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Gestión de Energía (PMIC) (1138)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Cuidadas Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Corriente - Suministro Voltaje - Entrada Voltaje - Entrada (Max) Tipo de Salida Coeficiente de temperatura Ratio - Entrada: Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) ECCN Htsus Paquete estándar Amontonamiento TUPO DE REFERENCIA Voltaje - Suministro (VCC/VDD) Interfaz Número de Salidas Real - Obliescent (IQ) Real - Suministro (Max) Topología FRECUENCIA - CONMUTACIÓN Protección Contra Fallas Caracteríssticas de control Configuración de salida Rectificador Sincónnico Corriente - Salida RDS ON (typ) Voltaje - Carga TUPO de MOTOR - PASO TUPO DE MOTOR - AC, DC Resolución de Pasos TUPO DE INTERRUPTOR Corriente - Salida (Max) Voltaje - Salida (Min/Fijo) Ruido - 0.1Hz A 10Hz Ruido - 10Hz A 10 kHz Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Entrada (min) Número de reguladores El abandono de voltaje (max) PSRR Caracteríssticas de Proteción
TA76L431S(T6SOY,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S (T6SOY, AQ -
RFQ
 ECAD 2963 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto - -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA76L431 - - - - LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TCK126BG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK126BG, LF 0.4800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 4-XFBGA, CSPBGA Tasa de Matriz Controlada TCK126 No Invierte Canal P 1: 1 4-WCSPG (0.65x0.65) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 Sin requerido Encendido/apaguado 1 - Lado Alto 343mohm 1V ~ 5.5V Propósito general 1A
TA76431S,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S, T6WNLF (J -
RFQ
 ECAD 3584 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA76431 - Atenuable LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - Positivo - 2.495V 36V 1 - - -
TA58L06S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L06S, Q (J -
RFQ
 ECAD 5930 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TA58L06 29V Fijado Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1 MA 50 Ma - Positivo 250 Ma 6V - 1 0.4V @ 200MA - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
KIA78DL06PI Toshiba Semiconductor and Storage KIA78DL06PI -
RFQ
 ECAD 7915 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Activo Kia78 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 50
TCR15AGADJ,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AGADJ, LF 0.7000
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR15AG Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-xfbga, WLCSP TCR15 5.5V Atenuable 6-WCSPF (0.80x1.2) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 40 µA Permiso Positivo 1.5a 0.6V 3.6V 1 0.216V @ 1.5a 95dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo)
TCR13AGADJ,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR13AGADJ, LF 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR13AG Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-xfbga, WLCSP TCR13 6V Atenuable 6-WCSP (1.2x0.80) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 92 µA Permiso Positivo 1.3a 0.55V 3.6V 1 0.163V @ 1a 90dB (1kHz) Inrush Corriente, Sobre Corriente, Apaguado Térmico, Uvlo
TA78DS05CP,6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP, 6KEHF (M -
RFQ
 ECAD 2213 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA78DS 33V Fijado LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - Positivo 30mera 5V - 1 0.3V @ 10mA - Sobre La Corriente, La Temperatura, El Voltaje Excesivo, El Voltaje Transitorio
TCR2LE10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE10, LM (CT 0.0762
RFQ
 ECAD 4093 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2le Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-553 TCR2LE10 5.5V Fijado ESV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 1V - 1 1.4V @ 150 mm - SOBRE LA CORRIENTE
TCR2EN11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN11, LF 0.0798
RFQ
 ECAD 3856 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2en Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn TCR2EN11 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 1.1V - 1 0.65V @ 150MA 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TA78L005AP,HOTIF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP, HOTIF (M -
RFQ
 ECAD 7090 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA78L005 35V Fijado LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 6 MA - Positivo 150 Ma 5V - 1 1.7V @ 40MA (typ) 49dB (120Hz) -
TA58M05S,KDQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S, KDQ (M -
RFQ
 ECAD 2978 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TA58M05 29V Fijado Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1 MA 80 Ma - Positivo 500 µA 5V - 1 0.65V @ 500 Ma - Sobre La Corriente, Sobre La Temperatura, La Polaridad Inversa
TCR8BM30A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM30A, L3F 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR8BM Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xdfn 5.5V Fijado 5-DFNB (1.2x1.2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 36 µA Límita real, Habilitar Positivo 800mA 3V - 1 0.285V @ 800 mA - Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo)
TA58L05S,L2SUMIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S, L2SUMIQ (M -
RFQ
 ECAD 5073 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TA58L05 29V Fijado Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1 MA 50 Ma - Positivo 250 Ma 5V - 1 0.4V @ 200MA - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TCR3DF10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF10, LM (CT 0.0906
RFQ
 ECAD 6534 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR3DF Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 TCR3DF10 5.5V Fijado SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 65 µA 78 µA Permiso Positivo 300mA 1V - 1 0.77V @ 300mA 70dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TB62215AHQ,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AHQ, 8 7.3500
