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Gestión de Energía (PMIC) (1138)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Cuidadas Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Voltaje - Entrada (Max) Tipo de Salida Ratio - Entrada: Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Amontonamiento Corriente - Salida / Canal Voltaje - Suministro (VCC/VDD) Interfaz Número de Salidas Real - Obliescent (IQ) Real - Suministro (Max) Interruptor interno (s) Topología FRECUENCIA - CONMUTACIÓN Protección Contra Fallas Caracteríssticas de control Voltaje - Suministro (Max) Configuración de salida Rectificador Sincónnico Corriente - Salida RDS ON (typ) Voltaje - Carga TUPO de MOTOR - PASO TUPO DE MOTOR - AC, DC Resolución de Pasos Atenuación Voltaje - Suministro (min) Voltaje - Salida Moderno Real - inicio TUPO DE INTERRUPTOR Corriente - Salida (Max) Voltaje - Salida (Min/Fijo) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Entrada (min) Número de reguladores El abandono de voltaje (max) PSRR Caracteríssticas de Proteción
TB6818FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6818FG, EL -
RFQ
 ECAD 3311 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Cinta de Corte (CT) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 16-SOP (0.181 ", 4.60 mm de ancho) TB6818 8.4v ~ 26v 16-ssop descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 20kHz ~ 150kHz Contucción Continua (CCM) 30 µA
TB6562ANG Toshiba Semiconductor and Storage Tb6562ang -
RFQ
 ECAD 7296 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Propósito general A Través del Aguetero 24-sdip (0.300 ", 7.62 mm) TB6562 DMOS 10V ~ 34V 24 SDIP descascar 1 (ilimitado) TB6562ang (O) EAR99 8542.39.0001 100 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 1.5a 10V ~ 34V Bipolar - 1, 1/2, 1/4
TCR5AM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM33, LF 0.1357
RFQ
 ECAD 6086 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR5AM Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xdfn TCR5AM33 5.5V Fijado 5-DFNB (1.2x1.2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 68 µA Permiso Positivo 500mA 3.3V - 1 0.43V @ 500 Ma 70dB ~ 40dB (1kHz ~ 10Hz) Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo)
TA78L015AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP, F (J -
RFQ
 ECAD 7944 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA78L015 35V Fijado LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - Positivo 150 Ma 15V - 1 1.7V @ 40MA (typ) 40dB (120Hz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TBD62003AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62003AFG, EL 0.8900
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.173 ", 4.40 mm de ancho) - TBD62003 Invertido N-canal 1: 1 16-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 Sin requerido Encendido/apaguado 7 - Lado Bajo - 50V (Máximo) Propósito general 500mA
TCR2LF12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF12, LM (CT 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2LF Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 TCR2LF12 5.5V Fijado SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 1.2V - 1 1.25V @ 150 mA - SOBRE LA CORRIENTE
TB6560AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tb6560aftg, 8, el -
RFQ
 ECAD 3195 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TA) Propósito general Montaje en superficie 48-vfqfn almohadilla exposición TB6560 Potencia Mosfet 4.5V ~ 5.5V 48-Qfn (7x7) descascar Cumplimiento de Rohs 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 2,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 1.5a 4.5V ~ 34V Bipolar - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16
TA58L05S,ALPSAQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S, ALPSAQ (J -
RFQ
 ECAD 2040 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TA58L05 29V Fijado Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1 MA 50 Ma - Positivo 250 Ma 5V - 1 0.4V @ 200MA - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TA48018BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48018BF (T6L1, NQ) -
RFQ
 ECAD 5230 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TA48018 16 V Fijado Moldeado - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 1.7 Ma 20 Ma - Positivo 1A 1.8V - 1 1.6v @ 1a (typ) 66dB (120Hz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TA58L06S,HY-ATQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L06S, HY-ATQ (M -
RFQ
 ECAD 8673 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TA58L06 29V Fijado Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1 MA 50 Ma - Positivo 250 Ma 6V - 1 0.4V @ 200MA - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TCR3UG41A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG41A, LF 0.1261
RFQ
 ECAD 9982 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr3ug Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-xfbga, WLCSP TCR3ug41 5.5V Fijado 4-WCSP-F (0.65x0.65) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 680 na Permiso Positivo 300mA 4.1V - 1 0.228V @ 300mA 70dB (1kHz) Incrustar Corriente, Sobre Corriente, Apagado Térmico
TCV7101F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7101F (TE12L, Q) -
RFQ
 ECAD 6215 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn TCV71 5.5V Atenuable Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Atropellado 1 Dólar 600 kHz Positivo Si 3.8a 0.8V 5.5V 2.7V
TC62D776CFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D776CFG, EL -
RFQ
 ECAD 1759 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - Montaje en superficie 24-SOP (0.236 ", 6.00 mm de Ancho) Lineal TC62D776 - 24-ssop descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1,000 90 Ma 16 Si Registro de Turno 5.5V - 3V 17 V
TCK108AG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK108AG, LF 0.4800
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 4-UFBGA, WLCSP Descarga de Carga, Velocidad de Juego Controlada TCK108 No Invierte Canal P 1: 1 4-WCSPD (0.79x0.79) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 Sin requerido Encendido/apaguado 1 - Lado Alto 34mohm 1.1v ~ 5.5V Propósito general 1A
