SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (2120)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Cuidadas Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Corriente - Suministro Voltaje - Entrada (Max) Tipo de Salida Sic programable Número de Circuitos Ratio - Entrada: Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo lógico Número de elementos Número de bits por elemento Corriente - Salida Alta, Baja Amontonamiento Voltaje: Suministro, único/dual (±) Voltaje - Desplazamiento de Entrada (Máximo) Corriente - Sesgo de Entrada (Max) Corriente - Salida (typ) Current - Obliescent (Max) CMRR, PSRR (typ) RetRaso de Propagación (Máximo) Histéris Ritmo -3db Ancho de Banda Corriente - Salida / Canal TUPO de Amplificador Corriente - Sesgo de Entrada Voltaje - Compensación de Entrada Voltaje - Supil Span (min) Voltaje - Supple Span (Max) Número de Entradas Número de e/s Procesador central Tamaña de Núcleo Velocidad Conectividad Periféricos Tamaña de la Memoria del Programa Tipo de Memoria del Programa Tamaña de la época Tamaña de la Carnero Voltaje - Suministro (VCC/VDD) Convertidoros de datos TUPO de Oscilador Protocolo Número de conductores/receptores Dúplex Tasa de datos Interfaz Señal de entrada Señal de Salida Número de Salidas Fuente de Suministro de Voltaje Max de propagación del propita @ v, max cl Real - Obliescent (IQ) Real - Suministro (Max) Nivel Lógico de Entrada - Bajo Nivel Lógico de Entrada - Alto Circuito Circuitos Independientes Tipo de comerciante Tipo de Canal Canales por Circuito Voltaje - VCCA Voltaje - VCCB Interruptor interno (s) Topología FRECUENCIA - CONMUTACIÓN Protección Contra Fallas Caracteríssticas de control Voltaje - Suministro (Max) Configuración de salida Rectificador Sincónnico Corriente - Salida RDS ON (typ) Voltaje - Carga Configuración impulsada Número de conductores Tipo de Puerta Voltaje Lógico - Vil, vih Salida Máxima de Corriente (Fuente, Sumidero) Tiempo de subida / Caída (typ) TUPO de MOTOR - PASO TUPO DE MOTOR - AC, DC Resolución de Pasos Atenuación Voltaje - Suministro (min) Voltaje - Salida TUPO DE INTERRUPTOR Corriente - Salida (Max) Voltaje - Salida (Min/Fijo) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Entrada (min) Número de reguladores El abandono de voltaje (max) PSRR Caracteríssticas de Proteción
TC7SZ04AFS,L3J Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ04AFS, L3J 0.4000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7SZ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie Sot-953 - 7SZ04 1 1.65V ~ 5.5V FSV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 Inversor 32MA, 32MA 2 µA 1 3.6ns @ 5V, 50pf - -
TCR8BM12A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM12A, L3F 0.4900
RFQ
 ECAD 2328 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR8BM Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xdfn TCR8BM12 5.5V Fijado 5-DFNB (1.2x1.2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 36 µA Límita real, Habilitar Positivo 800mA 1.2V - 1 0.26V @ 800 Ma 98dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo)
TC75S58F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75S58F, LF 0.5100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 Propósito general TC75S58 Desagüe SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.33.0001 3.000 1 1.8V ~ 7V, ± 0.9V ~ 3.5V 7mv @ 5V 1PA @ 5V 25 Ma 20 µA - 800ns -
TC75W56FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75W56FK, LF 0.5100
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-VFSOP (0.091 ", 2.30 mm de ancho) Propósito general TC75W56 Empuje 8-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.33.0001 3.000 2 1.8V ~ 7V, ± 0.9V ~ 3.5V 7mv @ 5V 1PA @ 5V 25 Ma 40 µA - 680ns -
TC7SH126FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH126FSTPL3 -
RFQ
 ECAD 2763 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7SH Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Sot-953 TC7SH126 - De 3 estados 2V ~ 5.5V FSV - 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 Búfer, sin inversor 1 1 8 ma, 8 ma
TC75S55FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC75S55FU (TE85L, F) 0.4600
RFQ
 ECAD 8650 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 TC75S55 10 µA - 1 5-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.33.0001 3.000 0.7V/µs 700 µA Propósito general 1 PA 2 MV 1.8 V 7 V
