SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (2120)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Cuidadas Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Corriente - Suministro Voltaje - Entrada (Max) Tipo de Salida Número de Circuitos Ratio - Entrada: Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo lógico Número de elementos Número de bits por elemento Corriente - Salida Alta, Baja Amontonamiento Voltaje: Suministro, único/dual (±) Voltaje - Desplazamiento de Entrada (Máximo) Corriente - Sesgo de Entrada (Max) Corriente - Salida (typ) Current - Obliescent (Max) CMRR, PSRR (typ) RetRaso de Propagación (Máximo) Histéris Ritmo Corriente - Salida / Canal TUPO de Amplificador Ganar Producto de Ancho de Banda Corriente - Sesgo de Entrada Voltaje - Compensación de Entrada Voltaje - Supil Span (min) Voltaje - Supple Span (Max) Número de Entradas Voltaje - Suministro (VCC/VDD) Protocolo Número de conductores/receptores Dúplex Tasa de datos Interfaz Número de Salidas Fuente de Suministro de Voltaje Max de propagación del propita @ v, max cl Real - Obliescent (IQ) Real - Suministro (Max) Nivel Lógico de Entrada - Bajo Nivel Lógico de Entrada - Alto Circuito Circuitos Independientes Tiempo de RetRaso - Propagación Protección Contra Fallas Caracteríssticas de control Configuración de salida Corriente - Salida RDS ON (typ) Voltaje - Carga TUPO de MOTOR - PASO TUPO DE MOTOR - AC, DC Resolución de Pasos TUPO DE INTERRUPTOR Corriente - Salida (Max) Voltaje - Salida (Min/Fijo) Voltaje - Salida (Max) Número de reguladores El abandono de voltaje (max) PSRR Caracteríssticas de Proteción
TCR2EE27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE27, LM (CT 0.0680
RFQ
 ECAD 1161 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2EE Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SOT-553 TCR2EE27 5.5V Fijado ESV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 2.7V - 1 0.23V @ 150 mm 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TC75S67TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75S67TU, LF 0.4700
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD (5 cables), Plano Plano TC75S67 430 µA - 1 UFV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.33.0001 3.000 1V/µs 4 Ma CMOS 3.5 MHz 1 PA 500 µV 2.2 V 5.5 V
7UL1G34FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7UL1G34FU, LF 0.4600
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento 7ul Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 7UL1G34 - - 0.9V ~ 3.6V 5-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Búfer, sin inversor 1 1 8 ma, 8 ma
TCR3DF335,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF335, LM (CT 0.4900
RFQ
 ECAD 2885 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR3DF Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 TCR3DF335 5.5V Fijado SMV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Permiso Positivo 300mA 3.35V - 1 0.25V @ 300mA 70dB (1kHz) Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura
TCR3UM2925A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM2925A, LF (SE 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-udfn almohadilla exposición 5.5V Fijado 4-DFN (1x1) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 680 na Límita real, Habilitar Positivo 300mA 2.925V - 1 0.327V @ 300mA - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TCR8BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM11A, L3F 0.1628
RFQ
 ECAD 8877 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR8BM Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xdfn TCR8BM11 5.5V Fijado 5-DFNB (1.2x1.2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 36 µA Límita real, Habilitar Positivo 800mA 1.1V - 1 0.245V @ 800mA 98dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo)
TA78L10F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L10F (TE12L, F) -
RFQ
 ECAD 2002 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie To-243AA TA78L10 35V Fijado PW-Mini (SOT-89) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1,000 6 MA 6.5 Ma - Positivo 150 Ma 10V - 1 - 43dB (120Hz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TB62269FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62269ftg, EL 2.2800
RFQ
 ECAD 2460 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Propósito general Montaje en superficie 48-WFQFN PADS EXPUESTA TB62269 Potencia Mosfet 4.75V ~ 5.25V 48-WQFN (7x7) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 4.000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 1.8a 10V ~ 38V Bipolar - 1 ~ 1/32
TA48015BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48015BF (T6L1, NQ) -
RFQ
 ECAD 3522 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TA48015 16 V Fijado Moldeado - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 1.7 Ma 20 Ma - Positivo 1A 1.5V - 1 1.9V @ 1a (typ) 65dB (120Hz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TD62308APG,J,S Toshiba Semiconductor and Storage TD62308APG, J, S -
RFQ
 ECAD 9189 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) Conductor TD62308 4.5V ~ 5.5V 16 Dipp - No Aplicable EAR99 8542.39.0001 25 - 4/0 - -
TCR2EE11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE11, LM (CT 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2EE Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SOT-553 TCR2EE11 5.5V Fijado ESV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 1.1V - 1 0.67V @ 150 Ma 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TCR2LN13,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN13, LF -
RFQ
 ECAD 2410 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2ln Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn TCR2LN13 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 1.3V - 1 1.11V @ 150 mm - SOBRE LA CORRIENTE