TCR2EN33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN33, LF 0.0896
RFQ
 ECAD 3356 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2en Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn TCR2EN33 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 3.3V - 1 0.18V @ 150 Ma 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TBD62789APG Toshiba Semiconductor and Storage Tbd62789apg 1.7400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) A Través del Aguetero 20-dip (0.300 ", 7.62 mm) - TBD62789 - Canal P 1: 1 20 DIPP descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable EAR99 8542.39.0001 20 2V ~ 5.5V Encendido/apaguado 8 - Lado Alto 1.4ohm 4.5V ~ 50V Propósito general 400mA
TCR2EE15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE15, LM (CT -
RFQ
 ECAD 7280 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Cinta de Corte (CT) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SOT-553 TCR2EE15 5.5V Fijado ESV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 1.5V - 1 - 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TA78L006AP,T6STF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L006AP, T6STF (M -
RFQ
 ECAD 2822 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA78L006 35V Fijado LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 6 MA - Positivo 150 Ma 6V - 1 1.7V @ 40MA (typ) 47dB (120Hz) SOBRE LA CORRIENTE
TB6588FG,8,EL,JU Toshiba Semiconductor and Storage Tb6588fg, 8, El, JU 5.3500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 105 ° C (TA) Propósito general Montaje en superficie 36-bssop (0.346 ", 8.80 mm de ancho) + 2 pestañas de calor TB6588 Potencia Mosfet 7V ~ 42V 36-HSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 1,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (3) 1.5a 7V ~ 42V - DC Sin Escobillas (BLDC) -
TCR3DF25,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF25, LM (CT 0.3800
RFQ
 ECAD 8549 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR3DF Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 TCR3DF25 5.5V Fijado SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 65 µA 78 µA Permiso Positivo 300mA 2.5V - 1 0.31V @ 300mA 70dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TB6819AFG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6819AFG, C, EL 0.5768
RFQ
 ECAD 2379 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) TB6819 10V ~ 25V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 20kHz ~ 150kHz Peducción Crítica (CRM) 72.5 µA
TA78DS05CP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP, F (J -
RFQ
 ECAD 3579 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA78DS 33V Fijado LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - Positivo 30mera 5V - 1 0.3V @ 10mA - Sobre La Corriente, La Temperatura, El Voltaje Excesivo, El Voltaje Transitorio
TB67B054FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tb67b054ftg, el 3.2800
RFQ
 ECAD 3489 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 115 ° C (TA) Propósito general Montaje en superficie 32-vfqfn almohadilla exposición TB67B054 Bi-CMOS 6V ~ 16.5V 32-vqfn (5x5) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8542.39.0001 4.000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia PWM - 2mera - Multifásico DC Sin Escobillas (BLDC) -
TA58L05S,ALPSAQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S, ALPSAQ (M -
RFQ
 ECAD 4393 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TA58L05 29V Fijado Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1 MA 50 Ma - Positivo 250 Ma 5V - 1 0.4V @ 200MA - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TB6559FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tb6559fg, 8, el 1.9800
RFQ
 ECAD 5714 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TA) Propósito general Montaje en superficie 16-BSOP (0.252 ", 6.40 mm de ancho) + 2 pestañas de calor TB6559 NMOS, PMOS 10V ~ 30V 16-HSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1.500 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (2) 1A 10V ~ 30V - DC Cepillado -
TB7110F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TB7110F (TE12L, Q) -
RFQ
 ECAD 2524 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn TB7110 27 V Atenuable Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Atropellado 2 Dólar 500 kHz Positivo No 1.5a, 800 mA 1.215V 24 V 4.5V
TB6642FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6642FG, 8, EL 2.7700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Propósito general Montaje en superficie 16-BSOP (0.252 ", 6.40 mm de ancho) + 2 pestañas de calor TB6642 Bi-CMOS 10V ~ 45V 16-HSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1.500 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo, PWM Medio Puente (2) 1.5a 10V ~ 45V - DC Cepillado -
TCR3DM285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM285, LF -
RFQ
 ECAD 9078 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR3DM Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-udfn almohadilla exposición TCR3DM285 5.5V Fijado 4-DFN (1x1) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 65 µA 78 µA Permiso Positivo 300mA 2.85V - 1 0.25V @ 300mA 70dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TAR5S40UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Tar5s40ute85lf 0.5400
RFQ
 ECAD 4359 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD (5 cables), Plano Plano Tar5s40 15V Fijado UFV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 850 µA Permiso Positivo 200 MMA 4v - 1 0.2V @ 50MA 70dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TA58L12S(FJTN,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L12S (FJTN, QM) -
RFQ
 ECAD 5390 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TA58L12 29V Fijado Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1.2 Ma 50 Ma - Positivo 250 Ma 12V - 1 0.4V @ 200MA - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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