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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Cuidadas | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Ratio - Entrada: Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | Corriente - Salida / Canal | Voltaje - Suministro (VCC/VDD) | Interfaz | Número de Salidas | Real - Obliescent (IQ) | Interruptor interno (s) | Topología | Protección Contra Fallas | Caracteríssticas de control | Voltaje - Suministro (Max) | Configuración de salida | Corriente - Salida | RDS ON (typ) | Voltaje - Carga | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | Atenuación | Voltaje - Suministro (min) | Voltaje - Salida | TUPO DE INTERRUPTOR | Corriente - Salida (Max) | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Voltaje - Salida (Max) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TCR2EN21, LF (SE | 0.3800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.1V | - | 1 | 0.29V @ 300mA, 0.3V @ 300mA | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LN19, LF (SE | 0.3800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.9V | - | 1 | 0.6V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tck207an, lf | 0.8900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | Descarga de Carga, Velocidad de Juego Controlada | TCK207 | No Invierte | N-canal | 1: 1 | 4-DFNA (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Corriente Inversa | Lado Alto | 21.5mohm | 0.75V ~ 3.6V | Propósito general | 2A | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3UM28A, LF (SE | 0.4700 | ![]() | 9199 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 680 na | Límita real, Habilitar | Positivo | 300mA | 2.8V | - | 1 | 0.327V @ 300mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3UM33A, LF (SE | 0.4700 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 680 na | Límita real, Habilitar | Positivo | 300mA | 3.3V | - | 1 | 0.273V @ 300mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2EN36, LF (SE | 0.3800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.6V | - | 1 | 0.18V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DM18, LF (SE | 0.4800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | Permiso | Positivo | 300mA | 1.8V | - | 1 | 0.38V @ 300mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3UM185A, LF (SE | 0.4700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 680 na | Límita real, Habilitar | Positivo | 300mA | 1.85V | - | 1 | 0.457V @ 300mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||
TCR3RM09A, LF (SE | 0.4600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3RM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR3RM09 | 5.5V | Fijado | 4-DFNC (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 12 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 300mA | 0.9V | - | 1 | - | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LN20, LF (SE | 0.3800 | ![]() | 228 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2V | - | 1 | 0.54V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LN18, LSF (SE | 0.3800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 264-TCR2LN18LSF (SETR | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.8V | - | 1 | 0.6V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LN25, LF (SE | 0.3800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.5V | - | 1 | 0.36V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||
TCR3RM29A, LF (SE | 0.4600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3RM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR3RM29 | 5.5V | Fijado | 4-DFNC (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 12 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 300mA | 2.9V | - | 1 | 0.15V @ 300mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC78H651FNG, EL | 1.5300 | ![]() | 6457 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | 16-TSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | TC78H651 | DMOS | 1.8v ~ 6V | 16-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | - | Medio Puente (4) | 1.5a | 1.8v ~ 6V | Bipolar | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB67S128FTG, EL | 7.8400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | 64-vfqfn almohadilla exposición | TB67S128 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 64-vqfn (9x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Medio puente | 5A | 6.5V ~ 44V | Bipolar | DC Sin Escobillas (BLDC) | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32, 1/128 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC62D748CFG, EL | 1.5800 | ![]() | 5947 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Iluminación LED | Montaje en superficie | 24-SOP (0.236 ", 6.00 mm de Ancho) | Lineal | TC62D748 | - | 24-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 2,000 | 90 Ma | 16 | No | Registro de Turno | 5.5V | No | 3V | 17 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR8BM33A, L3F | 0.4600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR8BM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 800mA | 3.3V | - | 1 | 0.285V @ 800 mA | - | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR8BM09A, L3F | 0.4600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR8BM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 800mA | 0.9V | - | 1 | 0.22V @ 800 mA | - | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LE085, LM (CT | 0.0742 | ![]() | 7723 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-553 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 0.85V | - | 1 | 1.58v @ 150 mA | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR8BM08A, L3F | 0.4600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR8BM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 800mA | 0.8V | - | 1 | 0.21V @ 800 Ma | 98dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo) | ||||||||||||||||||||||||||||||
Tb67s549ftg, el | 1.9800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 24 vfqfn | TB67S549 | DMOS | 4.5V ~ 33V | 24-Qfn (4x4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Medio Puente (2) | 1.2a | 4.5V ~ 33V | Bipolar | DC Cepillado | 1 ~ 1/32 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2DG32, LF | 0.1394 | ![]() | 4709 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2DG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | 5.5V | Fijado | 4-WCSP (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.2V | - | 1 | 0.11V @ 100 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tb67s209ftg, el | 1.6644 | ![]() | 2320 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | 48-WFQFN PADS EXPUESTA | TB67S209 | NMOS, PMOS | 4.75V ~ 5.25V | 48-WQFN (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 3A | 10V ~ 47V | Bipolar | DC Cepillado | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DF32, LM (CT | 0.0906 | ![]() | 4668 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Permiso | Positivo | 300mA | 3.2V | - | 1 | 0.25V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2DG19, LF | 0.1394 | ![]() | 5190 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2DG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | 5.5V | Fijado | 4-WCSP (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.9V | - | 1 | 0.17V @ 100 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2DG27, LF | 0.1394 | ![]() | 3734 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2DG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | 5.5V | Fijado | 4-WCSP (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.7V | - | 1 | 0.12V @ 100 mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR5AM10A, LF | 0.1357 | ![]() | 7913 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR5AM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 55 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 500mA | 1V | - | 1 | 0.25V @ 500 mA | 90dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC62D748CFNAG (ELHB | - | ![]() | 3127 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Iluminación LED | Montaje en superficie | 24-ssop (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Lineal | TC62D748 | - | 24-ssop | - | 264-TC62D748CFNAG (ELHB | Obsoleto | 1 | 90 Ma | 16 | No | Registro de Turno | 5.5V | No | 3V | 17 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2DG26, LF | 0.1394 | ![]() | 4130 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2DG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | 5.5V | Fijado | 4-WCSP (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.6V | - | 1 | 0.13V @ 100 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2EE19, LM (CT | 0.0680 | ![]() | 4290 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EE | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.9V | - | 1 | 0.31V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE |
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