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Gestión de Energía (PMIC) (1138)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Cuidadas | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Sic programable | Ratio - Entrada: Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | Corriente - Salida / Canal | Voltaje - Suministro (VCC/VDD) | Interfaz | Número de Salidas | Real - Obliescent (IQ) | Tipo de Canal | Interruptor interno (s) | Topología | Protección Contra Fallas | Caracteríssticas de control | Voltaje - Suministro (Max) | Configuración de salida | Corriente - Salida | RDS ON (typ) | Voltaje - Carga | Configuración impulsada | Número de conductores | Tipo de Puerta | Voltaje Lógico - Vil, vih | Salida Máxima de Corriente (Fuente, Sumidero) | Tiempo de subida / Caída (typ) | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | Atenuación | Voltaje - Suministro (min) | Voltaje - Salida | TUPO DE INTERRUPTOR | Corriente - Salida (Max) | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Voltaje - Salida (Max) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TC78B002FTG, EL | 0.5047 |  | 7270 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Director del Motor del Ventilador | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 16 WFDFN | TC78B002 | DMOS | 3.5V ~ 16V | 16 WQFN (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Medio Puente (2) | 1.5a | 3.5V ~ 16V | - | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EN125, LF | 0.0896 | | 6671 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2en | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2EN125 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.25V | - | 1 | 0.55V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR5SB30A (T5L, F, T) | - | | 3406 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR5SB | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR5SB30 | 6V | Fijado | SMV | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 75 µA | Permiso | Positivo | 150 Ma | 3V | - | 1 | 0.19V @ 50MA | 80dB (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK22921G, LF | 0.1675 | | 7646 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, WLCSP | Descarga de Carga, Velocidad de Juego Controlada | TCK22921 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 6-WCSPE (0.80x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Corriente Inversa | Lado Alto | 25mohm | 1.1v ~ 5.5V | Propósito general | 2A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EN21, LF | 0.0896 | | 5019 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2en | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2EN21 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.1V | - | 1 | 0.29V @ 150 mm | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EF10, LM (CT | 0.3300 | | 20 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR2EF10 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1v | - | 1 | 0.77V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb6641fg, 8, el | 2.7700 | | 1586 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 16-BSOP (0.252 ", 6.40 mm de ancho) + 2 pestañas de calor | TB6641 | Potencia Mosfet | 10V ~ 45V | 16-HSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 1.500 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo, PWM | Medio Puente (2) | 1.5a | 10V ~ 45V | - | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK303G, LF | 1.3200 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCK30 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 9-UFBGA, WLCSP | Tasa de Matriz Controlada, Bandera de Estado | TCK303 | - | N-canal | 1: 1 | 9-WCSP (1.5x1.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Temperatura Sobre Voltaje, Corriente Inversa, Uvlo | Lado Alto | 73mohm | 2.3V ~ 28V | Propósito general | 3A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB6560AHQ | - | | 3693 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | A Través del Aguetero | Peedores Formados de 25 SSIP | TB6560 | Potencia Mosfet | 4.5V ~ 5.5V | 25 Hzip | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8542.39.0001 | 504 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 3A | 4.5V ~ 34V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb67s269ftg | - | | 1924 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-WFQFN PADS EXPUESTA | TB67S269 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 48-WQFN (7x7) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 2A | 10V ~ 47V | Bipolar | - | 1 ~ 1/32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb6674fag | - | | 3570 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 75 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 16-SOP (0.181 ", 4.60 mm de ancho) | TB6674 | Potencia Mosfet | 4.5V ~ 5.5V | 16-ssop | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 100mA | 2.7V ~ 22V | Bipolar | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tbd62783afng | - | | 3817 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 18-LSSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | - | TBD62783 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 18-ssop | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 8 | - | Lado Alto | - | 50V (Máximo) | Propósito general | 500mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62747AFG, EL | - | | 1895 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | Montaje en superficie | 24-SOP (0.236 ", 6.00 mm de Ancho) | Lineal | TB62747 | - | 24-ssop | descascar | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 45mA | 16 | Si | Registro de Turno | 5.5V | - | 3V | 26 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCK401G, LF | 0.6200 | | 51 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, WLCSP | TCK401 | No Invierte | Sin verificado | 2.7V ~ 28V | 6-WCSPE (0.80x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Soltero | De Lado Alto | 1 | - | 0.4V, 1.6V | - | 0.2 ms, 1.5 µs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb67h400ang | 6.2800 | | 997 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Banda | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | A Través del Aguetero | 24-sdip (0.300 ", 7.62 mm) | TB67H400 | Potencia Mosfet | 2V ~ 5.5V | 24 SDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Tb67h400ang (o) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo, PWM | Medio Puente (4) | 6A | 10V ~ 47V | - | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62208FG, C, 8, El | 1.5141 | | 8251 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 28-BSOP (0.346 ", 8.80 mm de ancho) + 2 pestañas de calor | TB62208 | DMOS | 4.5V ~ 5.5V | 28-HSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 1.8a | 10V ~ 38V | Bipolar | - | 1, 1/2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN09, LF | - | | 3502 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2LN09 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 0.9V | - | 1 | 1.46V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN20, LF | - | | 9504 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2LN20 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2V | - | 1 | 0.54V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DF295, LM (CT | 0.4900 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF295 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Permiso | Positivo | 300mA | 2.95V | - | 1 | 0.27V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DG45, LF | 0.1054 | | 6507 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr3dg | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | TCR3DG45 | 5.5V | Fijado | 4-WCSPE (0.65x0.65) | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 125 µA | Permiso | Positivo | 300mA | 4.5V | - | 1 | 0.185V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3UG33B, LF | 0.4600 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr3ug | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-xfbga, WLCSP | TCR3UG33 | 5.5V | Fijado | 4-WCSPF (0.65x0.65) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 680 na | Permiso | Positivo | 300mA | 3.3V | - | 1 | 0.273V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb9057fg | 11.0300 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Automotor | Montaje en superficie | 48-LQFP | TB9057 | Bi-CMOS | 5V ~ 21V | 48-LQFP (7x7) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | Conductor | PWM | Preconductor | - | - | Bipolar | DC Cepillado | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EE145, LM (CT | 0.0680 | | 5542 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EE | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2EE145 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.45V | - | 1 | - | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EE20, LM (CT | 0.3700 | | 800 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EE | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2EE20 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2V | - | 1 | 0.31V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EF115, LM (CT | 0.3200 | | 925 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR2EF115 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.15V | - | 1 | 0.67V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EF285, LM (CT | 0.0618 | | 3299 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR2EF285 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.85V | - | 1 | 0.23V @ 150 mm | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EF50, LM (CT | 0.3300 | | 30 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR2EF50 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 5V | - | 1 | 0.2V @ 150MA | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LE11, LM (CT | 0.0742 | | 8537 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2LE11 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.1V | - | 1 | 1.3V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LE15, LM (CT | 0.0742 | | 5651 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2LE15 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.5V | - | 1 | 1.13V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LF09, LM (CT | 0.3800 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2LF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR2LF09 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 0.9V | - | 1 | 1.48v @ 150 mA | - | SOBRE LA CORRIENTE |
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