SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (2120)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Cuidadas Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Corriente - Suministro Número de Canales Voltaje - Entrada (Max) Tipo de Salida Número de Circuitos Ratio - Entrada: Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo lógico Número de elementos Número de bits por elemento Corriente - Salida Alta, Baja Amontonamiento Current - Obliescent (Max) Ritmo -3db Ancho de Banda Corriente - Salida / Canal TUPO de Amplificador Ganar Producto de Ancho de Banda Corriente - Sesgo de Entrada Voltaje - Compensación de Entrada Voltaje - Supil Span (min) Voltaje - Supple Span (Max) Tasa de Maestreo (por Segundo) Número de Entradas Interfaz de datos Voltaje - Suministro (VCC/VDD) Circuito de Interruptor CircuitO Multiplexor/Demultiplexor Resistencia en el Estado (Max) Matricio de canal un canal (ΔRon) Voltaje - Suministro, Single (V+) Voltaje - Suministro, Dual (V ±) Tiempo de Cambio (Ton, Toff) (Máximo) Inyeción de Carga Capacitancia del Canal (CS (OFF), CD (OFF)) Corriente - Fugas (ES (APAGADO)) (MAX) Pisoteo Interfaz FRECUENCIA DE RELOJ Resolución (bits) Número de Salidas Fuente de Suministro de Voltaje Tipo de activación Max de propagación del propita @ v, max cl Real - Obliescent (IQ) Real - Suministro (Max) Capacitancia de Entrada Nivel Lógico de Entrada - Bajo Nivel Lógico de Entrada - Alto Entrada de activación de Schmitt Circuito Circuitos Independientes RetReso de Propagación Interruptor interno (s) Topología Protección Contra Fallas Caracteríssticas de control Voltaje - Suministro (Max) Configuración de salida Corriente - Salida RDS ON (typ) Voltaje - Carga TUPO de MOTOR - PASO TUPO DE MOTOR - AC, DC Resolución de Pasos Atenuación Voltaje - Suministro (min) Voltaje - Salida TUPO DE INTERRUPTOR Corriente - Salida (Max) Voltaje - Salida (Min/Fijo) Voltaje - Salida (Max) Número de reguladores El abandono de voltaje (max) PSRR Caracteríssticas de Proteción
TCR2EN10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN10, LF 0.0798
RFQ
 ECAD 5878 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2en Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn TCR2EN10 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 1V - 1 0.75V @ 150 Ma 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
74VHCV07FT Toshiba Semiconductor and Storage 74vhcv07ft 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento 74vhcv Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 14-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) 74VHCV07 Disparador de Schmitt Desagüe 1.8v ~ 5.5V 14-TSOPB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2.500 Búfer, sin inversor 6 1 -, 16MA
74VHCT240AFT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHCT240Aft 0.5100
RFQ
 ECAD 5056 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento 74 VHCT Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 20-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) 74VHCT240 - De 3 estados 4.5V ~ 5.5V 20-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2.500 Búfer, Inversión 2 4 8 ma, 8 ma
TA58L05S,ASHIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S, ASHIQ (M -
RFQ
 ECAD 5236 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TA58L05 29V Fijado Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1 MA 50 Ma - Positivo 250 Ma 5V - 1 0.4V @ 200MA - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TC7SB66CFU,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SB66CFU, LF (CT 0.4500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 TC7SB66 1 USV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 - SPST - NC 1: 1 7ohm - 1.65V ~ 5.5V - 4ns, 4.5ns - 5pf 1 µA -
TC7SPB9306TU,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SPB9306TU, LF (CT 0.4200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7SP Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-smd, planos de cables Interruptor de Autobús TC7SPB9306 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V UF6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 - Suministro dual 1 x 1: 1 1
TLP7830(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP7830 (TP4, E 7.0400
RFQ
 ECAD 1725 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.295 ", 7.50 mm de Ancho) Modulador TLP7830 1 3V ~ 5.5V 8-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 - De serie 1 B Suministro dual
TC78S600FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S600FTG, EL 0.6963
RFQ
 ECAD 8401 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo TC78S600 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000
TCK106G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK106G, LF 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 4-UFBGA Tasa de Matriz Controlada TCK106 No Invierte Canal P 1: 1 4-WCSP (0.79x0.79) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Sin requerido Encendido/apaguado 1 - Lado Alto 49mohm 1.1v ~ 5.5V Propósito general 1A
TC7W125FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W125FU, LF 0.4200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7W Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.110 ", Ancho de 2.80 mm) TC7W125 - De 3 estados 2V ~ 6V 8-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Búfer, sin inversor 2 1 7.8MA, 7.8MA
TBD62785AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62785AFWG, EL 1.6000
RFQ
 ECAD 9191 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 18-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) - TBD62785 Invertido Canal P 1: 1 18-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1,000 Sin requerido Encendido/apaguado 8 - Lado Bajo 1.6ohm 4.5V ~ 50V Propósito general 500mA
TC7SZ05F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ05F, LJ (CT 0.0680
RFQ
 ECAD 1983 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7SZ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 Desagüe 7SZ05 1 1.8v ~ 5.5V SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Inversor -, 32MA 2 µA 1 4.3ns @ 5V, 50pf - -
TCR2EE36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE36, LM (CT -
RFQ
