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Gestión de Energía (PMIC) (1138)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Cuidadas | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Corriente - Suministro | Voltaje - Entrada | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Coeficiente de temperatura | Ratio - Entrada: Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | TUPO DE REFERENCIA | Voltaje - Suministro (VCC/VDD) | Interfaz | Número de Salidas | Real - Obliescent (IQ) | Real - Suministro (Max) | Protección Contra Fallas | Caracteríssticas de control | Configuración de salida | Corriente - Salida | RDS ON (typ) | Voltaje - Carga | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | Voltaje - Salida | TUPO DE INTERRUPTOR | Corriente - Salida (Max) | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Ruido - 0.1Hz A 10Hz | Ruido - 10Hz A 10 kHz | Voltaje - Salida (Max) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TBD62387AFNG, EL | 1.5200 |  | 7086 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 20-LSSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | - | TBD62387 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 20-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Tbd62387afngelct | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 4.5V ~ 5.5V | Encendido/apaguado | 8 | - | Lado Bajo | 1.5ohm | 0V ~ 50V | Propósito general | 500mA | |||||||||||||||||||||||||||
 | TA76L431S, T6Q (J | - | | 7237 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | - | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA76L431 | - | - | - | - | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK22946G, LF | 0.5100 | | 28 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, WLCSP | Descarga de Carga | TCK22946 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 6-WCSPE (0.80x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Limitancia de Corriente (Fija), Sobre Temperatura, Corriente Inversa | Lado Alto | 31mohm | 1.1v ~ 5.5V | Propósito general | 400mA | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TB6568KQ, 8 | 3.2200 | | 7268 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | A Través del Aguetero | Pestaña exposición de 7-sip | TB6568 | Bi-CMOS | 10V ~ 45V | 7-Vesas | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 25 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (2) | 1.5a | 10V ~ 45V | - | DC Cepillado | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78L010AP, F (J | - | | 2741 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78L010 | 35V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6.5 Ma | - | Positivo | 150 Ma | 10V | - | 1 | 1.7V @ 40MA (typ) | 43dB (120Hz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb663333fng, C8EL | 2.4300 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 24-LSSOP (0.220 ", 5.60 mm de Ancho) | TB6633 | Potencia Mosfet | 5.5V ~ 22V | 24-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Cosa Análoga | Medio Puente (3) | 1A | 5.5V ~ 22V | - | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tar5s50ute85lf | 0.5400 | | 26 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (5 cables), Plano Plano | Tar5s50 | 15V | Fijado | UFV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 850 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 5V | - | 1 | 0.2V @ 50MA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TB7109F (TE12L, Q) | - | | 1194 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Converidor, LNB | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | TB7109 | 8V ~ 27V | Avance 8-SOP (5x5) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 | Atenuable | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78L005AP (TE6, F, M | - | | 9780 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78L005 | 35V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6 MA | - | Positivo | 150 Ma | 5V | - | 1 | 1.7V @ 40MA (typ) | 49dB (120Hz) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK102G, LF | 0.2235 | | 6251 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-UFBGA | Tasa de Matriz Controlada | TCK102 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 6-BGA | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Sobre la temperatura | Lado Alto | 50mohm | 1.1v ~ 5.5V | Propósito general | 1A | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TA78L15F (TE12L, F) | - | | 7159 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | To-243AA | TA78L15 | 35V | Fijado | PW-Mini (SOT-89) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 6 MA | 6.5 Ma | - | Positivo | 150 Ma | 15V | - | 1 | - | 40dB (120Hz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||
| KIA78DL09PI | - | | 8660 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Activo | Kia78 | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62213AFG, C8, EL | 1.8494 | | 7821 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 28-BSOP (0.346 ", 8.80 mm de ancho) + 2 pestañas de calor | TB62213 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 28-HSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 2.4a | 10V ~ 38V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TB67B001BFTG, EL | 1.5343 | | 6576 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | 36-vfqfn almohadilla exposición | NMOS, PMOS | 4V ~ 22V | 36-vqfn (5x5) | descascar | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Pre -conductor - Medio Puente (3) | 3A | 4V ~ 22V | Multifásico | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA76L431S, T6Q (M | - | | 9001 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | - | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA76L431 | - | - | - | - | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC78H600FNG, C, EL | 1.9100 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 20-LSSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | TC78H600 | DMOS | 2.7V ~ 5.5V | 20-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Medio Puente (4) | 800mA | 2.5V ~ 15V | - | DC Cepillado | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62502AFG, EL | 0.6316 | | 1298 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | - | TBD62502 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 16-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 7 | - | Lado Bajo | - | 50V (Máximo) | Propósito general | 300mA | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62213AHQ, 8 | 5.9794 | | 4342 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | A Través del Aguetero | Cables Formados de 25 SIP | TB62213 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 25 Hzip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 17 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 2.4a | 10V ~ 38V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK111G, LF | 0.7700 | | 27 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, WLCSP | Tasa de Matriz Controlada | TCK111 | No Invierte | N-canal | 1: 1 | 6-WCSPC (1.5x1.0) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Sobre temperatura, Corriente Inversa | Lado Alto | 8.3mohm | 1.1v ~ 5.5V | Propósito general | 3A | ||||||||||||||||||||||||||||
| TA76432S, T6WNLF (J | - | | 3650 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | - | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA76432 | - | - | - | - | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LE30, LM (CT | 0.4100 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2LE30 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3V | - | 1 | 0.3V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3UG50A, LF | 0.1261 | | 7779 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr3ug | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-xfbga, WLCSP | TCR3ug50 | 5.5V | Fijado | 4-WCSP-F (0.65x0.65) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 680 na | Permiso | Positivo | 300mA | 5V | - | 1 | 0.195V @ 300 Ma | 70dB (1kHz) | Incrustar Corriente, Sobre Corriente, Apagado Térmico | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DF33, LM | - | | 5204 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DF | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF33 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 65 µA | 78 µA | Permiso | Positivo | 300mA | 3.3V | - | 1 | 0.25V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||
| TCK22891G, LF | 0.5000 | | 39 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, WLCSP | Descarga de Carga | TCK22891 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 6-WCSPE (0.80x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Limitante de Corriente (Fijo), Sobre temperatura | Lado Alto | 31mohm | 1.4V ~ 5.5V | Propósito general | 400mA | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62384AFWG, EL | 1.6100 | | 7881 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 18-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | - | TBD62384 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 18-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | TBD62384AFWGELCT | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 4.5V ~ 5.5V | Encendido/apaguado | 8 | - | Lado Bajo | 1.5ohm | 0V ~ 50V | Propósito general | 400mA | |||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EE14, LM (CT | 0.0680 | | 3997 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EE | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2EE14 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.4V | - | 1 | 0.42V @ 150MA | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DM10, LF (SE | 0.4800 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | Permiso | Positivo | 300mA | 1V | - | 1 | 0.75V @ 300mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA48M05F (T6L1, SNQ) | - | | 5431 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | TA48M05 | 29V | Fijado | Moldeado | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 1.4 Ma | 25 Ma | - | Positivo | 500mA | 5V | - | 1 | 0.65V @ 500 Ma | 68dB (120Hz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Sobre Voltaje, Polaridad Inversa | ||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EE17, LM (CT | 0.3700 | | 1488 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EE | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2EE17 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.7V | - | 1 | 0.7V @ 300mA | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S101AFTG, EL | 3.1400 | | 1948 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-WFQFN PADS EXPUESTA | TB67S101 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 48-WQFN (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 3A | 10V ~ 47V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4 |
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