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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Cuidadas | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Corriente - Suministro | Voltaje - Entrada | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Coeficiente de temperatura | Ratio - Entrada: Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | Corriente - Salida / Canal | TUPO DE REFERENCIA | Voltaje - Suministro (VCC/VDD) | Interfaz | Número de Salidas | Real - Obliescent (IQ) | Real - Suministro (Max) | Interruptor interno (s) | Topología | FRECUENCIA - CONMUTACIÓN | Protección Contra Fallas | Caracteríssticas de control | Voltaje - Suministro (Max) | Configuración de salida | Rectificador Sincónnico | Corriente - Salida | RDS ON (typ) | Voltaje - Carga | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | Atenuación | Voltaje - Suministro (min) | Voltaje - Salida | TUPO DE INTERRUPTOR | Corriente - Salida (Max) | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Ruido - 0.1Hz A 10Hz | Ruido - 10Hz A 10 kHz | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Entrada (min) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
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![]() | TA58L08S (FJTN, AQ) | - | ![]() | 8759 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L08 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 8V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2EN31, LF | 0.3500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2en | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2EN31 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.1V | - | 1 | 0.18V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB7106F (T2LPP1, Q) | - | ![]() | 4028 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | TB7106 | 20V | Atenuable | Avance 8-SOP (5x5) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Atropellado | 1 | Dólar | 380 kHz | Positivo | Si | 3A | 0.8V | 18V | 4.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA78DS08BP (T6ND, FM | - | ![]() | 8654 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78DS | 33V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1.2 Ma | 1.2 Ma | - | Positivo | 30mera | 8V | - | 1 | 0.3V @ 10mA | - | Sobre La Corriente, La Temperatura, El Voltaje Excesivo, El Voltaje Transitorio | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB62754AFNG (O, EL) | - | ![]() | 6503 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TA) | Iluminar desde el fondo | Montaje en superficie | 20-LSSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Controlador DC DC | TB62754 | 1.6MHz | 20-ssop | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 48 Ma | 6 | Si | Agudo (Impulso) | 5.5V | PWM | 4.5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA58L05S, LS4NSAQ (J | - | ![]() | 5801 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L05 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 5V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3UG50B, LF | 0.4700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr3ug | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-xfbga, WLCSP | TCR3ug50 | 5.5V | Fijado | 4-WCSP-F (0.65x0.65) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 680 na | Permiso | Positivo | 300mA | 5V | - | 1 | 0.195V @ 300 Ma | 70dB (1kHz) | Incrustar Corriente, Sobre Corriente, Apagado Térmico | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA58L05S, SUMISQ (M | - | ![]() | 6938 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L05 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 5V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2EE10, LM (CT | - | ![]() | 7544 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2EE10 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1v | - | 1 | - | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2EE33, LM (CT | 0.3700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EE | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2EE33 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.3V | - | 1 | 0.2V @ 150MA | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCK22911G, LF | 0.1675 | ![]() | 8653 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, WLCSP | Descarga de Carga | TCK22911 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 6-WCSPE (0.80x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Sobre temperatura, Corriente inverso, uvlo | Lado Alto | 31mohm | 1.1v ~ 5.5V | Propósito general | 2a | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tb6549pg (O) | - | ![]() | 5857 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TB6549 | Bi-CMOS | 10V ~ 27V | 16 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 25 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM, Serie | Medio Puente (2) | 3.5a | 10V ~ 27V | - | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DM30, LF | 0.0926 | ![]() | 2827 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | TCR3DM30 | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 65 µA | 78 µA | Permiso | Positivo | 300mA | 3V | - | 1 | 0.25V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB6551FG (O, EL, Dry) | - | ![]() | 4894 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 115 ° C (TA) | Controlador de ventilador | Montaje en superficie | 24-SOP (0.236 ", 6.00 mm de Ancho) | TB6551 | Bi-CMOS | 6V ~ 10V | 24-ssop | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.31.0001 | 2,000 | Controlador: Conmutacia, Gestión de Dirección | Paralelo | Pre -conductor - Medio Puente (3) | - | - | - | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2DG18, LF | 0.1411 | ![]() | 1510 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2DG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | TCR2DG18 | 5.5V | Fijado | 4-WCSP (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | - | Positivo | 200 MMA | 1.8V | - | 1 | 0.2V @ 100 Ma | - | Incrustar Corriente, Sobre Corriente, Apagado Térmico | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tb6634fng, c, 8, el | 1.6439 | ![]() | 4919 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 115 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 30-LSSOP (0.220 ", 5.60 mm de Ancho) | TB6634 | Bi-CMOS | 6.5V ~ 16.5V | 30-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador: Conmutacia, Gestión de Dirección | Paralelo | Pre -conductor - Medio Puente (3) | - | - | - | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tb6600fg | 5.7300 | ![]() | 3604 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Banda | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 64-tqfp exposición | TB6600 | Potencia Mosfet | 8V ~ 42V | 64-HQFP (10x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | TB6600FG (O) | EAR99 | 8542.39.0001 | 160 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 4A | 8V ~ 42V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3LM33A, RF | 0.3700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3LM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 2.2 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 300mA | 3.3V | - | 1 | 0.251V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB67B008FTG, EL | 2.1300 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 24 wfqfn | TB67B008 | Potencia Mosfet | 5.5V ~ 22V | 24 WQFN (4x4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Medio Puente (3) | 3A | 5.5V ~ 22V | - | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR5AM18, LF | 0.1357 | ![]() | 8241 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR5AM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR5AM18 | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 55 µA | Permiso | Positivo | 500mA | 1.8V | - | 1 | 0.43V @ 500 Ma | 70dB ~ 40dB (1kHz ~ 10Hz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR5BM10A, L3F | 0.4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR5BM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR5BM10 | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 500mA | 1v | - | 1 | 0.14V @ 500 Ma | 98dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA78L005AP (Tori, FM | - | ![]() | 2935 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78L005 | 35V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6 MA | - | Positivo | 150 Ma | 5V | - | 1 | 1.7V @ 40MA (typ) | 49dB (120Hz) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR8BM115A, L3F | 0.4600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR8BM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 800mA | 1.15V | - | 1 | 0.255V @ 800 mA | - | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TBD62783APG | 1.6600 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 18 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | - | TBD62783 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 18 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 20 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 8 | - | Lado Alto | - | 50V (Máximo) | Propósito general | 500mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2EF29, LM (CT | 0.3200 | ![]() | 117 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR2EF29 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.9V | - | 1 | 0.23V @ 150 mm | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TBD62084AFWG, EL | 1.1900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 18-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | - | TBD62084 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 18-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 8 | - | Lado Bajo | - | 50V (Máximo) | Propósito general | 500mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCK106AG, LF | 0.4800 | ![]() | 86 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | Tasa de Matriz Controlada | TCK106 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 4-WCSPD (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | - | Lado Alto | 34mohm | 1.1v ~ 5.5V | Propósito general | 1A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA76432S (T6MURATFM | - | ![]() | 4941 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | - | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA76432 | - | - | - | - | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | TA76432ST6MURATFM | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LF32, LM (CT | 0.0721 | ![]() | 2819 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2LF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR2LF32 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.2V | - | 1 | 0.3V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2EN31, LF (SE | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.1V | - | 1 | 0.18V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE |
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