RFQ
 ECAD 7324 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Propósito general A Través del Aguetero Cables Formados de 25 SIP TB62215 Potencia Mosfet 4.75V ~ 5.25V 25 Hzip descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 17 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 3A 10V ~ 38V Bipolar - 1, 1/2, 1/4
TB67S512FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S512FTAG, EL 2.7700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Propósito general Montaje en superficie 36 WFQFN almohadilla exposición TB67S512 Potencia Mosfet 2V ~ 5.5V 36 WQFN (6x6) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8542.39.0001 4.000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia PWM Preconductor - Medio Puente (4) 2A 10V ~ 35V Bipolar DC Cepillado 1, 1/2, 1/4
TCR3DM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18, LF 0.3700
RFQ
 ECAD 9501 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR3DM Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-udfn almohadilla exposición TCR3DM18 5.5V Fijado 4-DFN (1x1) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 65 µA 78 µA Permiso Positivo 300mA 1.8V - 1 0.38V @ 300mA 70dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TC78B002FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B002FNG, EL 0.6056
RFQ
 ECAD 9661 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Director del Motor del Ventilador Montaje en superficie 16-LSSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) TC78B002 DMOS 3.5V ~ 16V 16-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia PWM Medio Puente (2) 1.5a 3.5V ~ 16V - DC Sin Escobillas (BLDC) -
TA4809BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA4809BF (T6L1, NQ) -
RFQ
 ECAD 4546 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TA4809 16 V Fijado Moldeado - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 1.7 Ma 20 Ma - Positivo 1A 9V - 1 0.69V @ 1a (typ) 55dB (120Hz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TC78S121FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S121FTG, EL 3.1400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Propósito general Montaje en superficie 48-vfqfn almohadilla exposición TC78S121 Potencia Mosfet 4.5V ~ 5.5V 48-Qfn (7x7) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (8) 2A 8V ~ 38V Bipolar DC Cepillado -
TAR5S25U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S25U (TE85L, F) 0.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD (5 cables), Plano Plano 15V Fijado UFV descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 850 µA Permiso Positivo 200 MMA 2.5V - 1 0.2V @ 50MA 70dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TCV7100AF(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7100AF (TE12L, Q) -
RFQ
 ECAD 4873 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn TCV71 5.5V Atenuable Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Atropellado 1 Dólar 800 kHz Positivo Si 2.5a 0.8V 5.5V 2.7V
TA48M0345F(6L1,SNQ Toshiba Semiconductor and Storage TA48M0345F (6L1, SNQ -
RFQ
 ECAD 2909 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TA48M0345 29V Fijado Moldeado descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 1.4 Ma 25 Ma - Positivo 500mA 3.45V - 1 0.65V @ 500 Ma 70dB (120Hz) Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Sobre Voltaje, Polaridad Inversa
TCR3UG27A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG27A, LF 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr3ug Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-xfbga, WLCSP TCR3UG27 5.5V Fijado 4-WCSP-F (0.65x0.65) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 680 na Permiso Positivo 300mA 2.7V - 1 0.327V @ 300mA 70dB (1kHz) Incrustar Corriente, Sobre Corriente, Apagado Térmico
TB62215AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFNG, C8, EL 3.6500
RFQ
 ECAD 4786 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Propósito general Montaje en superficie 48-TFSOP (0.240 ", 6.10 mm de ancho) Almohadilla exposición TB62215 Potencia Mosfet 4.75V ~ 5.25V 48 htssop descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 1,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 3A 10V ~ 38V Bipolar - 1, 1/2, 1/4
TA58L05S(SUMIS,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S (Sumis, AQ) -
RFQ
 ECAD 7219 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TA58L05 29V Fijado Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1 MA 50 Ma - Positivo 250 Ma 5V - 1 0.4V @ 200MA - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TCR2LN32,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN32, LF 0.0896
RFQ
 ECAD 9032 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2ln Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn TCR2LN32 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 3.2V - 1 0.28V @ 150MA - SOBRE LA CORRIENTE
TA48S09AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S09AF (T6L1, Q) -
RFQ
 ECAD 9154 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO-252-6, DPAK (5 cables + Pestaña) TA48S09 16 V Fijado 5-Vesas descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 1.7 Ma 20 Ma Permiso Positivo 1A 9V - 1 0.69V @ 1a (typ) 55dB (120Hz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TB62261FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tb62261ftg, el 1.1819
RFQ
 ECAD 5801 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Aparato Montaje en superficie 48-WFQFN PADS EXPUESTA TB62261 Potencia Mosfet 4.75V ~ 5.25V 48-WQFN (7x7) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 4.000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 1.4a 10V ~ 38V Bipolar DC Cepillado 1, 1/2, 1/4
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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