125 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Permiso | Positivo | 300mA | 1.25V | - | 1 | 0.62V @ 300 Ma | 70dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DF17, LM (CT | 0.0906 | | 8478 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF17 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Permiso | Positivo | 300mA | 1.7V | - | 1 | 0.47V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DF185, LM (CT | 0.0906 | | 4999 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF185 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Permiso | Positivo | 300mA | 1.85V | - | 1 | 0.4V @ 300 Ma | 70dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DF27, LM (CT | 0.0906 | | 6228 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF27 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Permiso | Positivo | 300mA | 2.7V | - | 1 | 0.31V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DG35, LF | 0.1054 | | 8756 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr3dg | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | TCR3DG35 | 5.5V | Fijado | 4-WCSPE (0.65x0.65) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Permiso | Positivo | 300mA | 3.5V | - | 1 | 0.215V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR5BM10, L3F | 0.4900 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR5BM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR5BM10 | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36 µA | Permiso | Positivo | 500mA | 1v | - | 1 | 0.135V @ 500 Ma | 98dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TAR5S18U (TE85L, F) | 0.4700 | | 388 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (5 cables), Plano Plano | Tar5s18 | 15V | Fijado | UFV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 850 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.8V | - | 1 | - | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura |
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