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Gestión de Energía (PMIC) (311)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Voltaje - Entrada | Sic programable | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | Tipo de Canal | Método de Detección | Exacto | Corriente - Salida | Configuración impulsada | Número de conductores | Tipo de Puerta | Voltaje Lógico - Vil, vih | Salida Máxima de Corriente (Fuente, Sumidero) | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje lateral alto - max (bootstrap) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IX6S11S6 | - |  | 5839 | 0.00000000 | Ixys | - | Caja | Obsoleto | - | Montaje en superficie | Almohadilla Expuesta de 18-Soico (0.295 ", 7.50 mm) | IX6S11 | - | Sin verificado | - | 18-SOIC-EP | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 168 | - | - | - | - | - | - | |||||||||
 | Ixdn414si | - | | 3230 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 14-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Ixdn414 | No Invierte | Sin verificado | 4.5V ~ 35V | 14-soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Q2799453 | EAR99 | 8542.39.0001 | 94 | Soltero | De Lado Bajo | 1 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 3.5V | 14a, 14a | 22ns, 20ns | |||||||
| Ixdi509d1 | - | | 2241 | 0.00000000 | Ixys | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-vdfn exposición almohadilla | Ixdi509 | Invertido | Sin verificado | 4.5V ~ 30V | 6-DFN (4x5) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 56 | Soltero | De Lado Bajo | 1 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 2.4V | 9a, 9a | 25ns, 23ns | ||||||||
 | IXS839S1T/R | - | | 5710 | 0.00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IXS839 | No Invierte | Sin verificado | 4.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | Sincrónico | Medio puente | 2 | Mosfet de Canal N | 0.8V, 2V | 2a, 4a | 20ns, 15ns | 24 V | |||||||
| Ixde509siat/r | - | | 5314 | 0.00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Ixde509 | Invertido | Sin verificado | 4.5V ~ 30V | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | Soltero | De Lado Bajo | 1 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 2.4V | 9a, 9a | 25ns, 23ns | ||||||||
| IXS839AQ2 | - | | 9395 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 10-vfdfn | IXS839 | No Invierte | Sin verificado | 4.5V ~ 5.5V | 10-Qfn (3x3) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 121 | Sincrónico | Medio puente | 2 | Mosfet de Canal N | 0.8V, 2V | 2a, 4a | 20ns, 15ns | 24 V | |||||||
 | Ixdd404pi | - | | 5827 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Ixdd404 | No Invierte | Sin verificado | 4.5V ~ 35V | 8 Dipp | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | Ixdd404pi-ndr | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Independiente | De Lado Bajo | 2 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 2.5V | 4a, 4a | 16ns, 13ns | |||||||
| Ixdi504d1 | - | | 7874 | 0.00000000 | Ixys | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-vdfn exposición almohadilla | Ixdi504 | Invertido | Sin verificado | 4.5V ~ 30V | 6-DFN (4x5) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 56 | Independiente | De Lado Bajo | 2 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 3V | 4a, 4a | 9ns, 8ns | ||||||||
 | Ixcy20m45 | - | | 3476 | 0.00000000 | Ixys | IXC | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Ixcy20 | - | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Regulador real | - | - | 20 Ma | |||||||||||||
| Ix4r11m6 | - | | 4212 | 0.00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 16-vdfn | IX4R11 | No Invierte | Sin verificado | 10V ~ 20V | 16-MLP (7x6) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Independiente | Medio puente | 2 | IGBT, N-CANAL MOSFET | 6V, 7V | 4a, 4a | 23ns, 22ns | 650 V | |||||||
 | Ixdd415si | - | | 3908 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 28-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Ixdd415 | No Invierte | Sin verificado | 8V ~ 30V | 28-soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 27 | Independiente | De Lado Bajo | 2 | Canal N, Canal P Mosfet | 0.8V, 3.5V | 15a, 15a | 4.5ns, 3.5ns | ||||||||
| Ixdn409pi | - | | 2898 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Ixdn409 | No Invierte | Sin verificado | 4.5V ~ 35V | 8 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Soltero | De Lado Bajo | 1 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 3.5V | 9a, 9a | 10ns, 10ns | ||||||||
 | Ixcp10m35a | - | | 8761 | 0.00000000 | Ixys | IXC | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IXCP10 | - | Un 220-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Regulador real | - | - | 10 Ma | |||||||||||||
| Ix2a11p1 | - | | 7203 | 0.00000000 | Ixys | - | Caja | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | IX2A11 | - | Sin verificado | - | 8 Dipp | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 300 | - | - | - | - | - | - | |||||||||
