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Gestión de Energía (PMIC) (1138)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Cuidadas | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Ratio - Entrada: Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | Corriente - Salida / Canal | Voltaje - Suministro (VCC/VDD) | Interfaz | Número de Salidas | Real - Obliescent (IQ) | Real - Suministro (Max) | Interruptor interno (s) | Topología | FRECUENCIA - CONMUTACIÓN | Protección Contra Fallas | Caracteríssticas de control | Voltaje - Suministro (Max) | Configuración de salida | Rectificador Sincónnico | Corriente - Salida | RDS ON (typ) | Voltaje - Carga | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | Atenuación | Voltaje - Suministro (min) | Voltaje - Salida | TUPO DE INTERRUPTOR | Corriente - Salida (Max) | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Entrada (min) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TCR15AGADJ, LF | 0.7000 |  | 18 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR15AG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-xfbga, WLCSP | TCR15 | 5.5V | Atenuable | 6-WCSPF (0.80x1.2) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 40 µA | Permiso | Positivo | 1.5a | 0.6V | 3.6V | 1 | 0.216V @ 1.5a | 95dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR13AGADJ, LF | 0.4500 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR13AG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-xfbga, WLCSP | TCR13 | 6V | Atenuable | 6-WCSP (1.2x0.80) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 92 µA | Permiso | Positivo | 1.3a | 0.55V | 3.6V | 1 | 0.163V @ 1a | 90dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre Corriente, Apaguado Térmico, Uvlo | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA78DS05CP, 6KEHF (M | - | | 2213 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78DS | 33V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 1 MA | - | Positivo | 30mera | 5V | - | 1 | 0.3V @ 10mA | - | Sobre La Corriente, La Temperatura, El Voltaje Excesivo, El Voltaje Transitorio | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LE10, LM (CT | 0.0762 | | 4093 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2LE10 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1V | - | 1 | 1.4V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EN11, LF | 0.0798 | | 3856 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2en | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2EN11 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.1V | - | 1 | 0.65V @ 150MA | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78L005AP, HOTIF (M | - | | 7090 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78L005 | 35V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6 MA | - | Positivo | 150 Ma | 5V | - | 1 | 1.7V @ 40MA (typ) | 49dB (120Hz) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA58M05S, KDQ (M | - | | 2978 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58M05 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 80 Ma | - | Positivo | 500 µA | 5V | - | 1 | 0.65V @ 500 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre La Temperatura, La Polaridad Inversa | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR8BM30A, L3F | 0.4600 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR8BM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 800mA | 3V | - | 1 | 0.285V @ 800 mA | - | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA58L05S, L2SUMIQ (M | - | | 5073 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L05 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 5V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DF10, LM (CT | 0.0906 | | 6534 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF10 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 65 µA | 78 µA | Permiso | Positivo | 300mA | 1V | - | 1 | 0.77V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62215AHQ, 8 | 7.3500 | | 7324 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | A Través del Aguetero | Cables Formados de 25 SIP | TB62215 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 25 Hzip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 17 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 3A | 10V ~ 38V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S512FTAG, EL | 2.7700 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 36 WFQFN almohadilla exposición | TB67S512 | Potencia Mosfet | 2V ~ 5.5V | 36 WQFN (6x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Preconductor - Medio Puente (4) | 2a | 10V ~ 35V | Bipolar | DC Cepillado | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR5SB30A (T5L, F, T) | - | | 3406 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR5SB | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR5SB30 | 6V | Fijado | SMV | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 75 µA | Permiso | Positivo | 150 Ma | 3V | - | 1 | 0.19V @ 50MA | 80dB (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DM18, LF | 0.3700 | | 9501 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | TCR3DM18 | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 65 µA | 78 µA | Permiso | Positivo | 300mA | 1.8V | - | 1 | 0.38V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC78B002FNG, EL | 0.6056 | | 9661 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Director del Motor del Ventilador | Montaje en superficie | 