SIC
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Gestión de Energía (PMIC) (311)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Cuidadas Base Número de Producto Tipo de entrada Voltaje - Entrada Tipo de Salida Sic programable Ratio - Entrada: Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Amontonamiento Voltaje - Suministro (VCC/VDD) Interfaz Número de Salidas Tipo de Canal Protección Contra Fallas Configuración de salida Método de Detección Exacto Corriente - Salida RDS ON (typ) Voltaje - Carga Configuración impulsada Número de conductores Tipo de Puerta Voltaje Lógico - Vil, vih Salida Máxima de Corriente (Fuente, Sumidero) Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje lateral alto - max (bootstrap) Voltaje - Salida TUPO DE INTERRUPTOR Corriente - Salida (Max)
IXDF502D1T/R IXYS Ixdf502d1t/r -
RFQ
 ECAD 8333 0.00000000 Ixys - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-vdfn exposición almohadilla Ixdf502 Invertir, sin inversión Sin verificado 4.5V ~ 30V 6-DFN (4x5) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 2.500 Independiente De Lado Bajo 2 IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET 0.8V, 3V 2a, 2a 7.5ns, 6.5ns
IXDI414SI IXYS Ixdi414si -
RFQ
 ECAD 3405 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 14-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Ixdi414 Invertido Sin verificado 4.5V ~ 35V 14-soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 Soltero De Lado Bajo 1 IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET 0.8V, 3.5V 14a, 14a 22ns, 20ns
IXDN504SIA IXYS Ixdn504sia -
RFQ
 ECAD 1957 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Ixdn504 No Invierte Sin verificado 4.5V ~ 30V 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 94 Independiente De Lado Bajo 2 IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET 0.8V, 3V 4a, 4a 9ns, 8ns
IXDS502D1B IXYS Ixds502d1b -
RFQ
 ECAD 7312 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 6-vdfn exposición almohadilla - IXDS502 No Invierte - 1: 1 6-DFN (4x5) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 121 Sin requerido Encendido/apaguado 1 - Lado Bajo 3ohm 4.5V ~ 25V Propósito general 500mA
IXCP100M35 IXYS Ixcp100m35 -
RFQ
 ECAD 9719 0.00000000 Ixys IXC Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Un 220-3 IXCP100 - Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 Regulador real - - 100mA
IXI859S1 IXYS Ixi859s1 -
RFQ
 ECAD 4603 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -25 ° C ~ 125 ° C Convertidor, Microcontrolador Basadas en Aplicaciones Fueres de Línea Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Ixi859 8.2v ~ 17v 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 100 1 3.3V
IXDI502SIAT/R IXYS Ixdi502siat/r -
RFQ
 ECAD 9504 0.00000000 Ixys - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Ixdi502 Invertido Sin verificado 4.5V ~ 30V 8-Soico descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 2.500 Independiente De Lado Bajo 2 IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET 0.8V, 3V 2a, 2a 7.5ns, 6.5ns
IXD611S1T/R IXYS Ixd611s1t/r -
RFQ
 ECAD 9600 0.00000000 Ixys - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Ixd611 No Invierte Sin verificado 10V ~ 35V 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 2.500 Independiente Medio puente 2 IGBT, N-CANAL MOSFET 2.4V, 2.7V 600 Ma, 600 Ma 28ns, 18ns 600 V
IXDE514D1T/R IXYS Ixde514d1t/r -
RFQ
 ECAD 8047 0.00000000 Ixys - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-vdfn exposición almohadilla Ixde514 Invertido Sin verificado 4.5V ~ 30V 6-DFN (4x5) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 Soltero De Lado Bajo 1 IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET 1V, 2.5V 14a, 14a 25ns, 22ns
IXJ611P1 IXYS Ixj611p1 -
RFQ
 ECAD 3906 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto - A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) IXJ611 - Sin verificado - 8 Dipp - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 450 - - - - - -
IXS839S1 IXYS IXS839S1 -
RFQ
 ECAD 6678 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IXS839 No Invierte Sin verificado 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 98 Sincrónico Medio puente 2 Mosfet de Canal N 0.8V, 2V 2a, 4a 20ns, 15ns 24 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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