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Gestión de Energía (PMIC) (1138)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Cuidadas | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Ratio - Entrada: Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | Corriente - Salida / Canal | Voltaje - Suministro (VCC/VDD) | Interfaz | Número de Salidas | Real - Obliescent (IQ) | Real - Suministro (Max) | Interruptor interno (s) | Topología | FRECUENCIA - CONMUTACIÓN | Protección Contra Fallas | Caracteríssticas de control | Voltaje - Suministro (Max) | Configuración de salida | Rectificador Sincónnico | Corriente - Salida | RDS ON (typ) | Voltaje - Carga | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | Atenuación | Voltaje - Suministro (min) | Voltaje - Salida | Moderno | Real - inicio | TUPO DE INTERRUPTOR | Corriente - Salida (Max) | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Entrada (min) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TCR2EF33, LM (CT | 0.3300 |  | 271 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR2EF33 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.3V | - | 1 | 0.2V @ 150MA | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA58M09S, MATUDQ (J | - | | 2222 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58M09 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 80 Ma | - | Positivo | 500mA | 9V | - | 1 | 0.65V @ 500 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre La Temperatura, La Polaridad Inversa | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S102AFNG, EL | 1.8746 | | 1039 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.240 ", 6.10 mm de ancho) Almohadilla exposición | TB67S102 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 48 htssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 3A | 10V ~ 47V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LF33, LM (CT | 0.3900 | | 189 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2LF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR2LF33 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.3V | - | 1 | 0.3V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb62781fng, 8, el | - | | 8436 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | Montaje en superficie | 20-LSSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Lineal | TB62781 | - | 20-ssop | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 40mera | 9 | Si | - | 5.5V | - | 3V | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S142HG | 6.6200 | | 34 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | A Través del Aguetero | Cables Formados de 25 SIP | TB67S142 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 25 Hzip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 17 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (2) | 3A | 10V ~ 40V | Unipolar | - | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2DG33, LF | 0.5000 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2DG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | TCR2DG33 | 5.5V | Fijado | 4-WCSP (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | - | Positivo | 200 MMA | 3.3V | - | 1 | 0.11V @ 100 Ma | - | Incrustar Corriente, Sobre Corriente, Apagado Térmico | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA48L025F (TE12L, F) | - | | 4325 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | To-243AA | TA48L025 | 16 V | Fijado | PW-Mini (SOT-89) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 800 µA | 5 Ma | - | Positivo | 150 Ma | 2.5V | - | 1 | 0.5V @ 100 Ma | 70dB (120Hz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA58L12S, WNLQ (J | - | | 8198 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L12 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1.2 Ma | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 12V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB6818FG, EL | - | | 3311 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 16-SOP (0.181 ", 4.60 mm de ancho) | TB6818 | 8.4v ~ 26v | 16-ssop | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 20kHz ~ 150kHz | Contucción Continua (CCM) | 30 µA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb6562ang | - | | 7296 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | A Través del Aguetero | 24-sdip (0.300 ", 7.62 mm) | TB6562 | DMOS | 10V ~ 34V | 24 SDIP | descascar | 1 (ilimitado) | TB6562ang (O) | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 1.5a | 10V ~ 34V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR5AM33, LF | 0.1357 | | 6086 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR5AM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR5AM33 | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 68 µA | Permiso | Positivo | 500mA | 3.3V | - | 1 | 0.43V @ 500 Ma | 70dB ~ 40dB (1kHz ~ 10Hz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tc78h600ftg, el | 0.6165 | | 8650 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 24 wfqfn | TC78H600 | DMOS | 2.7V ~ 5.5V | 24 WQFN (4x4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Medio Puente (4) | 800mA | 2.5V ~ 15V | - | DC Cepillado | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78L015AP, F (J | - | | 7944 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78L015 | 35V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6.5 Ma | - | Positivo | 150 Ma | 15V | - | 1 | 1.7V @ 40MA (typ) | 40dB (120Hz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62003AFG, EL | 0.8900 | | 27 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | - | TBD62003 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 16-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 7 | - | Lado Bajo | - | 50V (Máximo) | Propósito general | 500mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LF12, LM (CT | 0.3900 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2LF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR2LF12 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.2V | - | 1 | 1.25V @ 150 mA | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb6560aftg, 8, el | - | | 3195 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-vfqfn almohadilla exposición | TB6560 | Potencia Mosfet | 4.5V ~ 5.5V | 48-Qfn (7x7) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 1.5a | 4.5V ~ 34V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA58L05S, ALPSAQ (J | - | | 2040 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L05 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 5V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA48018BF (T6L1, NQ) | - | | 5230 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | TA48018 | 16 V | Fijado | Moldeado | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 1.7 Ma | 20 Ma | - | Positivo | 1A | 1.8V | - | 1 | 1.6v @ 1a (typ) | 66dB (120Hz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA58L06S, HY-ATQ (M | - | | 8673 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L06 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 6V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3UG41A, LF | 0.1261 | | 9982 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr3ug | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-xfbga, WLCSP | TCR3ug41 | 5.5V | Fijado | 4-WCSP-F (0.65x0.65) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 680 na | Permiso | Positivo | 300mA | 4.1V | - | 1 | 0.228V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Incrustar Corriente, Sobre Corriente, Apagado Térmico | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb62216fg, c, 8, el | 1.5069 | | 7667 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 28-BSOP (0.346 ", 8.80 mm de ancho) + 2 pestañas de calor | TB62216 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 28-HSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Medio Puente (4) | 2a | 10V ~ 38V | - | DC Cepillado | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCV7101F (TE12L, Q) | - | | 6215 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | TCV71 | 5.5V | Atenuable | Avance 8-SOP (5x5) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Atropellado | 1 | Dólar | 600 kHz | Positivo | Si | 3.8a | 0.8V | 5.5V | 2.7V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC62D776CFG, EL | - | | 1759 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | Montaje en superficie | 24-SOP (0.236 ", 6.00 mm de Ancho) | Lineal | TC62D776 | - | 24-ssop | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 90 Ma | 16 | Si | Registro de Turno | 5.5V | - | 3V | 17 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCK108AG, LF | 0.4800 | | 24 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | Descarga de Carga, Velocidad de Juego Controlada | TCK108 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 4-WCSPD (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | - | Lado Alto | 34mohm | 1.1v ~ 5.5V | Propósito general | 1A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EN33, LF | 0.0896 | | 3356 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2en | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2EN33 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.3V | - | 1 | 0.18V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tbd62789apg | 1.7400 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 20-dip (0.300 ", 7.62 mm) | - | TBD62789 | - | Canal P | 1: 1 | 20 DIPP | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | EAR99 | 8542.39.0001 | 20 | 2V ~ 5.5V | Encendido/apaguado | 8 | - | Lado Alto | 1.4ohm | 4.5V ~ 50V | Propósito general | 400mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EE15, LM (CT | - | | 7280 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2EE15 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.5V | - | 1 | - | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78L006AP, T6STF (M | - | | 2822 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78L006 | 35V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6 MA | - | Positivo | 150 Ma | 6V | - | 1 | 1.7V @ 40MA (typ) | 47dB (120Hz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb6588fg, 8, El, JU | 5.3500 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 105 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 36-bssop (0.346 ", 8.80 mm de ancho) + 2 pestañas de calor | TB6588 | Potencia Mosfet | 7V ~ 42V | 36-HSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (3) | 1.5a | 7V ~ 42V | - | DC Sin Escobillas (BLDC) | - |
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