TC75W58FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75W58FU, LF 0.5800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.110 ", Ancho de 2.80 mm) Propósito general TC75W58 Desagüe 8-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 2 1.8V ~ 7V, ± 0.9V ~ 3.5V 7mv @ 5V 1PA @ 5V 25 Ma 22 µA - 800ns -
TC75S59FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC75S59FU (TE85L, F) 0.4200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Propósito general TC75S59 Desagüe 5-ssop descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 1 1.8V ~ 7V, ± 0.9V ~ 3.5V 7mv @ 5V 1PA 25 Ma 220 µA - 200ns -
TC7SPN3125CFC(T5L) Toshiba Semiconductor and Storage TC7SPN3125CFC (T5L) -
RFQ
 ECAD 5767 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7SP Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 6-xfdfn almohadilla exposición - TC7SPN Tri-estatal, sin invertido 1 CST6C - 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 - - - Nivel de Voltaje Unidireccional 1 1.1 V ~ 2.7 V 1.65 V ~ 3.6 V
TCR2EN13,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN13, LF 0.0896
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2en Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn TCR2EN13 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 1.3V - 1 0.45V @ 150MA 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TMPM330FDFG(C) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM330FDFG (C) 5.0908
RFQ
 ECAD 2960 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TX03 Banda Activo -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP TMPM330 100-LQFP (14x14) descascar Cumplimiento de Rohs 3 (168 Horas) 3A991A2 8542.31.0001 200 79 ARM® Cortex®-M3 32 bits de un solo nús 40MHz I²c, sio, uart/usart Por, WDT 512kb (512k x 8) Destello - 32k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 12x10b Externo
TA75S393F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TA75S393F, LF 0.4800
RFQ
 ECAD 158 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 Propósito general TA75S393 CMOS, DTL, MOS, Colector Abierto, TTL SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 1 2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V 5 MV @ 5V 0.05 µA @ 5V 16MA @ 5V 800 µA - - -
TC4S11FT5LFT Toshiba Semiconductor and Storage Tc4s11ft5lft -
RFQ
 ECAD 9881 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC4S Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 - TC4S11 1 3V ~ 18V SMV descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Puerta de Nand 3.4MA, 3.4MA 1 µA 2 80ns @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
TCV7113F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7113F (TE12L, Q) -
RFQ
 ECAD 4470 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn TCV71 5.6v Atenuable Avance 8-SOP (5x5) - 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Atropellado 1 Dólar 1MHz Positivo Si 6A 0.8V 5.6v 2.7V
TCR5AM085,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM085, LF 0.1344
RFQ
 ECAD 5661 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR5AM Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xdfn TCR5AM085 5.5V Fijado 5-DFNB (1.2x1.2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA Permiso Positivo 500mA 0.85V - 1 0.22V @ 500 mA 70dB ~ 40dB (1kHz ~ 10Hz) Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo)
TMPM333FYFG(C) Toshiba Semiconductor and Storage Tmpm333fyfg (c) 4.0755
RFQ
 ECAD 4483 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TX03 Banda Activo -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP TMPM333 100-LQFP (14x14) descascar Cumplimiento de Rohs 3 (168 Horas) 3A991A2 8542.31.0001 200 78 ARM® Cortex®-M3 32 bits de un solo nús 40MHz I²c, sio, uart/usart Por, WDT 256kb (256k x 8) Destello - 16k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 12x10b Externo
TB6560AHQ Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AHQ -
RFQ
 ECAD 3693 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TA) Propósito general A Través del Aguetero Peedores Formados de 25 SSIP TB6560 Potencia Mosfet 4.5V ~ 5.5V 25 Hzip descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8542.39.0001 504 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 3A 4.5V ~ 34V Bipolar - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16
TB67S269FTG Toshiba Semiconductor and Storage Tb67s269ftg -
RFQ
