SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (2120)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Cuidadas Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Corriente - Suministro Voltaje - Entrada Voltaje - Entrada (Max) Tipo de Salida Coeficiente de temperatura Sic programable Número de Circuitos Ratio - Entrada: Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo lógico Número de elementos Número de bits por elemento Corriente - Salida Alta, Baja Amontonamiento Current - Obliescent (Max) Número de Entradas TUPO DE REFERENCIA Número de e/s Procesador central Tamaña de Núcleo Velocidad Conectividad Periféricos Tamaña de la Memoria del Programa Tipo de Memoria del Programa Tamaña de la época Tamaña de la Carnero Voltaje - Suministro (VCC/VDD) Convertidoros de datos TUPO de Oscilador Interfaz FRECUENCIA DE RELOJ Número de Salidas Fuente de Suministro de Voltaje Tipo de activación Max de propagación del propita @ v, max cl Real - Obliescent (IQ) Real - Suministro (Max) Capacitancia de Entrada Nivel Lógico de Entrada - Bajo Nivel Lógico de Entrada - Alto Circuito Circuitos Independientes Tiempo de RetRaso - Propagación Protección Contra Fallas Caracteríssticas de control Configuración de salida Método de Detección Exacto Corriente - Salida RDS ON (typ) Voltaje - Carga TUPO de MOTOR - PASO TUPO DE MOTOR - AC, DC Resolución de Pasos TUPO DE INTERRUPTOR Corriente - Salida (Max) Voltaje - Salida (Min/Fijo) Ruido - 0.1Hz A 10Hz Ruido - 10Hz A 10 kHz Voltaje - Salida (Max) Número de reguladores El abandono de voltaje (max) PSRR Caracteríssticas de Proteción
TC74HC173APF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC173APF -
RFQ
 ECAD 2178 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento 74HC Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) TUPO D 74HC173 Tri-estatal, sin invertido 2V ~ 6V 16 Dipp descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 25 1 4 7.8MA, 7.8MA Restablecimiento maestro 84 MHz Borde positivo 26ns @ 6V, 150pf 4 µA 5 pf
TA78DS05BP(FJTN,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP (FJTN, AF -
RFQ
 ECAD 5680 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA78DS 33V Fijado LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - Positivo 30mera 5V - 1 0.3V @ 10mA - Sobre La Corriente, La Temperatura, El Voltaje Excesivo, El Voltaje Transitorio
TMP86PM29BUG(C,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP86PM29BUG (C, JZ) -
RFQ
 ECAD 3291 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TLCS-870/C Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-LQFP TMP86 64-LQFP (10x10) - 3 (168 Horas) TMP86PM29BUG (CJZ) EAR99 8542.31.0001 1 39 - De 8 bits 16MHz Sio, uart/usart LCD, PWM, WDT 32kb (32k x 8) OTP - 1.5kx 8 1.8v ~ 5.5V A/D 8x10b Externo
TCKE712BNL,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE712BNL, RF 1.6700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 10-WFDFN Pad, TCKE712 4.4V ~ 13.2V 10-WsonB (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 Electrónico fusible - - -
TA48L018F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L018F (TE12L, F) 0.7200
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie To-243AA TA48L018 16 V Fijado PW-Mini (SOT-89) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1,000 800 µA 5 Ma - Positivo 150 Ma 1.8V - 1 0.5V @ 100 Ma 72dB (120Hz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TMP91FY42FG(C,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP91FY42FG (C, JZ) -
RFQ
 ECAD 6684 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TLCS-900/L1 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP TMP91 100-LQFP (14x14) - 3 (168 Horas) 3A991A2 8542.31.0001 10 81 900/L1 De 16 bits 27MHz Ebi/EMI, I²C, Irda, Uart/Usart DMA, PWM, WDT 256kb (256k x 8) Destello - 16k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 8x10b Interno
TA76432S(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S (F, M) -
RFQ
 ECAD 7801 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto - -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA76432 - - - - LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TC74LCX245FTELM Toshiba Semiconductor and Storage Tc74lcx245ftelm -
RFQ
 ECAD 6241 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento 74LCX Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 20-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) 74LCX245 - De 3 estados 1.65V ~ 3.6V 20-TSOP descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 Transceptor, sin inversor 1 8 24 Ma, 24 Ma
TCK22971G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22971G, LF 0.5500
RFQ
 ECAD 6777 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 6-UFBGA, WLCSP Tasa de Matriz Controlada TCK22971 No Invierte Canal P 1: 1 6-WCSPE (0.80x1.2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 Sin requerido Encendido/apaguado 1 Corriente Inversa Lado Alto 25mohm 1.1v ~ 5.5V Propósito general 2a
TC9590XBG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC9590XBG (EL) 11.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotor Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie 64-lfbga Puente Sin verificado 64-LFBGA (7x7) descascar 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 1.500
TC74VCX574FTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74VCX574FTEL 0.1740
RFQ
 ECAD 5456 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tc74vcx Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 20-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) TUPO D TC74VCX574 Tri-estatal, sin invertido 1.2V ~ 3.6V 20-TSOP - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 1 8 24 Ma, 24 Ma Estándar 250 MHz Borde positivo 4.2NS @ 3.3V, 30pf 20 µA 6 pf
TC7S02FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7S02FU, LF 0.4000
RFQ
 ECAD 7916 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7S Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 7S02 1 2V ~ 6V 5-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Ni Puerta 2.6MA, 2.6MA 1 µA 2 17ns @ 6V, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
TC7W14FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W14FU, LF 0.4100
RFQ
 ECAD 667 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7W Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.110 ", Ancho de 2.80 mm) Disparador de Schmitt 7W14 3 2V ~ 6V 8-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Inversor 5.2MA, 5.2MA 1 µA 3 21ns @ 6V, 50pf 0.3V ~ 1.5V 1.5V ~ 4.2V