 ECAD 8242 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Cinta de Corte (CT) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SOT-553 TCR2EE36 5.5V Fijado ESV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 3.6V - 1 - 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TC7WPB8306L8X,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WPB8306L8X, LF -
RFQ
 ECAD 5007 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7WP Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-Uflga Interruptor de Autobús TC7WPB8306 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V MP8 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 - Suministro dual 2 x 1: 1 1
74HC4053FT Toshiba Semiconductor and Storage 74HC4053ft 0.1360
RFQ
 ECAD 5657 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento 74HC Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-TSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) 3 16-tsopb descascar 264-74HC4053FTTR 2.500 200MHz SPDT 2: 1 100ohm 5ohm 2V ~ 6V - 38ns, 38ns - 5pf 100na -50dB @ 1MHz
TC7PH34FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC7PH34FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 5864 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7PH Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 TC7PH34 - Empuje 2V ~ 5.5V ES6 (1.6x1.6) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 Búfer, sin inversor 2 1 8 ma, 8 ma
TB62763FMG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tb62763fmg, 8, el 0.5047
RFQ
 ECAD 8580 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Iluminar desde el fondo Montaje en superficie Almohadilla Expunesta de 8-SMD, Plomo Plano Regulador de DC DC TB62763 200kHz ~ 2MHz 8-Son (2.9x2.8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 80mera 1 Si Agudo (Impulso) 5.5V - 2.8V -
TC75S55F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75S55F, LF 0.5100
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 TC75S55 10 µA - 1 SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.33.0001 3.000 0.08V/µs 450 µA Propósito general 160 kHz 1 PA 2 MV 1.8 V 7 V
TCR2EE13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE13, LM (CT -
RFQ
 ECAD 4375 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Cinta de Corte (CT) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SOT-553 TCR2EE13 5.5V Fijado ESV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 1.3V - 1 - 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TB62785FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tb62785ftg, el 1.0471
RFQ
 ECAD 6166 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - Montaje en superficie Almohadilla exposición de 24 vfqfn Lineal TB62785 - 24-VQFN (4x4) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 50mera 8 Si Registro de Turno 5.5V - 4.5V 17 V
TB6562AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6562AFG, 8, EL 3.2200
RFQ
 ECAD 1755 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Propósito general Montaje en superficie 30-BSOP (0.295 ", 7.50 mm de Ancho) TB6562 DMOS 10V ~ 34V 30-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 1.5a 10V ~ 34V Bipolar - 1, 1/2, 1/4
TC74VCX125FTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74VCX125FTEL 0.1326
RFQ
 ECAD 9456 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tc74vcx Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 14-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) 74VCX125 - De 3 estados 1.2V ~ 3.6V 14-TSOP - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 Búfer, sin inversor 4 1 24 Ma, 24 Ma
TA78L005AP,6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP, 6KEHF (M -
RFQ
 ECAD 6572 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA78L005 35V Fijado LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 6 MA - Positivo 150 Ma 5V - 1 1.7V @ 40MA (typ) 49dB (120Hz) -
TA78L008AP,6MBSF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP, 6MBSF (M -
RFQ
 ECAD 7399 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA78L008 35V Fijado LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - Positivo 150 Ma 8V - 1 1.7V @ 40MA (typ) 45dB (120Hz) SOBRE LA CORRIENTE
TA58L05S(LS2YAZ,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S (LS2YAZ, AQ -
RFQ
 ECAD 7052 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TA58L05 29V Fijado Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1 MA 50 Ma - Positivo 250 Ma 5V - 1 0.4V @ 200MA - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TA58L08S,SUMISQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L08S, SUMISQ (M -
RFQ
 ECAD 5777 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TA58L08 29V Fijado Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1 MA 50 Ma - Positivo 250 Ma 8V - 1 0.4V @ 200MA - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
74HCT32D Toshiba Semiconductor and Storage 74HCT32D 0.5600
RFQ
 ECAD 276 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento 74HCT Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 14-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) - 74HCT32 4 4.5V ~ 5.5V 14-soico - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2.500 O Puerta 4mA, 4MA 1 µA 2 18ns @ 5.5v, 50pf 0.8V 2V
74HC175D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC175D 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento 74HC Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) TUPO D 74HC175 Complementario 2V ~ 6V 16-soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2.500 1 4 5.2MA, 5.2MA Restablecimiento maestro 63 MHz Borde positivo 24ns @ 6V, 50pf 4 µA 3 PF
TA78L020AP,T6WNF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L020AP, T6WNF (J -
RFQ
 ECAD 5715 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA78L020 40V Fijado LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - Positivo 150 Ma 20V - 1 1.7V @ 40MA (typ) 37dB (120Hz) SOBRE LA CORRIENTE
TC74HC4538AF-ELF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC4538AF-ALTO 0.2464
RFQ
 ECAD 1351 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento 74HC Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 14-soico (0.209 ", 5.30 mm de ancho) TC74HC4538 2 V ~ 6 V 14-SOP - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 Monoestable 5.2MA, 5.2MA Si 2 25 ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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