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Gestión de Energía (PMIC) (1138)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Cuidadas | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Corriente - Suministro | Voltaje - Entrada | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Coeficiente de temperatura | Ratio - Entrada: Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | Corriente - Salida / Canal | TUPO DE REFERENCIA | Voltaje - Suministro (VCC/VDD) | Interfaz | Número de Salidas | Real - Obliescent (IQ) | Real - Suministro (Max) | Interruptor interno (s) | Topología | Protección Contra Fallas | Caracteríssticas de control | Voltaje - Suministro (Max) | Configuración de salida | Corriente - Salida | RDS ON (typ) | Voltaje - Carga | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | Atenuación | Voltaje - Suministro (min) | Voltaje - Salida | TUPO DE INTERRUPTOR | Corriente - Salida (Max) | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Ruido - 0.1Hz A 10Hz | Ruido - 10Hz A 10 kHz | Voltaje - Salida (Max) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TCR2EN31, LF (SE | 0.3800 |  | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.1V | - | 1 | 0.18V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb67h401ftg, el | 4.7800 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-vfqfn almohadilla exposición | TB67H401 | NMOS, PMOS | 4.75V ~ 5.25V | 48-vqfn (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Medio Puente (4) | 6A | 10V ~ 47V | Bipolar | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62502APG | 1.3600 | | 523 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | - | TBD62502 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 16 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 25 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 7 | - | Lado Bajo | - | 50V (Máximo) | Propósito general | 300mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DM11, RF (SE | 0.4800 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | Permiso | Positivo | 300mA | 1.1V | - | 1 | 0.65V @ 300 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN21, LF | 0.3500 | | 33 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2LN21 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.1V | - | 1 | 0.54V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLE4276SV | - | | 2001 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Activo | TLE4276 | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62083AFNG, EL | 1.4000 | | 1091 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 18-LSSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | - | TBD62083 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 18-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 8 | - | Lado Bajo | - | 50V (Máximo) | Propósito general | 500mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb67s249ftg, el | 5.4600 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-vfqfn almohadilla exposición | TB67S249 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 48-vqfn (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (8) | 4.5a | 10V ~ 47V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S158FTG, EL | 1.7809 | | 4486 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-WFQFN PADS EXPUESTA | TB67S158 | DMOS | 4.75V ~ 5.25V | 48-WQFN (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (8) | 1.5a | 10V ~ 60V | Unipolar | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR4DG35, LF | 0.4500 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr4dg | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | TCR4DG35 | 5.5V | Fijado | 4-WCSPE (0.65x0.65) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 68 µA | Permiso | Positivo | 420 mm | 3.5V | - | 1 | 0.26V @ 420MA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Cortocirco | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EN15, LF | 0.0896 | | 1672 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2en | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2EN15 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.5V | - | 1 | 0.37V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB6586AFG, EL, SECO | - | | 1607 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 24-SOP (0.236 ", 6.00 mm de Ancho) | TB6586 | Bi-CMOS | 6.5V ~ 16.5V | 24-ssop | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.31.0001 | 2,000 | Controlador: Conmutacia, Gestión de Dirección | Paralelo | Pre -conductor - Medio Puente (3) | - | - | - | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DF30, LM (CT | 0.4200 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF30 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 65 µA | 78 µA | Permiso | Positivo | 300mA | 3V | - | 1 | 0.27V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR4DG28, LF | 0.4500 | | 3174 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr4dg | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | TCR4DG28 | 5.5V | Fijado | 4-WCSPE (0.65x0.65) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 68 µA | Permiso | Positivo | 420 mm | 2.8V | - | 1 | 0.22V @ 420MA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Cortocirco | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA78L008AP, HOTIF (M | - | | 4229 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78L008 | 35V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6.5 Ma | - | Positivo | 150 Ma | 8V | - | 1 | 1.7V @ 40MA (typ) | 45dB (120Hz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA58M05S (BEF, LB180 | - | | 2225 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58M05 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 80 Ma | - | Positivo | 500 µA | 5V | - | 1 | 0.65V @ 500 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre La Temperatura, La Polaridad Inversa | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EN28, LF | 0.0896 | | 1287 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2en | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2EN28 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.8V | - | 1 | 0.21V @ 150MA | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA76431As, T6F (J | - | | 9634 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | - | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA76431 | - | - | - | - | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62781fng, C8, EL | 1.9800 | | 7672 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | Montaje en superficie | 20-LSSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Lineal | TB62781 | - | 20-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 40mera | 9 | Si | - | 5.5V | - | 3V | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA4805BF (T6L1, NQ) | - | | 7192 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | TA4805 | 16 V | Fijado | Moldeado | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 1.7 Ma | 20 Ma | - | Positivo | 1A | 5V | - | 1 | 0.69V @ 1a (typ) | 60dB (120Hz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB6586FG, C8, EL, HZ | 2.0600 | | 23 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 115 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 24-SOP (0.236 ", 6.00 mm de Ancho) | TB6586 | Bi-CMOS | 6.5V ~ 16.5V | 24-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador: Conmutacia, Gestión de Dirección | Paralelo | Pre -conductor - Medio Puente (3) | - | - | - | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62783AFG, EL | 1.6600 | | 45 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 18-SOICO (0.276 ", 7.00 mm de ancho) | - | TBD62783 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 18-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 8 | - | Lado Alto | - | 50V (Máximo) | Propósito general | 500mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67B000FG, EL | 4.3106 | | 9973 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 115 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 42-SOP (0.330 ", 8.40 mm de ancho), 34 cables, exposición de almohadilla | Tb67b000 | IGBT | 13.5V ~ 16.5V | 34-HSOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Medio Puente (3) | 2a | - | Multifásico | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62387APG | 1.8600 | | 121 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 20-dip (0.300 ", 7.62 mm) | - | TBD62387 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 20 DIPP | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | EAR99 | 8542.39.0001 | 20 | 4.5V ~ 5.5V | Encendido/apaguado | 8 | - | Lado Bajo | 1.5ohm | 0V ~ 50V | Propósito general | 500mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb6552fng, c, 8, el | 1.5800 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 16-LSSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | TB6552 | Potencia Mosfet | 2.7V ~ 5.5V | 16-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM, Serie | Medio Puente (4) | 800mA | 2.5V ~ 13.5V | - | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TAR5SB50 (TE85L, F) | 0.4600 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | Tar5sb50 | 15V | Fijado | SMV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 850 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 5V | - | 1 | 0.2V @ 50MA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK22925G, LF | 0.1675 | | 2028 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, WLCSP | Descarga de Carga, Velocidad de Juego Controlada | TCK22925 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 6-WCSPE (0.80x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Corriente Inversa | Lado Alto | 25mohm | 1.1v ~ 5.5V | Propósito general | 2a | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA48M025F (T6L1, SNQ | - | | 2525 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | TA48M025 | 29V | Fijado | Moldeado | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 1.4 Ma | 25 Ma | - | Positivo | 500mA | 2.5V | - | 1 | 0.65V @ 500 Ma | 72dB (120Hz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Sobre Voltaje, Polaridad Inversa | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EN35, LF | - | | 1876 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2en | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2EN35 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.5V | - | 1 | 0.18V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN08, LF | - | | 7168 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2LN08 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 0.8V | - | 1 | 1.56V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE |
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