TCR2EE42,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE42, LM (CT 0.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2EE Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SOT-553 TCR2EE42 5.5V Fijado ESV descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 4.2V - 1 0.2V @ 150MA 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TCR2EN115,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN115, LF (SE 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 1.15V - 1 0.65V @ 150MA - SOBRE LA CORRIENTE
TC7SPB9307TU,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SPB9307TU, LF (CT 0.4200
RFQ
 ECAD 345 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7SP Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-smd, planos de cables Interruptor de Autobús TC7SPB9307 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V UF6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 - Suministro dual 1 x 1: 1 1
TBD62083AFG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFG -
RFQ
 ECAD 3773 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 18-SOICO (0.276 ", 7.00 mm de ancho) - TBD62083 Invertido N-canal 1: 1 18-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 40 Sin requerido Encendido/apaguado 8 - Lado Bajo - 50V (Máximo) Propósito general 500mA
TCR8BM11,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM11, L3F 0.4500
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR8BM Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xdfn TCR8BM11 5.5V Fijado 5-DFNB (1.2x1.2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 36 µA Límita real, Habilitar Positivo 800mA 1.1V - 1 0.245V @ 800mA 98dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TC75W70L8X,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75W70L8X, LF -
RFQ
 ECAD 6745 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-Ufqfn Pads Expunesta Propósito general TC75W70 Empuje Sot-902 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.33.0001 5,000 2 1.3V ~ 5.5V 6mv @ 3V 1PA @ 3V 18MA @ 3V 47 µA - 800ns -
TLP7830(D4KWJTLE Toshiba Semiconductor and Storage TLP7830 (D4KWJTle -
RFQ
 ECAD 9915 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP7830 - 1 (ilimitado) 264-TLP7830 (D4KWJTle Obsoleto 50
TC75S59FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC75S59FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 9165 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SOT-553 Propósito general TC75S59 Desagüe ESV descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 1 1.8V ~ 7V, ± 0.9V ~ 3.5V 7mv @ 5V 1PA 25 Ma 220 µA - 200ns -
TC7SU04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7SU04FU, LF 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7SU Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 7SU04 1 2V ~ 6V 5-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Inversor 2.6MA, 2.6MA 1 µA 1 17ns @ 6V, 50pf 0.3V ~ 1.2V 1.7v ~ 4.8v
TB62218AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFNG, C8, EL 1.4487
RFQ
 ECAD 9608 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Propósito general Montaje en superficie 48-TFSOP (0.240 ", 6.10 mm de ancho) Almohadilla exposición TB62218 DMOS 4.75V ~ 5.25V 48 htssop descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 1,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 2A 10V ~ 38V Bipolar - 1, 1/2, 1/4
TCR3UG12A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG12A, LF 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr3ug Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-xfbga, WLCSP TCR3UG12 5.5V Fijado 4-WCSP-F (0.65x0.65) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 580 na Permiso Positivo 300mA 1.2V - 1 0.857V @ 300mA 70dB (1kHz) Incrustar Corriente, Sobre Corriente, Apagado Térmico
TC74AC373P(F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC373P (F) -
RFQ
 ECAD 2207 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC74AC Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 20-dip (0.300 ", 7.62 mm) 74AC373 Tri-estatal 2V ~ 5.5V 20 DIPP descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 20 Pestillo Transparente de Tipo D 75 Ma, 75 Ma 8: 8 1 5.8ns
TC75W58FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75W58FK, LF 0.2228
RFQ
 ECAD 7781 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-VFSOP (0.091 ", 2.30 mm de ancho) Propósito general TC75W58 Desagüe 8-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 2 1.8V ~ 7V, ± 0.9V ~ 3.5V 7mv @ 5V 1PA @ 5V 25 Ma 22 µA - 800ns -
TCR3DM33,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM33, LF (SE 0.4800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-udfn almohadilla exposición 5.5V Fijado 4-DFN (1x1) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 Permiso Positivo 300mA 3.3V - 1 0.23V @ 300mA - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TBD62781AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62781AFWG, EL 1.5600
RFQ
 ECAD 468 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 18-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) - TBD62781 No Invierte Canal P 1: 1 18-SOP descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8542.39.0001 1,000 Sin requerido Encendido/apaguado 8 - Lado Alto 1.6ohm 50V (Máximo) Propósito general 400mA
TA78L009AP,APNF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L009AP, APNF (M -
RFQ
 ECAD 9174 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA78L009 35V Fijado LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - Positivo 150 Ma 9V - 1 1.7V @ 40MA (typ) 44dB (120Hz) SOBRE LA CORRIENTE
TA78L005AP,T6NSF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP, T6NSF (J -
RFQ
 ECAD 3616 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA78L005 35V Fijado LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 6 MA - Positivo 150 Ma 5V - 1 1.7V @ 40MA (typ) 49dB (120Hz) -
TCR3DM13,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM13, LF (SE 0.4800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-udfn almohadilla exposición 5.5V Fijado 4-DFN (1x1) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 Permiso Positivo 300mA 1.3V - 1 0.55V @ 300mA - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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