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Gestión de Energía (PMIC) (1138)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Cuidadas Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Corriente - Suministro Voltaje - Entrada Voltaje - Entrada (Max) Tipo de Salida Coeficiente de temperatura Productora Ratio - Entrada: Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) ECCN Htsus Paquete estándar Amontonamiento Corriente - Salida / Canal TUPO DE REFERENCIA Voltaje - Suministro (VCC/VDD) Interfaz Número de Salidas Reiniciar Real - Obliescent (IQ) Real - Suministro (Max) Interruptor interno (s) Topología FRECUENCIA - CONMUTACIÓN Protección Contra Fallas Caracteríssticas de control Voltaje - Suministro (Max) Configuración de salida Rectificador Sincónnico Corriente - Salida RDS ON (typ) Voltaje - Carga TUPO de MOTOR - PASO TUPO DE MOTOR - AC, DC Resolución de Pasos Atenuación Voltaje - Suministro (min) Voltaje - Salida TUPO DE INTERRUPTOR Corriente - Salida (Max) Número de Voltajes Monitoreados Voltaje - Umbral Voltaje - Salida (Min/Fijo) Ruido - 0.1Hz A 10Hz Ruido - 10Hz A 10 kHz Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Entrada (min) Número de reguladores El abandono de voltaje (max) PSRR Caracteríssticas de Proteción
TCR2LN12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN12, LF 0.0896
RFQ
 ECAD 4291 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2ln Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn TCR2LN12 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 1.2V - 1 1.23V @ 150 mm - SOBRE LA CORRIENTE
TCR5AM10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM10, LF 0.5000
RFQ
 ECAD 8528 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR5AM Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xdfn TCR5AM10 5.5V Fijado 5-DFNB (1.2x1.2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA Permiso Positivo 500mA 1V - 1 0.25V @ 500 mA 70dB ~ 40dB (1kHz ~ 10Hz) Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo)
TCR5AM075,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM075, LF 0.1344
RFQ
 ECAD 7559 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR5AM Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xdfn TCR5AM075 5.5V Fijado 5-DFNB (1.2x1.2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA Permiso Positivo 500mA 0.75V - 1 0.21V @ 500 Ma 70dB ~ 40dB (1kHz ~ 10Hz) Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo)
TCV7108FN(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7108FN (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 1774 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano TCV71 5.6v Atenuable PS-8 (2.9x2.4) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Atropellado 1 Dólar 1.5MHz Positivo Si 2a 0.8V 5.6v 2.7V
TCR3DF12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF12, LM (CT 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR3DF Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 TCR3DF12 5.5V Fijado SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 65 µA 78 µA Permiso Positivo 300mA 1.2V - 1 0.62V @ 300 Ma 70dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TA58L09S,LS2PAIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L09S, LS2PAIQ (M -
RFQ
 ECAD 4900 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TA58L09 29V Fijado Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1 MA 50 Ma - Positivo 250 Ma 9V - 1 0.4V @ 200MA - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TCV7100F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7100F (TE12L, Q) -
RFQ
 ECAD 8795 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn TCV71 5.5V Atenuable Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Atropellado 1 Dólar 800 kHz Positivo Si 2.5a 0.8V 5.5V 2.7V
TA76431S,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S, T6F (J -
RFQ
 ECAD 5030 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA76431 - Atenuable LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - Positivo - 2.495V 36V 1 - - -
TB62218AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tb62218aftg, 8, el -
RFQ
 ECAD 2013 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Propósito general Montaje en superficie 48-vfqfn almohadilla exposición TB62218 DMOS 4.75V ~ 5.25V 48-Qfn (7x7) descascar 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 2,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 2a 10V ~ 38V Bipolar - 1, 1/2, 1/4
TCR15AG25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG25, LF 0.6400
RFQ
 ECAD 6394 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR15AG Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-xfbga, WLCSP TCR15AG25 6V Fijado 6-WCSP (1.2x0.80) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 40 µA Permiso Positivo 1.5a 2.5V - 1 0.648V @ 1.5a 95dB ~ 60dB (1kHz) Límita real, apaguado térmico, uvlo
TA78DS08BP(T6ND,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS08BP (T6ND, AF -
RFQ
 ECAD 4886 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA78DS 33V Fijado LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1.2 Ma 1.2 Ma - Positivo 30mera 8V - 1 0.3V @ 10mA - Sobre La Corriente, La Temperatura, El Voltaje Excesivo, El Voltaje Transitorio
TB6674FAG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tb6674fag, 8, el 2.8900
RFQ
 ECAD 2279 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 75 ° C (TA) Propósito general Montaje en superficie 16-LSSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) TB6674 Potencia Mosfet 4.5V ~ 5.5V 16-ssop descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8542.39.0001 2,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 100mA 2.7V ~ 22V Bipolar - -
TCTH021AE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH021AE, LF (CT 0.5000
RFQ
 ECAD 2210 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcth0xxxe Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie Térmico Push-Pull, Tótem - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.000 - 1 0.5V
