SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (2120)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Cuidadas Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Corriente - Suministro Voltaje - Entrada Voltaje - Entrada (Max) Tipo de Salida Coeficiente de temperatura Número de Circuitos Ratio - Entrada: Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) ECCN Htsus Paquete estándar Tipo lógico Número de elementos Número de bits por elemento Corriente - Salida Alta, Baja Amontonamiento Current - Obliescent (Max) -3db Ancho de Banda Número de Entradas TUPO DE REFERENCIA Voltaje - Suministro (VCC/VDD) Circuito de Interruptor CircuitO Multiplexor/Demultiplexor Resistencia en el Estado (Max) Matricio de canal un canal (ΔRon) Voltaje - Suministro, Single (V+) Voltaje - Suministro, Dual (V ±) Tiempo de Cambio (Ton, Toff) (Máximo) Inyeción de Carga Capacitancia del Canal (CS (OFF), CD (OFF)) Corriente - Fugas (ES (APAGADO)) (MAX) Pisoteo Protocolo Número de conductores/receptores Dúplex Tasa de datos Interfaz Número de Salidas Max de propagación del propita @ v, max cl Real - Obliescent (IQ) Real - Suministro (Max) Nivel Lógico de Entrada - Bajo Nivel Lógico de Entrada - Alto Topología FRECUENCIA - CONMUTACIÓN Protección Contra Fallas Caracteríssticas de control Configuración de salida Rectificador Sincónnico Corriente - Salida RDS ON (typ) Voltaje - Carga TUPO de MOTOR - PASO TUPO DE MOTOR - AC, DC Resolución de Pasos TUPO DE INTERRUPTOR Corriente - Salida (Max) Voltaje - Salida (Min/Fijo) Ruido - 0.1Hz A 10Hz Ruido - 10Hz A 10 kHz Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Entrada (min) Número de reguladores El abandono de voltaje (max) PSRR Caracteríssticas de Proteción
TC74HC165AF(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC165AF (EL, F) 0.6400
RFQ
 ECAD 7302 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento 74HC Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.209 ", 5.30 mm de ancho) 74HC165 Complementario 2V ~ 6V 16-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 Registro de Turno 1 8 Paralelo o Serie A Serial
TCR2EE40,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE40, LM (CT 0.3700
RFQ
 ECAD 428 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2EE Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SOT-553 TCR2EE40 5.5V Fijado ESV descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 4v - 1 0.2V @ 150MA 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TCR2LN25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN25, LF -
RFQ
 ECAD 5281 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2ln Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn TCR2LN25 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 2.5V - 1 0.36V @ 150 Ma - SOBRE LA CORRIENTE
TB67H400AHG Toshiba Semiconductor and Storage TB67H400AHG 6.4000
RFQ
 ECAD 510 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Propósito general A Través del Aguetero Cables Formados de 25 SIP TB67H400 Potencia Mosfet 4.75V ~ 5.25V 25 Hzip descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 510 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo, PWM Medio Puente (4) 6A 10V ~ 47V - DC Cepillado -
TC74HC541APF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC541APF 0.5800
RFQ
 ECAD 9434 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento 74HC Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) A Través del Aguetero 20-dip (0.300 ", 7.62 mm) 74HC541 - De 3 estados 2V ~ 6V 20 DIPP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 20 Búfer, sin inversor 1 8 7.8MA, 7.8MA
TC74LCX245FT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX245FT (EL) -
RFQ
 ECAD 6783 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento 74LCX Digi-Reel® Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 20-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) 74LCX245 1.65V ~ 3.6V 20-TSOP descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 Transceptor, sin inversor 1 8 24 Ma, 24 Ma
TCK107AF,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK107AF, LF 0.4800
RFQ
 ECAD 252 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 - TCK107 - - - SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 - - - - - 63mohm 1.1v ~ 5.5V - 1A
TC7SH09F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH09F, LF -
RFQ
 ECAD 4017 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7SH Cinta de Corte (CT) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 Desagüe 7SH09 1 2V ~ 5.5V SMV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Y Puerta -, 8MA 2 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
TD62783AFNG,S,EL Toshiba Semiconductor and Storage Td62783afng, s, el -
RFQ
 ECAD 1685 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 18-LSSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Conductor TD62783 5V 18-ssop - 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 60 - 8/0 - -
TC7SH00F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH00F, LJ (CT 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7SH Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 - 7sh00 1 2V ~ 5.5V SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Puerta de Nand 8 ma, 8 ma 2 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
TC7SH125FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH125FU, LJ (CT 0.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7SH Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 TC7SH125 - De 3 estados 2V ~ 5.5V 5-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Búfer, sin inversor 1 1 8 ma, 8 ma
TC7W240FU(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC7W240FU (TE12L, F) -
RFQ
 ECAD 6328 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7W Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.110 ", Ancho de 2.80 mm) TC7W240 - De 3 estados 2V ~ 6V 8-ssop descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Búfer, Inversión 2 1 7.8MA, 7.8MA
TCR2LE285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE285, LM (CT 0.3900
RFQ
 ECAD 923 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2le Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-553 TCR2LE285 5.5V Fijado ESV descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 2.85V - 1 0.38V @ 150 Ma - SOBRE LA CORRIENTE
