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Gestión de Energía (PMIC) (1138)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Cuidadas Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Corriente - Suministro Voltaje - Entrada Voltaje - Entrada (Max) Tipo de Salida Coeficiente de temperatura Ratio - Entrada: Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Amontonamiento Corriente - Salida / Canal TUPO DE REFERENCIA Voltaje - Suministro (VCC/VDD) Interfaz Número de Salidas Real - Obliescent (IQ) Real - Suministro (Max) Interruptor interno (s) Topología FRECUENCIA - CONMUTACIÓN Protección Contra Fallas Caracteríssticas de control Voltaje - Suministro (Max) Configuración de salida Rectificador Sincónnico Corriente - Salida RDS ON (typ) Voltaje - Carga TUPO de MOTOR - PASO TUPO DE MOTOR - AC, DC Resolución de Pasos Atenuación Voltaje - Suministro (min) Voltaje - Salida TUPO DE INTERRUPTOR Corriente - Salida (Max) Voltaje - Salida (Min/Fijo) Ruido - 0.1Hz A 10Hz Ruido - 10Hz A 10 kHz Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Entrada (min) Número de reguladores El abandono de voltaje (max) PSRR Caracteríssticas de Proteción
TCR5RG18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG18A, LF 0.5300
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR5RG Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-xfbga, WLCSP TCR5RG18 5.5V Fijado 4-WCSPF (0.65x0.65) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 13 µA - Positivo 500mA 1.8V - 1 0.29V @ 500 Ma 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TCK108AF,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK108AF, LF 0.4800
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 Descarga de Carga, Velocidad de Juego Controlada TCK108 Invertido Canal P 1: 1 SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Sin requerido Encendido/apaguado 1 - Lado Alto 63mohm 1.1v ~ 5.5V Propósito general 1A
TCR3UG08A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG08A, LF 0.4700
RFQ
 ECAD 4143 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr3ug Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-xfbga, WLCSP TCR3UG08 5.5V Fijado 4-WCSP-F (0.65x0.65) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 580 na Permiso Positivo 300mA 0.8V - 1 1.257v @ 300 mA 70dB (1kHz) Incrustar Corriente, Sobre Corriente, Apagado Térmico
TB62214AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214Aftg, C8, EL 1.1958
RFQ
 ECAD 9899 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Propósito general Montaje en superficie 48-vfqfn almohadilla exposición TB62214 DMOS 4.75V ~ 5.25V 48-Qfn (7x7) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 2,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 2a 10V ~ 38V Bipolar - 1, 1/2, 1/4
TCR2EF30,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF30, LM (CT 0.3300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2EF Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 TCR2EF30 5.5V Fijado SMV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 3V - 1 0.2V @ 150MA 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TA58L05S,L2SUMIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S, L2SUMIQ (M -
RFQ
 ECAD 5073 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TA58L05 29V Fijado Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1 MA 50 Ma - Positivo 250 Ma 5V - 1 0.4V @ 200MA - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TCR3DF10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF10, LM (CT 0.0906
RFQ
 ECAD 6534 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR3DF Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 TCR3DF10 5.5V Fijado SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 65 µA 78 µA Permiso Positivo 300mA 1V - 1 0.77V @ 300mA 70dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TCR3DG11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG11, LF 0.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr3dg Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-XFBGA, CSPBGA TCR3DG11 5.5V Fijado 4-WCSPE (0.65x0.65) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 Permiso Positivo 300mA 1.1V - 1 0.65V @ 300 Ma 70dB (1kHz) Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura
TCR3DF33,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF33, LM (CT 0.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR3DF Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 TCR3DF33 5.5V Fijado SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 65 µA 78 µA Permiso Positivo 300mA 3.3V - 1 0.25V @ 300mA 70dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TCR2LN28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN28, LF 0.3500
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2ln Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn TCR2LN28 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 2.8V - 1 0.36V @ 150 Ma - SOBRE LA CORRIENTE
TCR2DG185,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG185, LF 0.1394
RFQ
 ECAD 7925 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2DG Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-UFBGA, WLCSP 5.5V Fijado 4-WCSP (0.79x0.79) - ROHS3 Cumplante EAR99 8542.39.0001 3.000 70 µA Permiso Positivo 200 MMA 1.85V - 1 0.19V @ 500 Ma - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TB67S521FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S521FTAG, EL 2.8700
RFQ
 ECAD 3656 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Propósito general Montaje en superficie 36 WFQFN almohadilla exposición TB67S521 DMOS 2V ~ 5.5V 36 WQFN (6x6) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8542.39.0001 4.000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia PWM Medio Puente (2) 2.8a 10V ~ 34V Bipolar DC Cepillado 1, 1/2, 1/4
TCR2LE31,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE31, LM 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2le Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-553 TCR2LE31 5.5V Fijado ESV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 3.1V - 1 0.3V @ 150 mm - SOBRE LA CORRIENTE
TCR2EF45,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF45, LM (CT 0.3400
RFQ