TA76431AS(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 8436 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto - -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA76431 - - - - LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TA58M05S,HOTIKIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S, HOTIKIQ (M -
RFQ
 ECAD 5233 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TA58M05 29V Fijado Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1 MA 80 Ma - Positivo 500 µA 5V - 1 0.65V @ 500 Ma - Sobre La Corriente, Sobre La Temperatura, La Polaridad Inversa
TCK22913G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22913G, LF 0.5100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 6-UFBGA, WLCSP Descarga de Carga TCK22913 No Invierte Canal P 1: 1 6-WCSPE (0.80x1.2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 Sin requerido Encendido/apaguado 1 Sobre temperatura, Corriente inverso, uvlo Lado Alto 31mohm 1.1v ~ 5.5V Propósito general 2a
TCR2LE105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE105, LM (CT 0.3900
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2le Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-553 TCR2LE105 5.5V Fijado ESV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 1.05V - 1 1.4V @ 150 mm - SOBRE LA CORRIENTE
TA78L015AP(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP (F, M) -
RFQ
 ECAD 3595 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA78L015 35V Fijado LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 6 MA 6.5 Ma - Positivo 150 Ma 15V - 1 - 41dB (120Hz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TB62262FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB622262FTAG, EL 2.1700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Aparato Montaje en superficie 36 WFQFN almohadilla exposición TB62262 Potencia Mosfet 4.75V ~ 5.25V 36 WQFN (6x6) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 4.000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia PWM Medio Puente (4) 800mA 10V ~ 35V Bipolar DC Cepillado 1, 1/2, 1/4
TCR2EE45,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE45, LM (CT 0.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2EE Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SOT-553 TCR2EE45 5.5V Fijado ESV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 4.5V - 1 0.2V @ 150MA 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TCV7104FN(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7104FN (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 3500 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano TCV71 5.5V Atenuable PS-8 (2.9x2.4) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Atropellado 1 Dólar 1.5MHz Positivo Si 2a 0.8V 5.5V 2.7V
TC78H651FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC78H651FNG (O, El) 1.5300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C Propósito general Montaje en superficie 16-TSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) TC78H651 DMOS - 16-TSOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia - Medio Puente (4) 1.5a 1.8v ~ 6V - DC Cepillado -
TB62213AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFNG, C8, EL 1.8025
RFQ
 ECAD 8305 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Propósito general Montaje en superficie 48-TFSOP (0.240 ", 6.10 mm de ancho) Almohadilla exposición TB62213 Potencia Mosfet 4.75V ~ 5.25V 48 htssop descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 1,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 2.4a 10V ~ 38V Bipolar - 1, 1/2, 1/4
TA48LS00F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48LS00F (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 2469 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano TA48LS00 14V Atenuable PS-8 (2.9x2.4) - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 1.7 Ma 10 Ma Permiso Positivo 300mA 1.5V 5V 1 0.6V @ 300 Ma 60dB (120Hz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
KIA78L06BP Toshiba Semiconductor and Storage KIA78L06BP -
RFQ
 ECAD 4285 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Activo Kia78 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1
TAR5S50TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Tar5s50te85lf 0.4400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 Tar5s50 15V Fijado SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 850 µA Encendido/apaguado Positivo 200 MMA 5V - 1 0.2V @ 50MA 70dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TC62D902FG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D902FG, C, 8, El 0.7648
RFQ
 ECAD 4860 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Iluminación Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Conmutador AC DC Fuera de Línea TC62D902 200 kHz 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2.500 - 1 No Volante 25V Triac 1.8V 15V
TA78DS08BP(DNSO,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS08BP (DNSO, FM -
RFQ
 ECAD 3785 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA78DS 33V Fijado LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1.2 Ma 1.2 Ma - Positivo 30mera 8V - 1 0.3V @ 10mA - Sobre La Corriente, La Temperatura, El Voltaje Excesivo, El Voltaje Transitorio
TAR5S33TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Tar5s33te85lf 0.1496
RFQ
 ECAD 1444 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 Tar5s33 15V Fijado SMV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 850 µA Encendido/apaguado Positivo 200 MMA 3.3V - 1 0.2V @ 50MA 70dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TB6674PG,C,8 Toshiba Semiconductor and Storage Tb6674pg, c, 8 -
RFQ
 ECAD 1620 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -30 ° C ~ 75 ° C (TA) Propósito general A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) TB6674 Potencia Mosfet 4.5V ~ 5.5V 16 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 350 mm 2.7V ~ 22V Bipolar - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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