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Gestión de Energía (PMIC) (1138)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Cuidadas | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Corriente - Suministro | Voltaje - Entrada | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Coeficiente de temperatura | Ratio - Entrada: Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | Corriente - Salida / Canal | TUPO DE REFERENCIA | Voltaje - Suministro (VCC/VDD) | Interfaz | Número de Salidas | Real - Obliescent (IQ) | Real - Suministro (Max) | Interruptor interno (s) | Topología | Protección Contra Fallas | Caracteríssticas de control | Voltaje - Suministro (Max) | Configuración de salida | Corriente - Salida | RDS ON (typ) | Voltaje - Carga | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | Atenuación | Voltaje - Suministro (min) | Voltaje - Salida | TUPO DE INTERRUPTOR | Corriente - Salida (Max) | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Ruido - 0.1Hz A 10Hz | Ruido - 10Hz A 10 kHz | Voltaje - Salida (Max) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Tar5s40ute85lf | 0.5400 |  | 4359 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (5 cables), Plano Plano | Tar5s40 | 15V | Fijado | UFV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 850 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 4v | - | 1 | 0.2V @ 50MA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA78L008AP (6DNS, FM | - | | 5698 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78L008 | 35V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6.5 Ma | - | Positivo | 150 Ma | 8V | - | 1 | 1.7V @ 40MA (typ) | 45dB (120Hz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LN15, LF | - | | 7538 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2LN15 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.5V | - | 1 | 1.11V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA76431As, T6wnlf (J | - | | 8844 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | - | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA76431 | - | - | - | - | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC78H660FTG, EL | 1.1900 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 16-vfqfn almohadilla exposición | TC78H660 | DMOS | 1.5V ~ 5.5V | 16-vqfn (3x3) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | - | Medio Puente (4) | 2a | 2.5V ~ 16V | - | DC Cepillado | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA58L05S, LS2TOKQ (J | - | | 3958 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L05 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 5V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb9051ftg, el | 8.3300 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Automotor | Montaje en superficie | 28-PowerQFN | TB9051 | Bi-CMOS | 4.5V ~ 5.5V | 28-Qfn (6x6) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Medio Puente (2) | 6A | - | - | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DM11, LF | 0.0926 | | 7329 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | TCR3DM11 | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 65 µA | 78 µA | Permiso | Positivo | 300mA | 1.1V | - | 1 | - | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA58L12S (FJTN, QM) | - | | 5390 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L12 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1.2 Ma | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 12V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb67s149ftg, el | 3.5500 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-WFQFN PADS EXPUESTA | TB67S149 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 48-WQFN (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (2) | 3A | 10V ~ 40V | Unipolar | - | 1 ~ 1/32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67B000AFG, EL | 7.3500 | | 4094 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 115 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | 42-SOP (0.330 ", 8.40 mm de ancho), 34 cables, exposición de almohadilla | Tb67b000 | IGBT | 13.5V ~ 16.5V | 34-HSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Medio Puente (3) | 2a | 50V ~ 450V | Multifásico | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3UM175A, LF | 0.0878 | | 3614 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr3um | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | TCR3UM175 | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 680 na | Límita real, Habilitar | Positivo | 300mA | 1.75V | - | 1 | 0.273V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62083AFG, EL | 1.3600 | | 8193 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 18-SOICO (0.276 ", 7.00 mm de ancho) | - | TBD62083 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 18-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 8 | - | Lado Bajo | - | 50V (Máximo) | Propósito general | 500mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb62771ftg, 8, el | 1.5500 | | 12 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Iluminar desde el fondo | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 20 wfqfn | Regulador de DC DC | TB62771 | 200kHz ~ 2MHz | 20 WQFN (4x4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 150 Ma | 4 | Si | Agudo (Impulso) | 40V | PWM | 4.75V | 45V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EE135, LM (CT | 0.3300 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EE | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2EE135 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.35V | - | 1 | 0.47V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN095, LF (SE | 0.3800 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 0.95V | - | 1 | 1.46V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EN105, LF | - | | 3845 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2en | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2EN105 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.05V | - | 1 | 0.75V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC78B016FTG, EL | 4.2300 | | 5728 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | 36 WFQFN almohadilla exposición | TC78B016 | Potencia Mosfet | 0V ~ 5.5V | 36 WQFN (5x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Controlador: Conmutacia, Gestión de Dirección | PWM | Pre -conductor - Medio Puente (3) | 3A | 6V ~ 30V | - | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR4DG125, LF | 0.5100 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr4dg | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | TCR4DG125 | 5.5V | Fijado | 4-WCSPE (0.65x0.65) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Permiso | Positivo | 420 mm | 1.25V | - | 1 | 0.781V @ 420MA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Cortocirco | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR5BM18A, L3F | 0.4900 | | 9468 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR5BM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 500mA | 1.8V | - | 1 | 0.21V @ 500 Ma | 98dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tb62261ftag, el | 2.2800 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Aparato | Montaje en superficie | 36 WFQFN almohadilla exposición | TB62261 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 36 WQFN (6x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 800mA | 10V ~ 35V | Bipolar | DC Cepillado | 1, 1/2, 1/4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LE20, LM (CT | 0.4100 | | 3699 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2LE20 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2V | - | 1 | 0.56V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN28, LF (SE | 0.3800 | | 19 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.8V | - | 1 | 0.36V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPD1044F (TE85L, F) | - | | 3217 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | - | TPD1044 | No Invierte | N-canal | 1: 1 | PS-8 (2.9x2.4) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Limitante de Corriente (Fijo), Sobre Temperatura, Sobre Voltaje | Lado Bajo | 440mohm | 3V ~ 6V | Propósito general | 1A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LF10, LM (CT | 0.0721 | | 6884 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2LF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR2LF10 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1v | - | 1 | 1.4V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LE33, LM (CT | 0.4100 | | 120 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2LE33 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.3V | - | 1 | 0.3V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR4DG25, LF | 0.1357 | | 2767 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr4dg | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | TCR4DG25 | 5.5V | Fijado | 4-WCSPE (0.65x0.65) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Permiso | Positivo | 420 mm | 2.5V | - | 1 | 0.347V @ 420 mm | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Cortocirco | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EF28, LM (CT | 0.3300 | | 6239 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR2EF28 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.8V | - | 1 | 0.23V @ 150 mm | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE |
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