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Gestión de Energía (PMIC) (1138)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Cuidadas | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Ratio - Entrada: Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | Voltaje - Suministro (VCC/VDD) | Interfaz | Número de Salidas | Real - Obliescent (IQ) | Real - Suministro (Max) | Protección Contra Fallas | Caracteríssticas de control | Configuración de salida | Corriente - Salida | RDS ON (typ) | Voltaje - Carga | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | TUPO DE INTERRUPTOR | Corriente - Salida (Max) | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Voltaje - Salida (Max) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TB6549HQ (O) | - |  | 5747 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | A Través del Aguetero | Peedores Formados de 25 SSIP | TB6549 | Bi-CMOS | 10V ~ 27V | 25 Hzip | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 500 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM, Serie | Medio Puente (2) | 4.5a | 10V ~ 27V | - | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||||
 | TB62269FTAG, EL | 2.4900 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 32-vfqfn almohadilla exposición | TB62269 | Bipolar | 2V ~ 5.5V | 32-vqfn (5x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Medio Puente (4) | 1.8a | 10V ~ 38V | Bipolar | DC Cepillado | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32 | |||||||||||||||||||||||
 | TCR2EN12, LF | 0.0896 | | 4283 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2en | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2EN12 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.2V | - | 1 | 0.55V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||
 | TA58M05S (Yazk, AQ) | - | | 7841 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58M05 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 80 Ma | - | Positivo | 500 µA | 5V | - | 1 | 0.65V @ 500 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre La Temperatura, La Polaridad Inversa | |||||||||||||||||||||
 | TA78DS05CP (T6ND, AF | - | | 7457 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78DS | 33V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 1 MA | - | Positivo | 30mera | 5V | - | 1 | 0.3V @ 10mA | - | Sobre La Corriente, La Temperatura, El Voltaje Excesivo, El Voltaje Transitorio | |||||||||||||||||||||
 | TB62216FG, 8, EL | - | | 5096 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | - | Propósito general | Montaje en superficie | 28-BSOP (0.346 ", 8.80 mm de ancho) + 2 pestañas de calor | TB62216 | Potencia Mosfet | 40V (Máximo) | 28-HSOP | descascar | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Medio Puente (4) | 2.5a | - | - | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||||
 | TB67S102AFTG, EL | 3.1400 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-WFQFN PADS EXPUESTA | TB67S102 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 48-WQFN (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 3A | 10V ~ 47V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||
| TA78DS08BP (MBS1, FM | - | | 6826 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78DS | 33V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1.2 Ma | 1.2 Ma | - | Positivo | 30mera | 8V | - | 1 | 0.3V @ 10mA | - | Sobre La Corriente, La Temperatura, El Voltaje Excesivo, El Voltaje Transitorio | |||||||||||||||||||||
 | Tb67s179ftg, el | 3.1400 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-vfqfn almohadilla exposición | TB67S179 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 48-vqfn (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 1.5a | 10V ~ 60V | Unipolar | - | 1 ~ 1/32 | ||||||||||||||||||||||
| TA58L05S (LS2DNS, AQ | - | | 4984 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L05 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 5V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||
 | TCR2LE12, LM (CT | 0.4100 | | 1177 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2LE12 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.2V | - | 1 | 1.25V @ 150 mA | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||
| TB67S141FTG, EL | 3.1800 | | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-WFQFN PADS EXPUESTA | TB67S141 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 48-WQFN (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (2) | 3A | 10V ~ 40V | Unipolar | - | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||
 | TCR5RG33A, LF | 0.5300 | | 19 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR5RG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-xfbga, WLCSP | TCR5RG33 | 5.5V | Fijado | 4-WCSPF (0.65x0.65) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 13 µA | - | Positivo | 500mA | 3.3V | - | 1 | - | 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||
 | TA4808BF (T6L1, NQ) | 0.8200 | | 19 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | TA4808 | 16 V | Fijado | Moldeado | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 1.7 Ma | 20 Ma | - | Positivo | 1A | 8V | - | 1 | 0.69V @ 1a (typ) | 56dB (120Hz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||