 ECAD 1924 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Propósito general Montaje en superficie 48-WFQFN PADS EXPUESTA TB67S269 Potencia Mosfet 4.75V ~ 5.25V 48-WQFN (7x7) descascar Cumplimiento de Rohs 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 2,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 2a 10V ~ 47V Bipolar - 1 ~ 1/32
TB6674FAG Toshiba Semiconductor and Storage Tb6674fag -
RFQ
 ECAD 3570 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 75 ° C (TA) Propósito general Montaje en superficie 16-SOP (0.181 ", 4.60 mm de ancho) TB6674 Potencia Mosfet 4.5V ~ 5.5V 16-ssop descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 100mA 2.7V ~ 22V Bipolar - -
TBD62783AFNG Toshiba Semiconductor and Storage Tbd62783afng -
RFQ
 ECAD 3817 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 18-LSSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) - TBD62783 No Invierte Canal P 1: 1 18-ssop descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 Sin requerido Encendido/apaguado 8 - Lado Alto - 50V (Máximo) Propósito general 500mA
TB62747AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62747AFG, EL -
RFQ
 ECAD 1895 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - Montaje en superficie 24-SOP (0.236 ", 6.00 mm de Ancho) Lineal TB62747 - 24-ssop descascar 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 2,000 45mA 16 Si Registro de Turno 5.5V - 3V 26 V
TD62308AFG,S,EL Toshiba Semiconductor and Storage TD62308AFG, S, EL -
RFQ
 ECAD 6873 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 16-BSOP (0.252 ", 6.40 mm de ancho) + 2 pestañas de calor Conductor TD62308 4.5V ~ 5.5V 16-HSOP - 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1.500 - 4/0 - -
TD62783AFG,S,EL Toshiba Semiconductor and Storage TD62783AFG, S, EL -
RFQ
 ECAD 1031 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 18-SOICO (0.276 ", 7.00 mm de ancho) Conductor TD62783 5V 18-SOP descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 40 - 8/0 - -
TLP7920(D4-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP7920 (D4-TP1, F 6.5800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP7920 12mera Diferente 1 8-SMD descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.33.0001 1.500 - 230 kHz Aislamiente 5.5 na 730 µV 4.5 V 5.5 V
TA78L008AP(DNSO,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP (DNSO, FM -
RFQ
 ECAD 7130 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA78L008 35V Fijado LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - Positivo 150 Ma 8V - 1 1.7V @ 40MA (typ) 45dB (120Hz) SOBRE LA CORRIENTE
TLE4274V50 Toshiba Semiconductor and Storage TLE4274V50 -
RFQ
 ECAD 4781 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Activo TLE4274 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLE4274V50TS EAR99 8542.39.0001 50
TC7WH125FK,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH125FK, LJ (CT 0.0886
RFQ
 ECAD 3113 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento 7Wh Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-VFSOP (0.091 ", 2.30 mm de ancho) TC7WH125 - De 3 estados 2V ~ 5.5V US8 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Búfer, sin inversor 2 1 8 ma, 8 ma
TC7W66FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W66FK, LF 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7W Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-VFSOP (0.091 ", 2.30 mm de ancho) Interrumpir bilaterales, FET TC7W66 2V ~ 12V 8-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 - Suminio Único 1 x 1: 1 2
TCK401G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK401G, LF 0.6200
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 6-UFBGA, WLCSP TCK401 No Invierte Sin verificado 2.7V ~ 28V 6-WCSPE (0.80x1.2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 Soltero De Lado Alto 1 - 0.4V, 1.6V - 0.2 ms, 1.5 µs
TB67H400ANG Toshiba Semiconductor and Storage Tb67h400ang 6.2800
RFQ
 ECAD 997 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Banda Activo -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Propósito general A Través del Aguetero 24-sdip (0.300 ", 7.62 mm) TB67H400 Potencia Mosfet 2V ~ 5.5V 24 SDIP descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Tb67h400ang (o) EAR99 8542.39.0001 1,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo, PWM Medio Puente (4) 6A 10V ~ 47V - DC Cepillado -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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