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Circuitos Integrados (ICS) (2120)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Cuidadas | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Sic programable | Número de Circuitos | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo lógico | Corriente - Salida Alta, Baja | Amontonamiento | Current - Obliescent (Max) | Corriente - Salida / Canal | Número de Entradas | Interfaz | Número de Salidas | Max de propagación del propita @ v, max cl | Real - Obliescent (IQ) | Nivel Lógico de Entrada - Bajo | Nivel Lógico de Entrada - Alto | Tipo de Canal | Interruptor interno (s) | Topología | Caracteríssticas de control | Voltaje - Suministro (Max) | Configuración de salida | Corriente - Salida | Voltaje - Carga | Configuración impulsada | Número de conductores | Tipo de Puerta | Voltaje Lógico - Vil, vih | Salida Máxima de Corriente (Fuente, Sumidero) | Tiempo de subida / Caída (typ) | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | Atenuación | Voltaje - Suministro (min) | Voltaje - Salida | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Voltaje - Salida (Max) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TB67S539FTG (O, EL) | 1.8200 |  | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | 32-vfqfn almohadilla exposición | TB67S539 | Nmos | 6V | 32-vqfn (5x5) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Preconductor - Medio Puente (4) | 2a | 4.5V ~ 34V | Bipolar | DC Cepillado | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DM18, RF (SE | 0.4800 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | Permiso | Positivo | 300mA | 1.8V | - | 1 | 0.38V @ 300mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DM11, LF (SE | 0.4800 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | Permiso | Positivo | 300mA | 1.1V | - | 1 | 0.65V @ 300 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LN12, LF (SE | 0.3800 | | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.2V | - | 1 | 1.23V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 7UL1T86FU, LF | 0.4100 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | - | 7UL1T86 | 1 | 2.3V ~ 3.6V | USV | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Xor (exclusivo o) | 8 ma, 8 ma | 1 µA | 2 | 4.4ns @ 3.3V, 15pf | 0.1V ~ 0.4V | 2V ~ 2.48V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3UM12A, LF (SE | 0.4700 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 580 na | Límita real, Habilitar | Positivo | 300mA | 1.2V | - | 1 | 0.857V @ 300mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DM135, LF (SE | 0.4800 | | 19 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | Permiso | Positivo | 300mA | 1.35V | - | 1 | 0.52V @ 300mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EN33, LF (SE | 0.3800 | | 981 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.3V | - | 1 | 0.18V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN36, LF (SE | 0.3800 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.6V | - | 1 | 0.28V @ 150MA | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EN35, LF (SE | 0.3800 | | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.5V | - | 1 | 0.18V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DM33, RF (SE | 0.4800 | | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | Permiso | Positivo | 300mA | 3.3V | - | 1 | 0.23V @ 300mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN18, LF (SE | 0.3800 | | 11 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.8V | - | 1 | 0.6V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LN30, LF (SE | 0.3800 | | 19 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3V | - | 1 | 0.28V @ 150MA | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DM45, LF (SE | 0.4800 | | 3185 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 125 µA | Permiso | Positivo | 300mA | 4.5V | - | 1 | 0.2V @ 300mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EN11, LF (SE | 0.3800 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.1V | - | 1 | 0.65V @ 150MA | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN115, LF (SE | 0.3800 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.15V | - | 1 | 1.28v @ 150 mA | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN21, LF (SE | 0.3800 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.1V | - | 1 | 0.54V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3RM33A, LF (SE | 0.4600 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3RM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR3RM33 | 5.5V | Fijado | 4-DFNC (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 12 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 300mA | 3.3V | - | 1 | 0.14V @ 300mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN11, LF (SE | 0.3800 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.1V | - | 1 | 1.28v @ 150 mA | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EN15, LF (SE | 0.3800 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.5V | - | 1 | 0.37V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7UL1G00FU, LF | 0.3400 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | - | 7UL1G00 | 1 | 0.9V ~ 3.6V | USV | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Puerta de Nand | 8 ma, 8 ma | 1 µA | 2 | 4.4ns @ 3.3V, 30pf | 0.7V ~ 0.8V | 1.7v ~ 2v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN08, LF (SE | 0.3800 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 0.8V | - | 1 | 1.56V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EN30, LF (SE | 0.3800 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3V | - | 1 | 0.18V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3UM09A, LF (SE | 0.4700 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 580 na | Límita real, Habilitar | Positivo | 300mA | 0.9V | - | 1 | 1.157v @ 300 mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN085, LF (SE | 0.3800 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 0.85V | - | 1 | 1.56V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67H450AFNG, EL | 1.5300 | | 33 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | Almohadilla Expunesta de 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm) | TB67H450 | Potencia Mosfet | 4.5V ~ 44V | 8-HSOP | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,500 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | - | Medio puente | 3A | 4.5V ~ 44V | Bipolar | DC Cepillado | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC62D748CFNAG (CBHJ | - | | 5936 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Iluminación LED | Montaje en superficie | 24-ssop (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Lineal | TC62D748 | - | 24-ssop | - | 264-TC62D748CFNAG (CBHJ | Obsoleto | 1 | 90 Ma | 16 | No | Registro de Turno | 5.5V | No | 3V | 17 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK422G, L3F | 0.8500 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-xfbga, WLCSP | TCK422 | No Invierte | Sin verificado | 2.7V ~ 28V | 6-WCSPG (0.8x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Soltero | De Lado Alto | 1 | Mosfet de Canal N | 0.4V, 1.2V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2DG285, LF | 0.1394 | | 7114 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2DG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | 5.5V | Fijado | 4-WCSP (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.85V | - | 1 | 0.12V @ 100 mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC62D749CFG, EL | 0.4038 | | 1973 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Iluminación LED | Montaje en superficie | 24-SOP (0.236 ", 6.00 mm de Ancho) | Lineal | TC62D749 | - | 24-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 2,000 | 90 Ma | 16 | Si | Registro de Turno | 5.5V | - | 3V | 17 V |
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