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Circuitos Integrados (ICS) (5782)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43LR16640C-6BLI | 7.7181 |  | 4633 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-TFBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LR16640C-6BLI | 300 | 166 MHz | Volante | 1 gbit | 5 ns | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| IS43LR32320C-5BLI | 8.9852 | | 2599 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-TFBGA (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LR32320C-5BLI | 240 | 208 MHz | Volante | 1 gbit | 5 ns | Dracma | 32m x 32 | Paralelo | 14.4ns | ||
| IS46TR16256B-107MBLA1 | 8.8181 | | 9446 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46TR16256B-107MBLA1 | 190 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| IS46TR16256B-107MBLA2 | 10.1514 | | 8628 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46TR16256B-107MBLA2 | 190 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| IS43TR16512S2DL-107MBL-TR | 18.7397 | | 8444 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-LFBGA | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-LWBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43TR16512S2DL-107MBL-TR | 1.500 | 933 MHz | Volante | 8 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| IS61WV5128FBLL-10TLI | 2.3764 | | 2464 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | Sram - Asínncrono | 2.4V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS61WV5128FBLL-10TLI | 135 | Volante | 4mbit | 10 ns | Sram | 512k x 8 | Paralelo | 10ns | |||
| IS46QR81024A-083TBLA1 | 19.5816 | | 3735 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-TWBGA (10x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46QR81024A-083TBLA1 | 136 | 1.2 GHz | Volante | 8 gbit | 18 ns | Dracma | 1g x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| IS43R16320F-6TL-TR | 2.8194 | | 7381 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43R16320F-6TL-TR | 1.500 | 167 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | SSTL_2 | 15ns | ||
| IS62WV10248HBLL-45BLI | 5.5800 | | 2110 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS62WV10248HBLL-45BLI | 480 | Volante | 8mbit | 45 ns | Sram | 1m x 8 | Paralelo | 45ns | |||
| IS46LQ16128A-062TBLA2 | 11.6916 | | 4969 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ16128A-062TBLA2 | 136 | 1.6 GHz | Volante | 2 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 128m x 16 | Lvstl | 18ns | ||
| IS49NLC36800A-25WBL | 27.7833 | | 8236 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | RDRAM 2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-TWBGA (11x18.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS49NLC36800A-25WBL | 104 | 400 MHz | Volante | 288Mbit | 20 ns | Dracma | 8m x 36 | Hstl | - | |
| IS46LQ16128A-062BLA1 | - | | 3510 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ16128A-062BLA1 | 136 | 1.6 GHz | Volante | 2 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 128m x 16 | Lvstl | 18ns | ||
| IS43TR82560DL-107MBLI-TR | 4.5617 | | 3285 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-TWBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43TR82560DL-107MBLI-TR | 2,000 | 933 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 256m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| IS43LR16320C-5BLI-TR | 6.1327 | | 5612 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-TFBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LR16320C-5BLI-TR | 2,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 5 ns | Dracma | 32m x 16 | LVCMOS | 15ns | ||
| IS43QR81024A-075VBL | 18.1892 | | 7487 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-TWBGA (10x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43QR81024A-075VBL | 136 | 1.333 GHz | Volante | 8 gbit | 18 ns | Dracma | 1g x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| IS43LR32800H-6BLI-TR | 4.9180 | | 8552 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-TFBGA (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LR32800H-6BLI-TR | 2.500 | 166 MHz | Volante | 256Mbit | 5.5 ns | Dracma | 8m x 32 | LVCMOS | 15ns | ||
| IS62WV25616ECLL-35BLI | 3.9214 | | 4530 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | Sram - Asínncrono | 3.135V ~ 3.465V | 48-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS62WV25616ECLL-35BLI | 480 | Volante | 4mbit | 35 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 35ns | |||
| IS43TR81280C-125JBLI | 3.7208 | | 1086 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-TWBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43TR81280C-125JBLI | 242 | 800 MHz | Volante | 1 gbit | 20 ns | Dracma | 128m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| IS25We256E-Rmle-TR | 4.2125 | | 6322 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25WE256E-RMLE-TREL | 1,000 | 166 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 50 µs, 1 ms | |||
| IS25WP01G-RILA3 | 13.3836 | | 7343 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24 lbGa | Flash - Nor (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 24-LFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25WP01G-RILA3 | 480 | 104 MHz | No Volátil | 1 gbit | 10 ns | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 50 µs, 1 ms | ||
| IS25WP016D-JBLA3-TR | 0.9827 | | 7618 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 1.95V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25WP016D-JBLA3-TR | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | 7 ns | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | ||
| IS25WP064D-JKLE-TR | 1.3012 | | 6796 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 1.95V | 8-wson (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25WP064D-JKLE-TR | 4.500 | 166 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | |||
| IS25WP064D-JBLE-TR | 1.2565 | | 3421 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 1.95V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25WP064D-JBLE-TR | 2,000 | 166 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | |||
| IS25WP128F-JBLA3-TR | 2.2927 | | 8781 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 1.95V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25WP128F-JBLA3-TR | 2,000 | 166 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 5.5 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | ||
| IS25WP080D-JULE-TR | 0.6114 | | 6186 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-Ufdfn Padera Expunesta | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 1.95V | 8-USON (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25WP080D-JULE-TR | 5,000 | 133 MHz | No Volátil | 8mbit | 7 ns | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | ||
| IS25WP128F-RHLE | 2.3339 | | 5919 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 1.95V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25WP128F-RHLE | 480 | 166 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | |||
| IS25WP080D-JULA3-TR | 0.9188 | | 7841 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-Ufdfn Padera Expunesta | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 1.95V | 8-USON (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25WP080D-JULA3-TR | 5,000 | 133 MHz | No Volátil | 8mbit | 7 ns | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | ||
| IS25WP256E-JLLE | 4.0444 | | 5161 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 8-wson (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25WP256E-JLLE | 480 | 166 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 50 µs, 1 ms | |||
| IS25WP128-JMLE-TY | - | | 6659 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 1.95V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25WP128-JMLE-TY | 176 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 7 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | ||
| IS25WP128F-RMLE-TR | 2.0788 | | 1091 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 1.95V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25WP128F-RMLE-TR | 1,000 | 166 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs |
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