 ECAD 795 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2EF Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 TCR2EF45 5.5V Fijado SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 4.5V - 1 0.2V @ 150MA 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TA58L15S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L15S, Q (J -
RFQ
 ECAD 6463 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TA58L15 29V Fijado Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1.4 Ma 50 Ma - Positivo 250 Ma 15V - 1 0.4V @ 200MA - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TA76432S,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S, WNLF (J -
RFQ
 ECAD 4672 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto - -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA76432 - - - - LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TBD62003APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62003APG 1.1500
RFQ
 ECAD 5287 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) - TBD62003 Invertido N-canal 1: 1 16 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) TBD62003APG (Z, Hz) EAR99 8542.39.0001 25 Sin requerido Encendido/apaguado 7 - Lado Bajo - 50V (Máximo) Propósito general 500mA
TCR2EN30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN30, LF 0.0896
RFQ
 ECAD 9513 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2en Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn TCR2EN30 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 3V - 1 0.18V @ 150 Ma 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TCR5AM11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM11, LF 0.1344
RFQ
 ECAD 7752 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR5AM Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xdfn TCR5AM11 5.5V Fijado 5-DFNB (1.2x1.2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA Permiso Positivo 500mA 1.1V - 1 0.25V @ 500 mA 70dB ~ 40dB (1kHz ~ 10Hz) Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo)
TB6586FG,EL,DRY Toshiba Semiconductor and Storage TB6586FG, EL, SECO -
RFQ
 ECAD 8685 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Cinta de Corte (CT) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TA) Propósito general Montaje en superficie 24-SOP (0.236 ", 6.00 mm de Ancho) TB6586 Bi-CMOS 6.5V ~ 16.5V 24-ssop descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.31.0001 2,000 Controlador: Conmutacia, Gestión de Dirección Paralelo Pre -conductor - Medio Puente (3) - - - DC Sin Escobillas (BLDC) -
TC62D722CFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D722CFG, EL -
RFQ
 ECAD 8068 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - Montaje en superficie 24-SOP (0.236 ", 6.00 mm de Ancho) Lineal TC62D722 - 24-ssop descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 90 Ma 16 Si Registro de Turno 5.5V - 3V 17 V
TCR2LE18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE18, LM (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 7508 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2le Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-553 TCR2LE18 5.5V Fijado ESV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 1.8V - 1 0.62V @ 150 Ma - SOBRE LA CORRIENTE
TA78L005AP,6FNCF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP, 6FNCF (J -
RFQ
 ECAD 8175 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA78L005 35V Fijado LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 6 MA - Positivo 150 Ma 5V - 1 1.7V @ 40MA (typ) 49dB (120Hz) -
TCR8BM12A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM12A, L3F 0.4900
RFQ
 ECAD 2328 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR8BM Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xdfn TCR8BM12 5.5V Fijado 5-DFNB (1.2x1.2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 36 µA Límita real, Habilitar Positivo 800mA 1.2V - 1 0.26V @ 800 Ma 98dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo)
TCR2EE285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE285, LM (CT 0.0680
RFQ
 ECAD 1344 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2EE Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SOT-553 TCR2EE285 5.5V Fijado ESV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 2.85V - 1 0.23V @ 150 mm 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TCV7103AF(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7103AF (TE12L, Q) -
RFQ
 ECAD 5726 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn TCV71 5.6v Atenuable Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Atropellado 1 Dólar 1MHz Positivo Si 6A 0.8V 5.6v 2.7V
TCR2LN32,LSF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN32, LSF (SE 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2ln Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 3.2V - 1 0.28V @ 150MA - SOBRE LA CORRIENTE
TCK301G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK301G, LF 1.1500
RFQ
 ECAD 7356 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCK30 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 9-UFBGA, WLCSP Tasa de Matriz Controlada, Bandera de Estado TCK301 - N-canal 1: 1 9-WCSP (1.5x1.5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 Sin requerido Encendido/apaguado 1 Temperatura Sobre Voltaje, Corriente Inversa, Uvlo Lado Alto 73mohm 2.3V ~ 28V Propósito general 3A
TB62218AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFG, 8, EL 1.0604
RFQ
 ECAD 8985 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Propósito general Montaje en superficie 28-BSOP (0.346 ", 8.80 mm de ancho) + 2 pestañas de calor TB62218 DMOS 4.75V ~ 5.25V 28-HSOP descascar Cumplimiento de Rohs 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 1,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 2a 10V ~ 38V Bipolar - 1, 1/2, 1/4
TCA62724FMG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TCA62724FMG, EL -
RFQ
 ECAD 7458 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Cinta de Corte (CT) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Iluminar desde el fondo Montaje en superficie 10-SMD, Plomo Plano Lineal TCA62724 - 10-Son (3x3) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 150 Ma 3 Si - 5.5V PWM 2.8V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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