16-LSSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | TC78B002 | DMOS | 3.5V ~ 16V | 16-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Medio Puente (2) | 1.5a | 3.5V ~ 16V | - | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA4809BF (T6L1, NQ) | - | | 4546 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | TA4809 | 16 V | Fijado | Moldeado | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 1.7 Ma | 20 Ma | - | Positivo | 1A | 9V | - | 1 | 0.69V @ 1a (typ) | 55dB (120Hz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC78S121FTG, EL | 3.1400 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-vfqfn almohadilla exposición | TC78S121 | Potencia Mosfet | 4.5V ~ 5.5V | 48-Qfn (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (8) | 2a | 8V ~ 38V | Bipolar | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TAR5S25U (TE85L, F) | 0.5000 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (5 cables), Plano Plano | 15V | Fijado | UFV | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 850 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.5V | - | 1 | 0.2V @ 50MA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCV7100AF (TE12L, Q) | - | | 4873 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | TCV71 | 5.5V | Atenuable | Avance 8-SOP (5x5) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Atropellado | 1 | Dólar | 800 kHz | Positivo | Si | 2.5a | 0.8V | 5.5V | 2.7V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA48M0345F (6L1, SNQ | - | | 2909 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | TA48M0345 | 29V | Fijado | Moldeado | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 1.4 Ma | 25 Ma | - | Positivo | 500mA | 3.45V | - | 1 | 0.65V @ 500 Ma | 70dB (120Hz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Sobre Voltaje, Polaridad Inversa | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3UG27A, LF | 0.4700 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr3ug | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-xfbga, WLCSP | TCR3UG27 | 5.5V | Fijado | 4-WCSP-F (0.65x0.65) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 680 na | Permiso | Positivo | 300mA | 2.7V | - | 1 | 0.327V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Incrustar Corriente, Sobre Corriente, Apagado Térmico | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62215AFNG, C8, EL | 3.6500 | | 4786 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.240 ", 6.10 mm de ancho) Almohadilla exposición | TB62215 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 48 htssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 3A | 10V ~ 38V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA58L05S (Sumis, AQ) | - | | 7219 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L05 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 5V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN32, LF | 0.0896 | | 9032 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2LN32 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.2V | - | 1 | 0.28V @ 150MA | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA48S09AF (T6L1, Q) | - | | 9154 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-252-6, DPAK (5 cables + Pestaña) | TA48S09 | 16 V | Fijado | 5-Vesas | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 1.7 Ma | 20 Ma | Permiso | Positivo | 1A | 9V | - | 1 | 0.69V @ 1a (typ) | 55dB (120Hz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK323G, LF | 1.5000 | | 16 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-UFBGA, CSPBGA | Tasa de Matriz Controlada, Bandera de Estado | TCK323 | - | N-canal | 2: 1 | 16-WCSPC (1.9x1.9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Temperatura Sobre Voltaje, Corriente Inversa, Uvlo | Lado Alto | 98mohm | 2.3V ~ 36V | Propósito general | 2a | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Tb62261ftg, el | 1.1819 | | 5801 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Aparato | Montaje en superficie | 48-WFQFN PADS EXPUESTA | TB62261 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 48-WQFN (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 1.4a | 10V ~ 38V | Bipolar | DC Cepillado | 1, 1/2, 1/4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tbd62183afng, el | 1.2000 | | 8608 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 18-LSSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | - | TBD62183 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 18-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 2.8V ~ 25V | - | 8 | - | Lado Bajo | - | 50V (Máximo) | Propósito general | 50mera | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3UG08A, LF | 0.4700 | | 4143 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr3ug | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-xfbga, WLCSP | TCR3UG08 | 5.5V | Fijado | 4-WCSP-F (0.65x0.65) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 580 na | Permiso | Positivo | 300mA | 0.8V | - | 1 | 1.257v @ 300 mA | 70dB (1kHz) | Incrustar Corriente, Sobre Corriente, Apagado Térmico | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC62D749CFG, C, EL, B | - | | 2473 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | Montaje en superficie | 24-SOP (0.236 ", 6.00 mm de Ancho) | Lineal | TC62D749 | - | 24-ssop | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 90 Ma | 16 | Si | Registro de Turno | 5.5V | - | 3V | 17 V |
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