TCR4DG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG33, LF 0.5100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr4dg Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-XFBGA, CSPBGA TCR4DG33 5.5V Fijado 4-WCSPE (0.65x0.65) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 Permiso Positivo 420 mm 3.3V - 1 0.263V @ 420MA 70dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Cortocirco
TC74VHC238FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC238FK (EL, K) 0.7000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC74VHC Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 16-VFSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) Descifrado 74VHC238 2V ~ 5.5V 16-VSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2.500 8 ma, 8 ma Suminio Único 1 x 3: 8 1
TC7S14FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7S14FU, LF 0.3800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7S Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Disparador de Schmitt 7S14 1 2V ~ 6V 5-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Inversor 2.6MA, 2.6MA 1 µA 1 17ns @ 6V, 50pf 0.3V ~ 1.5V 1.5V ~ 4.2V
TLP7820(D4A,TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP7820 (D4A, TL, E -
RFQ
 ECAD 5141 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto Deteción Real, Gestión de Energía Montaje en superficie 8-SOIC (0.295 ", 7.50 mm de Ancho) Aislamiente TLP7820 8-SO - 1 (ilimitado) 264-TLP7820 (d4atle Obsoleto 50
TB62262FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6222262ftg, EL 1.1819
RFQ
 ECAD 1525 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Aparato Montaje en superficie 48-WFQFN PADS EXPUESTA TB62262 Potencia Mosfet 4.75V ~ 5.25V 48-WQFN (7x7) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 4.000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia PWM Medio Puente (4) 1.4a 10V ~ 38V Bipolar DC Cepillado 1, 1/2, 1/4
TB6560AFG,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AFG, 8 3.8200
RFQ
 ECAD 5140 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -30 ° C ~ 85 ° C Propósito general Montaje en superficie 64-tqfp exposición TB6560 4.5V ~ 5.5V 64-HQFP (10x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 1 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 1.5a 4.5V ~ 34V Bipolar -
TA58M06S,MTDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M06S, MTDQ (J -
RFQ
 ECAD 5672 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TA58M06 29V Fijado Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1 MA 80 Ma - Positivo 500mA 6V - 1 0.65V @ 500 Ma - Sobre La Corriente, Sobre La Temperatura, La Polaridad Inversa
TCR2DG12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG12, LF 0.5000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2DG Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-UFBGA, WLCSP TCR2DG12 5.5V Fijado 4-WCSP (0.79x0.79) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 70 µA - Positivo 200 MMA 1.2V - 1 0.8V @ 100 Ma 85dB ~ 50dB (1kHz ~ 100kHz) Incrustar Corriente, Sobre Corriente, Apagado Térmico
TCR3RM285A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM285A, LF (SE 0.4600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR3RM Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xdfn TCR3RM285 5.5V Fijado 4-DFNC (1x1) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 12 µA Límita real, Habilitar Positivo 300mA 2.85V - 1 0.15V @ 300mA - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TB6641FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tb6641fg, 8, el 2.7700
RFQ
 ECAD 1586 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Propósito general Montaje en superficie 16-BSOP (0.252 ", 6.40 mm de ancho) + 2 pestañas de calor TB6641 Potencia Mosfet 10V ~ 45V 16-HSOP descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8542.39.0001 1.500 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo, PWM Medio Puente (2) 1.5a 10V ~ 45V - DC Cepillado -
TA76431S,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S, F (J -
RFQ
 ECAD 3997 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA76431 - Atenuable LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - Positivo - 2.495V 36V 1 - - -
KIA78DL10PI Toshiba Semiconductor and Storage KIA78DL10PI -
RFQ
 ECAD 5612 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Activo Kia78 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 50
TC7SZ14F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ14F, LJ (CT 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7SZ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 Disparador de Schmitt 7SZ14 1 1.65V ~ 5.5V SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Inversor 32MA, 32MA 1 µA 1 5.9ns @ 5V, 50pf 0.2V ~ 1.2V 1.4V ~ 3.6V
TA76L431S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S, Q (J -
RFQ
 ECAD 9072 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto - -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA76L431 - - - - LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TB62213AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFG, 8, EL 1.8458
RFQ
 ECAD 1279 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Propósito general Montaje en superficie 28-BSOP (0.346 ", 8.80 mm de ancho) + 2 pestañas de calor TB62213 Potencia Mosfet 4.75V ~ 5.25V 28-HSOP descascar Cumplimiento de Rohs 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 1,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 2.4a 10V ~ 38V Bipolar - 1, 1/2, 1/4
TC74HC573AF(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC573AF (EL, F) 0.3286
RFQ
 ECAD 2868 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento 74HC Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 20-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) 74HC573 Tri-estatal 2V ~ 6V 20-SOP - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 Pestillo de Tipo D 7.8MA, 7.8MA 8: 8 1 17ns
TC78B006FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B006FNG, EL 0.6922
RFQ
 ECAD 8459 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Propósito general Montaje en superficie 16-LSSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) TC78B006 Potencia Mosfet 3.5V ~ 16V 16-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 Controlador: Conmutacia, Gestión de Dirección PWM Pre -conductor - Medio Puente (2) - - - DC Sin Escobillas (BLDC) -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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