| Ixdn409si | - | | 4335 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Ixdn409 | No Invierte | Sin verificado | 4.5V ~ 35V | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 94 | Soltero | De Lado Bajo | 1 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 3.5V | 9a, 9a | 10ns, 10ns | ||||||||
| Ixdd409si | - | | 7964 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Ixdd409 | No Invierte | Sin verificado | 4.5V ~ 35V | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 94 | Soltero | De Lado Bajo | 1 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 3.5V | 9a, 9a | 10ns, 10ns | ||||||||
| Ixdn502d1 | - | | 2602 | 0.00000000 | Ixys | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-vdfn exposición almohadilla | Ixdn502 | No Invierte | Sin verificado | 4.5V ~ 30V | 6-DFN (4x5) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 56 | Independiente | De Lado Bajo | 2 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 3V | 2a, 2a | 7.5ns, 6.5ns | ||||||||
 | Ixdi502d1t/r | - | | 8818 | 0.00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-vdfn exposición almohadilla | Ixdi502 | Invertido | Sin verificado | 4.5V ~ 30V | 6-DFN (4x5) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | Independiente | De Lado Bajo | 2 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 3V | 2a, 2a | 7.5ns, 6.5ns | ||||||||
| Ixdn504pi | - | | 3750 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Ixdn504 | No Invierte | Sin verificado | 4.5V ~ 30V | 8 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Independiente | De Lado Bajo | 2 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 3V | 4a, 4a | 9ns, 8ns | ||||||||
| Ixcy60m45 | - | | 8579 | 0.00000000 | Ixys | IXC | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Ixcy60 | - | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Regulador real | - | - | 60mera | |||||||||||||
| Ixcp02m45 | - | | 1846 | 0.00000000 | Ixys | IXC | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IXCP02 | - | Un 220-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Regulador real | - | - | 2mera | |||||||||||||
 | Ixdn414yi | - | | 4444 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-6, d²pak (5 cables + Pestaña), TO-263BA | Ixdn414 | No Invierte | Sin verificado | 4.5V ~ 35V | Un 263-5 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Soltero | De Lado Bajo | 1 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 3.5V | 14a, 14a | 22ns, 20ns | ||||||||
| Ixdd430mci | - | | 4520 | 0.00000000 | Ixys | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-5 | Ixdd430 | No Invierte | Sin verificado | 8.5V ~ 35V | Un 220-5 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Soltero | De Lado Bajo | 1 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 3.5V | 30a, 30a | 18ns, 16ns | ||||||||
| Ixdi509pi | - | | 7830 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Ixdi509 | Invertido | Sin verificado | 4.5V ~ 30V | 8 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Soltero | De Lado Bajo | 1 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 2.4V | 9a, 9a | 25ns, 23ns | ||||||||
| IXA531S10T/R | - | | 4030 | 0.00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 48-tfqfn almohadilla exposición | IXA531 | Invertido | Sin verificado | 8V ~ 35V | 48-MLP (7x7) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 500 | 3 FASE | Medio puente | 6 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 3V | 600 Ma, 600 Ma | 125ns, 50ns | 650 V | |||||||
| Ixs839bq2t/r | - | | 3258 | 0.00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 10-vfdfn | IXS839 | No Invierte | Sin verificado | 4.5V ~ 5.5V | 10-Qfn (3x3) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Sincrónico | Medio puente | 2 | Mosfet de Canal N | 0.8V, 2V | 2a, 4a | 20ns, 15ns | 24 V | |||||||
| Ixdn430myi | - | | 8710 | 0.00000000 | Ixys | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-6, d²pak (5 cables + Pestaña), TO-263BA | Ixdn430 | No Invierte | Sin verificado | 8.5V ~ 35V | Un 263-5 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Q1952551 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Soltero | De Lado Bajo | 1 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 3.5V | 30a, 30a | 18ns, 16ns | |||||||
| Ixf611p1 | - | | 3418 | 0.00000000 | Ixys | - | Caja | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | IXF611 | - | Sin verificado | - | 8 Dipp | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 450 | - | - | - | - | - | - | |||||||||
| Ixdf504d1t/r | - | | 4041 | 0.00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-vdfn exposición almohadilla | Ixdf504 | Invertir, sin inversión | Sin verificado | 4.5V ~ 30V | 6-DFN (4x5) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Independiente | De Lado Bajo | 2 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 3V | 4a, 4a | 9ns, 8ns | ||||||||
 | Ixde504d2 | - | | 8060 | 0.00000000 | Ixys | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | Ixde504 | Invertido | Sin verificado | 4.5V ~ 30V | 8-DFN (4x5) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 56 | Independiente | De Lado Bajo | 2 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 3V | 4a, 4a | 9ns, 8ns |
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