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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Cuidadas | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Corriente - Suministro | Voltaje - Entrada | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Coeficiente de temperatura | Ratio - Entrada: Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | Corriente - Salida / Canal | TUPO DE REFERENCIA | Voltaje - Suministro (VCC/VDD) | Interfaz | Número de Salidas | Real - Obliescent (IQ) | Interruptor interno (s) | Topología | Protección Contra Fallas | Caracteríssticas de control | Voltaje - Suministro (Max) | Configuración de salida | Método de Detección | Exacto | Corriente - Salida | RDS ON (typ) | Voltaje - Carga | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | Atenuación | Voltaje - Suministro (min) | Voltaje - Salida | TUPO DE INTERRUPTOR | Corriente - Salida (Max) | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Ruido - 0.1Hz A 10Hz | Ruido - 10Hz A 10 kHz | Voltaje - Salida (Max) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TCKE800NL, RF | 1.5200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 10-WFDFN Pad, | Tcke800 | 4.4V ~ 18V | 10-WsonB (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Electrónico fusible | - | - | 5A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TCR3RM10A, LF | - | ![]() | 2170 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3RM | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR3RM10 | 5.5V | Fijado | 4-DFNC (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | - | Positivo | 300mA | 1V | - | 1 | 0.13V @ 300mA | 100dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TCR3RM12A, LF | 0.4600 | ![]() | 164 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3RM | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR3RM12 | 5.5V | Fijado | 4-DFNC (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | - | Positivo | 300mA | 1.2V | - | 1 | 0.13V @ 300mA | 100dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3UF18B, LM (CT | 0.4100 | ![]() | 6777 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3UF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3UF18 | 5.5V | Fijado | SMV | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 680 na | Permiso | Positivo | 300mA | 1.8V | - | 1 | 0.464V @ 300 Ma | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR5RG14A, LF | 0.5300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR5RG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-xfbga, WLCSP | TCR5RG14 | 5.5V | Fijado | 4-WCSPF (0.65x0.65) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 13 µA | - | Positivo | 500mA | 1.4V | - | 1 | - | 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2EN34, LF | - | ![]() | 5294 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2en | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2EN34 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.4V | - | 1 | 0.18V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA76431A (T6MURAFM | - | ![]() | 5109 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | - | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA76431 | - | - | - | - | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | TA76431AST6MURAFM | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tb6277777fg, 8, el | 0.6777 | ![]() | 7758 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Iluminación LED | Montaje en superficie | 16-SOP (0.181 ", 4.60 mm de ancho) | Lineal | TB62777 | - | 16-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 40mera | 8 | Si | Registro de Turno | 5.5V | - | 3V | 25V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LF20, LM (CT | 0.0700 | ![]() | 3018 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2LF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2V | - | 1 | 0.56V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2DG36, LF | 0.1394 | ![]() | 4942 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2DG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | 5.5V | Fijado | 4-WCSP (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.6V | - | 1 | 0.11V @ 100 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2DG20, LF | 0.1394 | ![]() | 3769 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2DG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | 5.5V | Fijado | 4-WCSP (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2V | - | 1 | 0.16V @ 100 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2DG25, LF | 0.1394 | ![]() | 7523 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2DG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | 5.5V | Fijado | 4-WCSP (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.5V | - | 1 | 0.13V @ 100 Ma | 75dB ~ 50dB (1kHz ~ 100kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DG28, LF | 0.3900 | ![]() | 6969 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr3dg | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | 5.5V | Fijado | 4-WCSPE (0.65x0.65) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Permiso | Positivo | 300mA | 2.8V | - | 1 | 0.235V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DG30, LF | 0.3900 | ![]() | 6584 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr3dg | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | 5.5V | Fijado | 4-WCSPE (0.65x0.65) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Permiso | Positivo | 300mA | 3V | - | 1 | 0.235V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2DG22, LF | 0.1394 | ![]() | 4566 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2DG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | 5.5V | Fijado | 4-WCSP (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.2V | - | 1 | 0.14V @ 100 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tc78b004aftg, el | 2.7700 | ![]() | 3673 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 40 wfqfn | TC78B004 | Nmos | 10V ~ 28V | 40 WQFN (6x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Velocidad | PWM | Pre -conductor - Medio Puente (3) | 100mA | - | Multifásico | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LE08, LM (CT | 0.0742 | ![]() | 7520 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2LE08 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 0.8V | - | 1 | 1.58v @ 150 mA | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LE09, LM (CT | 0.0742 | ![]() | 5498 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-553 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 0.9V | - | 1 | 1.48v @ 150 mA | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tb67s285ftg, el | 4.5900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-vfqfn almohadilla exposición | TB67S285 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 48-vqfn (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo, Serie | Medio Puente (8) | 3A | 10V ~ 47V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DF11, LM (CT | 0.0906 | ![]() | 9459 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF11 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Permiso | Positivo | 300mA | 1.1V | - | 1 | 0.67V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC62D749CFNAG, C, EB | - | ![]() | 4382 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Activo | TC62D749 | - | Cumplimiento de Rohs | TC62D749CFNAGCEB | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB67S128FTG (O, EL) | 7.8400 | ![]() | 8129 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 64-vfqfn almohadilla exposición | TB67S128 | Potencia Mosfet | 0V ~ 5.5V | 64-vqfn (9x9) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 5A | 6.5V ~ 44V | Bipolar | - | 1/8, 1/16, 1/32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tc62d749cfnag | - | ![]() | 3866 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | Montaje en superficie | 24-ssop (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Lineal | TC62D749 | - | 24-ssop | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 90 Ma | 16 | Si | Registro de Turno | 5.5V | - | 3V | 17 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC62D722FG, EL | - | ![]() | 1558 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | Montaje en superficie | 24-SOP (0.236 ", 6.00 mm de Ancho) | Lineal | TC62D722 | - | 24-ssop | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 90 Ma | 16 | Si | Registro de Turno | 5.5V | - | 3V | 17 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DM35, LF (SE | 0.4800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 264-TCR3DM35LF (SETR | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | Permiso | Positivo | 300mA | 3.5V | - | 1 | 0.23V @ 300mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tb6584afng, c8, el | 1.4384 | ![]() | 9200 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Activo | TB6584 | descascar | ROHS3 Cumplante | Tb6584afngc8el | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LN13, LF (SE | 0.3800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.3V | - | 1 | 1.11V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tc78b011ftg, el | 2.7300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | 36 WFQFN almohadilla exposición | TC78B011 | Nmos | 5.5V ~ 27V | 36 WQFN (5x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | I²C | Pre -conductor - Medio Puente (3) | 240 mm | - | Multifásico | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCK127BG, LF | 0.4800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | Descarga de Carga, Velocidad de Juego Controlada | TCK127 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 4-WCSPG (0.65x0.65) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | - | Lado Alto | 343mohm | 1V ~ 5.5V | Propósito general | 1A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LN285, LF (SE | 0.3800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 264-TCR2LN285LF (secta | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.85V | - | 1 | 0.36V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE |
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