 | Tb6552fng, c, 8, el | 1.5800 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 16-LSSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | TB6552 | Potencia Mosfet | 2.7V ~ 5.5V | 16-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM, Serie | Medio Puente (4) | 800mA | 2.5V ~ 13.5V | - | DC Cepillado | - | ||||||||||||||||||||||
 | TAR5S15U (TE85L, F) | 0.1676 | | 3500 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (5 cables), Plano Plano | Tar5s15 | 15V | Fijado | UFV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 850 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.5V | - | 1 | - | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||
 | TCK22974G, LF | 0.5500 | | 5271 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, WLCSP | Tasa de Matriz Controlada | TCK22974 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 6-WCSPE (0.80x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Corriente Inversa | Lado Alto | 25mohm | 1.1v ~ 5.5V | Propósito general | 2a | ||||||||||||||||||||
 | TBD62381AFWG, EL | 1.6600 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 18-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | - | TBD62381 | - | N-canal | 1: 1 | 18-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 4.5V ~ 5.5V | Encendido/apaguado | 8 | - | Lado Bajo | 1ohm | 0V ~ 50V | Propósito general | 500mA | |||||||||||||||||||||
| TA78L008AP, HOTIF (M | - | | 4229 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78L008 | 35V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6.5 Ma | - | Positivo | 150 Ma | 8V | - | 1 | 1.7V @ 40MA (typ) | 45dB (120Hz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||
| TA58M05S (AFT, LB180 | - | | 7253 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58M05 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 80 Ma | - | Positivo | 500 µA | 5V | - | 1 | 0.65V @ 500 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre La Temperatura, La Polaridad Inversa | |||||||||||||||||||||
 | TB6560AFTG, C8, EL | 2.0549 | | 4373 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Activo | TB6560 | descascar | ROHS3 Cumplante | TB6560AFTGC8EL | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB6643KQ, 8 | 4.5000 | | 171 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | A Través del Aguetero | Pestaña exposición de 7-sip | TB6643 | Bi-CMOS | 10V ~ 45V | 7-Vesas | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 25 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (2) | 1.5a | 10V ~ 45V | - | DC Cepillado | - | ||||||||||||||||||||||
 | TCR3UM18A, LF (SE | 0.4700 | | 166 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 680 na | Límita real, Habilitar | Positivo | 300mA | 1.8V | - | 1 | 0.457V @ 300mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||
| TCK2065G, LF | 0.4800 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, WLCSP | Descarga de Carga | TCK2065 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 6-WCSPE (0.80x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Limitante de Corriente (Fijo), Sobre Temperatura, Corriente Inversa, Uvlo | Lado Alto | 31mohm | 1.4V ~ 5.5V | Propósito general | 1.11A | ||||||||||||||||||||
| TCR3DM36, LF | 0.0926 | | 8010 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | TCR3DM36 | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 65 µA | 78 µA | Permiso | Positivo | 300mA | 3.6V | - | 1 | 0.2V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||
 | TCR3DF19, LM (CT | 0.0906 | | 9523 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF19 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Permiso | Positivo | 300mA | 1.9V | - | 1 | 0.4V @ 300 Ma | 70dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura | ||||||||||||||||||||||
 | TCR2EF11, LM (CT | 0.3300 | | 9941 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR2EF11 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.1V | - | 1 | 0.67V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||
 | Tb67h410ng | 3.8200 | | 79 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | A Través del Aguetero | 24-sdip (0.300 ", 7.62 mm) | TB67H410 | Bicdmos | 4.75V ~ 5.25V | 24 SDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Tb67h410ng (o) | EAR99 | 8542.39.0001 | 20 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo, PWM | Medio Puente (4) | 5A | 10V ~ 47V | - | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||
 | Tb67h301ftg, El | 1.6700 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 24 wfqfn | TB67H301 | Bicdmos | 3V ~ 5.5V | 24 WQFN (4x4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (2) | 1A | 4.5V ~ 38V | - | DC Cepillado | - | ||||||||||||||||||||||
| TB62216ftg, C8, EL | 2.3900 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-vfqfn almohadilla exposición | TB62216 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 48-Qfn (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Medio Puente (4) | 2a | 10V ~ 38V | - | DC Cepillado | - |
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