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Circuitos Integrados (ICS) (2120)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Voltaje - Entrada | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo lógico | Número de elementos | Número de bits por elemento | Corriente - Salida Alta, Baja | Amontonamiento | Corriente - Salida / Canal | Número de e/s | Procesador central | Tamaña de Núcleo | Velocidad | Conectividad | Periféricos | Tamaña de la Memoria del Programa | Tipo de Memoria del Programa | Tamaña de la época | Tamaña de la Carnero | Voltaje - Suministro (VCC/VDD) | Convertidoros de datos | TUPO de Oscilador | Interfaz | Número de Salidas | Fuente de Suministro de Voltaje | Real - Obliescent (IQ) | Circuito | Circuitos Independientes | Tiempo de RetRaso - Propagación | Interruptor interno (s) | Topología | Caracteríssticas de control | Voltaje - Suministro (Max) | Configuración de salida | Método de Detección | Exacto | Corriente - Salida | Voltaje - Carga | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | Atenuación | Voltaje - Suministro (min) | Voltaje - Salida | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Voltaje - Salida (Max) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TCR2LE085, LM (CT | 0.0742 |  | 7723 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-553 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 0.85V | - | 1 | 1.58v @ 150 mA | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR8BM08A, L3F | 0.4600 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR8BM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 800mA | 0.8V | - | 1 | 0.21V @ 800 Ma | 98dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC74AC540FT (EL) | 0.2235 | | 8788 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | 74ac | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 20-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | 74AC540 | - | De 3 estados | 2V ~ 5.5V | 20-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 264-TC74AC540FT (EL) TR | 2,000 | Búfer, Inversión | 1 | 8 | 24 Ma, 24 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC74VHC373FK (EL, K) | 0.2987 | | 5264 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | 74 VHC | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 20-VFSOP (0.118 ", 3.00 mm de ancho) | 74VHC373 | Tri-estatal | 2V ~ 5.5V | 20-VSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | Pestillo Transparente de Tipo D | 8 ma, 8 ma | 8: 8 | 1 | 6.5ns @ 5V, 50pf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb67s549ftg, el | 1.9800 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 24 vfqfn | TB67S549 | DMOS | 4.5V ~ 33V | 24-Qfn (4x4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Medio Puente (2) | 1.2a | 4.5V ~ 33V | Bipolar | DC Cepillado | 1 ~ 1/32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2DG32, LF | 0.1394 | | 4709 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2DG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | 5.5V | Fijado | 4-WCSP (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.2V | - | 1 | 0.11V @ 100 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tb67s209ftg, el | 1.6644 | | 2320 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | 48-WFQFN PADS EXPUESTA | TB67S209 | NMOS, PMOS | 4.75V ~ 5.25V | 48-WQFN (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 3A | 10V ~ 47V | Bipolar | DC Cepillado | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DF32, LM (CT | 0.0906 | | 4668 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Permiso | Positivo | 300mA | 3.2V | - | 1 | 0.25V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2DG19, LF | 0.1394 | | 5190 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2DG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | 5.5V | Fijado | 4-WCSP (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.9V | - | 1 | 0.17V @ 100 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2DG27, LF | 0.1394 | | 3734 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2DG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | 5.5V | Fijado | 4-WCSP (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.7V | - | 1 | 0.12V @ 100 mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR5AM10A, LF | 0.1357 | | 7913 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR5AM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 55 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 500mA | 1V | - | 1 | 0.25V @ 500 mA | 90dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC78H651FNG, EL | 1.5300 | | 6457 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | 16-TSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | TC78H651 | DMOS | 1.8v ~ 6V | 16-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | - | Medio Puente (4) | 1.5a | 1.8v ~ 6V | Bipolar | DC Cepillado | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB67S128FTG, EL | 7.8400 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | 64-vfqfn almohadilla exposición | TB67S128 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 64-vqfn (9x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Medio puente | 5A | 6.5V ~ 44V | Bipolar | DC Sin Escobillas (BLDC) | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32, 1/128 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC62D748CFG, EL | 1.5800 | | 5947 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Iluminación LED | Montaje en superficie | 24-SOP (0.236 ", 6.00 mm de Ancho) | Lineal | TC62D748 | - | 24-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 