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Gestión de Energía (PMIC) (1138)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Cuidadas | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Corriente - Suministro | Voltaje - Entrada | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Coeficiente de temperatura | Ratio - Entrada: Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | TUPO DE REFERENCIA | Voltaje - Suministro (VCC/VDD) | Interfaz | Número de Salidas | Real - Obliescent (IQ) | Real - Suministro (Max) | Protección Contra Fallas | Caracteríssticas de control | Configuración de salida | Corriente - Salida | RDS ON (typ) | Voltaje - Carga | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | TUPO DE INTERRUPTOR | Corriente - Salida (Max) | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Ruido - 0.1Hz A 10Hz | Ruido - 10Hz A 10 kHz | Voltaje - Salida (Max) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Tb67s101ang | 4.5000 |  | 1512 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | A Través del Aguetero | 24-sdip (0.300 ", 7.62 mm) | TB67S101 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 24 SDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | TB67S101ang (O) | EAR99 | 8542.39.0001 | 20 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 4A | 10V ~ 47V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TB9083ftg (El) | 8.2600 | | 53 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TA) | Propósito general | Monte de superficie, Flanco Humectable | 48-vfqfn almohadilla exposición | Potencia Mosfet | 3V ~ 5.5V, 4.5V ~ 28V | 48-vqfn (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Gestión real | SPI | Pre -conductor - Medio Puente (3) | - | - | Multifásico | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA76432As, T6F (J | - | | 3225 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | - | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA76432 | - | - | - | - | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb67h452ftg, El | 3.8200 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-vfqfn almohadilla exposición | TB67H452 | Potencia Mosfet | 4.5V ~ 5.5V | 48-Qfn (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Conductor | PWM | Medio Puente (4) | 5A | 6.3V ~ 38V | Bipolar | DC Cepillado | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA48M03F (T6L1, SNQ) | - | | 8715 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | TA48M03 | 29V | Fijado | Moldeado | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 1.4 Ma | 25 Ma | - | Positivo | 500mA | 3V | - | 1 | 0.65V @ 500 Ma | 70dB (120Hz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Sobre Voltaje, Polaridad Inversa | |||||||||||||||||||||||||||
 | Tb6561ng | - | | 1962 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | A Través del Aguetero | 24-sdip (0.300 ", 7.62 mm) | TB6561 | Bi-CMOS | 10V ~ 36V | 24 SDIP | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Medio Puente (4) | 1.5a | 10V ~ 36V | - | DC Cepillado | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EN125, LF | 0.0896 | | 6671 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2en | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2EN125 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.25V | - | 1 | 0.55V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TA58M12S, Q (J | - | | 7335 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58M12 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1.2 Ma | 80 Ma | - | Positivo | 500mA | 12V | - | 1 | 0.65V @ 500 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre La Temperatura, La Polaridad Inversa | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK206G, LF | 0.5400 | | 3522 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | Tasa de Matriz Controlada | TCK206 | No Invierte | N-canal | 1: 1 | 4-WCSP (0.90x0.90) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Corriente Inversa | Lado Alto | 18.1mohm | 0.75V ~ 3.6V | Propósito general | 2a | |||||||||||||||||||||||||||
| TA78L005AP, T6WNF (J | - | | 9553 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78L005 | 35V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6 MA | - | Positivo | 150 Ma | 5V | - | 1 | 1.7V @ 40MA (typ) | 49dB (120Hz) | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR5RG28A, LF | 0.5300 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR5RG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-xfbga, WLCSP | TCR5RG28 | 5.5V | Fijado | 4-WCSPF (0.65x0.65) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 13 µA | - | Positivo | 500mA | 2.8V | - | 1 | 0.21V @ 500 Ma | 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EF14, LM (CT | 0.3300 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR2EF14 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.4V | - | 1 | 0.42V @ 150MA | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||
| KIA78DL05PI | - | | 3058 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Activo | Kia78 | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR15AG33, LF | 0.6400 | | 3004 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR15AG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-xfbga, WLCSP | TCR15AG33 | 6V | Fijado | 6-WCSP (1.2x0.80) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 40 µA | Permiso | Positivo | 1.5a | 3.3V | - | 1 | 0.648V @ 1.5a | 95dB ~ 60dB (1kHz) | Límita real, apaguado térmico, uvlo | ||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN105, LF (SE | 0.3800 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.05V | - | 1 | 1.38v @ 150 mA | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2DG21, LF | 0.1394 | | 8943 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2DG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | 5.5V | Fijado | 4-WCSP (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.1V | - | 1 | 0.15V @ 100 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LE115, LM (CT | 0.0742 | | 6644 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-553 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.15V | - | 1 | 1.3V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EE27, LM (CT | 0.0680 | | 1161 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EE | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2EE27 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.7V | - | 1 | 0.23V @ 150 mm | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DF335, LM (CT | 0.4900 | | 2885 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF335 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Permiso | Positivo | 300mA | 3.35V | - | 1 | 0.25V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3UM2925A, LF (SE | 0.4600 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 680 na | Límita real, Habilitar | Positivo | 300mA | 2.925V | - | 1 | 0.327V @ 300mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR8BM11A, L3F | 0.1628 | | 8877 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR8BM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR8BM11 | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 800mA | 1.1V | - | 1 | 0.245V @ 800mA | 98dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TA78L10F (TE12L, F) | - | | 2002 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | To-243AA | TA78L10 | 35V | Fijado | PW-Mini (SOT-89) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 6 MA | 6.5 Ma | - | Positivo | 150 Ma | 10V | - | 1 | - | 43dB (120Hz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||
| TB62269ftg, EL | 2.2800 | | 2460 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-WFQFN PADS EXPUESTA | TB62269 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 48-WQFN (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 1.8a | 10V ~ 38V | Bipolar | - | 1 ~ 1/32 | |||||||||||||||||||||||||||||
| TA48015BF (T6L1, NQ) | - | | 3522 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | TA48015 | 16 V | Fijado | Moldeado | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 1.7 Ma | 20 Ma | - | Positivo | 1A | 1.5V | - | 1 | 1.9V @ 1a (typ) | 65dB (120Hz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EE11, LM (CT | 0.3700 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EE | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2EE11 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.1V | - | 1 | 0.67V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN13, LF | - | | 2410 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2LN13 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.3V | - | 1 | 1.11V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EE42, LM (CT | 0.3700 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EE | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2EE42 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 4.2V | - | 1 | 0.2V @ 150MA | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EN115, LF (SE | 0.3800 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.15V | - | 1 | 0.65V @ 150MA | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62083AFG | - | | 3773 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 18-SOICO (0.276 ", 7.00 mm de ancho) | - | TBD62083 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 18-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 40 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 8 | - | Lado Bajo | - | 50V (Máximo) | Propósito general | 500mA | |||||||||||||||||||||||||||
| TCR8BM11, L3F | 0.4500 | | 66 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR8BM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR8BM11 | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 800mA | 1.1V | - | 1 | 0.245V @ 800mA | 98dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura |
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