TA78DS05BP(FJTN,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP (FJTN, FM -
RFQ
 ECAD 6979 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA78DS 33V Fijado LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - Positivo 30mera 5V - 1 0.3V @ 10mA - Sobre La Corriente, La Temperatura, El Voltaje Excesivo, El Voltaje Transitorio
TC7SET08FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SET08FU, LJ (CT 0.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Conjunto TC7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 7set08 1 4.5V ~ 5.5V 5-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Y Puerta 8 ma, 8 ma 2 µA 2 9ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
TC7SZ07AFS,L3J(T Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ07AFS, L3J (T 0.0593
RFQ
 ECAD 4272 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7SZ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie Sot-953 TC7SZ07 - Desagüe 1.65V ~ 5.5V FSV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 Búfer, sin inversor 1 1 -, 32MA
TC7SZ14FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ14FU, LJ (CT 0.3400
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7SZ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Disparador de Schmitt 7SZ14 1 1.65V ~ 5.5V 5-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Inversor 32MA, 32MA 1 µA 1 5.9ns @ 5V, 50pf 0.2V ~ 1.2V 1.4V ~ 3.6V
TC74LCX04FT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX04FT (EL) -
RFQ
 ECAD 3914 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento 74LCX Digi-Reel® Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 14-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) - 74LCX04 6 1.65V ~ 3.6V 14-TSOP - 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 Inversor 24 Ma, 24 Ma 10 µA 1 5.2NS @ 3.3V, 50pf 0.8V 2V
TCV7104FN(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7104FN (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 3500 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano TCV71 5.5V Atenuable PS-8 (2.9x2.4) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Atropellado 1 Dólar 1.5MHz Positivo Si 2A 0.8V 5.5V 2.7V
TA58L05S,LS2TOKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S, LS2TOKQ (J -
RFQ
 ECAD 3958 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TA58L05 29V Fijado Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1 MA 50 Ma - Positivo 250 Ma 5V - 1 0.4V @ 200MA - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TB62213AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFNG, C8, EL 1.8025
RFQ
 ECAD 8305 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Propósito general Montaje en superficie 48-TFSOP (0.240 ", 6.10 mm de ancho) Almohadilla exposición TB62213 Potencia Mosfet 4.75V ~ 5.25V 48 htssop descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 1,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 2.4a 10V ~ 38V Bipolar - 1, 1/2, 1/4
TC74LVX125FTELM Toshiba Semiconductor and Storage Tc74lvx125ftelm -
RFQ
 ECAD 7229 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tc74lvx Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 14-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) 74LVX125 - De 3 estados 2V ~ 3.6V 14-TSOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 Búfer, sin inversor 4 1 4mA, 4MA
TB6674PG,C,8 Toshiba Semiconductor and Storage Tb6674pg, c, 8 -
RFQ
 ECAD 1620 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -30 ° C ~ 75 ° C (TA) Propósito general A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) TB6674 Potencia Mosfet 4.5V ~ 5.5V 16 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 350 mm 2.7V ~ 22V Bipolar - -
TA58L05S,ALPSAQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S, ALPSAQ (M -
RFQ
 ECAD 4393 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TA58L05 29V Fijado Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1 MA 50 Ma - Positivo 250 Ma 5V - 1 0.4V @ 200MA - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TA78DS08BP(DNSO,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS08BP (DNSO, FM -
RFQ
 ECAD 3785 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA78DS 33V Fijado LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1.2 Ma 1.2 Ma - Positivo 30mera 8V - 1 0.3V @ 10mA - Sobre La Corriente, La Temperatura, El Voltaje Excesivo, El Voltaje Transitorio
TC7SH34FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH34FU, LJ (CT 0.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7SH Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 TC7SH34 - Empuje 2V ~ 5.5V 5-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Búfer, sin inversor 1 1 8 ma, 8 ma
TB67S213FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S213FTAG, EL 1.3699
RFQ
 ECAD 2068 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Propósito general Montaje en superficie 36 WFQFN almohadilla exposición TB67S213 Bicdmos 4.75V ~ 5.25V 36 WQFN (6x6) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 4.000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 2A 10V ~ 35V Bipolar - 1, 1/2, 1/4
TA76431AS(T6CNO,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS (T6CNO, FM -
RFQ
 ECAD 6014 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto - -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA76431 - - - - LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TC74ACT00FTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74ACT00FTEL 0.1437
RFQ
 ECAD 6742 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tc74act Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 14-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) - 74act00 4 4.5V ~ 5.5V 14-TSOP - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 Puerta de Nand 24 Ma, 24 Ma 4 µA 2 7.9ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74HCT4052D Toshiba Semiconductor and Storage 74HCT4052D 0.4800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) 74HCT4052 2 16-soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2.500 180MHz Sp4t 4: 1 150ohm 6ohm 4.5V ~ 5.5V ± 1V ~ 5V 60ns, 48ns - 3.5pf 2 µA -60db @ 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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