2,000 | 90 Ma | 16 | No | Registro de Turno | 5.5V | No | 3V | 17 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2DG26, LF | 0.1394 | | 4130 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2DG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | 5.5V | Fijado | 4-WCSP (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.6V | - | 1 | 0.13V @ 100 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EE19, LM (CT | 0.0680 | | 4290 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EE | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.9V | - | 1 | 0.31V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR8BM33A, L3F | 0.4600 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR8BM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 800mA | 3.3V | - | 1 | 0.285V @ 800 mA | - | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 74LCX157 pasteles | 0.1020 | | 8155 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-TSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | Multiplexor | 74LCX157 | 1.65V ~ 3.6V | 16-tsopb | descascar | ROHS3 Cumplante | 2.500 | 24 Ma, 24 Ma | Suminio Único | 4 x 2: 1 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR8BM09A, L3F | 0.4600 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR8BM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 800mA | 0.9V | - | 1 | 0.22V @ 800 mA | - | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb67h451afng, el | 1.5300 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | Almohadilla Expunesta de 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm) | TB67H451 | Bicdmos | - | 8-HSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 264-TB67H451AFNGELCT | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,500 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Pre -conductor - Medio Puente | 3.5a | 4.5V ~ 44V | Bipolar | DC Cepillado | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC62D748CFNAG (ELHB | - | | 3127 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Iluminación LED | Montaje en superficie | 24-ssop (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Lineal | TC62D748 | - | 24-ssop | - | 264-TC62D748CFNAG (ELHB | Obsoleto | 1 | 90 Ma | 16 | No | Registro de Turno | 5.5V | No | 3V | 17 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tmpm4gnf10fg | - | | 7226 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TXZ+ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 100 LQFP | 100-LQFP (14x14) | descascar | 264-TMPM4GNF10FG | 1 | 91 | ARM® Cortex®-M4F | De 32 bits | 200MHz | Ebi/emi, fifo, i²c, irda, sio, spi, uart/usart | DMA, I²S, LVD, POR, PWM, WDT | 1 MB (1 mx 8) | Destello | 32k x 8 | 256k x 8 | 2.7V ~ 3.6V | A/D 24x12B SAR; D/a 2x8b | Externo, interno | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB67S149AFTG, EL | 1.7809 | | 6157 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | 48-WFQFN PADS EXPUESTA | Nmos | 4.75V ~ 5.25V | 48-WQFN (7x7) | descascar | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Encendido/apaguado | - | - | 10V ~ 40V | Unipolar | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3LM18A, RF | 0.3700 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3LM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 2.2 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 300mA | 1.8V | - | 1 | 0.445V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR1HF33B, LM (CT | 0.4800 | | 1489 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3LM08A, RF | 0.3700 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3LM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 5,000 | 2.2 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 300mA | 0.8V | - | 1 | - | 74DB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TMPM3HPF10BFG | 8.5600 | | 3815 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TXZ+ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 128-LQFP | 128-LQFP (14x14) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 264-TMPM3HPF10BFG | 180 | 118 | ARM® Cortex®-M3 | De 32 bits | 120MHz | I²C, SPI, UART/USART | DMA, LVD, Control de Motor Pwm, POR, WDT | 1 MB (1 mx 8) | Destello | 32k x 8 | 128k x 8 | 2.7V ~ 5.5V | A/D 19X12B SAR; D/a 2x8b | Externo, interno | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TMPM3HQFDAFG | 11.1800 | | 60 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TXZ+ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 144-LQFP | 144-LQFP (20x20) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 264-TMPM3HQFDAFG | 60 | 135 | ARM® Cortex®-M3 | De 32 bits | 120MHz | I²C, SPI, UART/USART | DMA, LVD, Control de Motor Pwm, POR, WDT | 512kb (512k x 8) | Destello | 32k x 8 | 64k x 8 | 2.7V ~ 5.5V | A/D 21X12B SAR; D/a 2x8b | Externo, interno | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPD4164F, LF | 7.4500 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 135 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 42-SOP (0.330 ", 8.40 mm de ancho), 31 cables, exposición de almohadilla | IGBT | 13.5V | 31-HSOP | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 1,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Medio Puente (3) | 3A | 13.5V ~ 450V | Multifásico | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCKE805NL, RF | 1.5200 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 10-WFDFN Pad, | TCKE805 | 4.4V ~ 18V | 10-WsonB (3x3) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Electrónico fusible | - | - | 5A |
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